青浦区碳化硅介绍

碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用很多、很经济的一种。 我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC（称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。碳化硅的工业制法是用石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块，经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。青浦区碳化硅介绍

对比热数据，全SiC模块显示出比传统硅模块更低的热阻。这是由于与Si相比，SiC具有更高的热传导率和更好的热扩散能力：在此布局中，4个SiC二极管芯片在相同的空间上代替1个硅二极管。SiC器件更低的热阻是特别重要的，因为在这种情况下硅芯片使用了21 cm2的总面积，而全SiC模块只用了10 cm2。与硅模块的通态损耗相比，全SiC模块的通态损耗更高。SiC肖特基二极管的正向压降也是这样。全SiC模块的动态损耗非常低：SiC MOSFET的开关损耗比硅IGBT低4倍，SiC肖特基二极管的损耗低8-9倍。 青浦区碳化硅介绍一直沿用至今，以碳质材料为炉芯体的电阻炉，通电加热石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。

该电炉所用的烧成方法俗称：埋粉烧成。它一通电即为加热开始，炉心体温度约2500℃，甚至更高（2600～2700℃），炉料达到1450℃时开始合成SiC（但SiC主要是在≥1800℃时形成），且放出CO。。然而，≥2600℃时SiC会分解，但分解出的Si又会与炉料中的C生成SiC。每组电炉配备一组变压器，但生产时只对单一电炉供电，以便根据电负荷特性调节电压来基本上保持恒功率，大功率电炉要加热约24 h，停电后生成SiC的反应基本结束，再经过一段时间的冷却就可以拆除侧墙，然后逐步取出炉料。

我国碳化硅出口市场以亚洲和北美洲为主，出口份额分别占到全球出口份额的70.25%和23.76%，共出口到59个国别和地区，比2011年增加了6个。出口数量在千吨以上的国别和地区依次为日本、美国、韩国、泰国、新加坡、印度、土耳其、墨西哥和德国，这10个国家和地区的合计出口数量为15.26万吨，占出口总量的92.64%。其中位列前四名的国别和地区出口数量占比分别为30.55%、23.25%、15.5%和13.63%，四个国别和地区的出口量之和占出口总量的82.93%。除韩国出口数量同比增长85.5%外，土耳其和德国的数量同比增长引人注目，但主销国别和地区数量同比还是有较大程度下滑，其中对日本和美国的出口数量下滑幅度均达约40%。由于其高热导性、高崩溃电场强度及高较大电流密度。

在钢材冶炼中会使用到硅铁作为脱氧剂，主要是因为硅铁中的硅与氧有良好的亲和作用，从而生成二氧化硅沉淀，漂浮在钢液表面便于去除。但是随着生产技术的发展，越来越多钢厂开始使用碳化硅来代替硅铁做脱氧剂使用，这是为什么呢？主要是因为碳化硅在脱氧时成渣少，而且脱氧速度快，更能有效的去除渣中的某些元素，便于把控。，我们可以看出碳化硅作为脱氧剂使用时，碳化硅中的硅可以与钢液中的氧反应，而碳化硅中的碳也可以作为钢液中所缺少的碳源补充，碳化硅的应用可谓是减少了其它添加剂的加入，更有助于钢材的冶炼。立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工。青浦区碳化硅定制

碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种，都属α-SiC。青浦区碳化硅介绍

碳化硅具有有效脱氧剂的作用，碳化硅在炼钢工艺中具有有效脱氧剂的作用，使用碳化硅可以使钢水快速脱氧，减少氧化物剂杂质，提升钢材质量! 碳化硅可以取代传统铁合金产品，在原工艺上相比传统铁合金具有稳定性好、脱氧效果好、节约能源等优点!碳化硅具有提升冶炼炉温度的作用，节约能源的同时又可以使冶炼材料在高温恒温的环境下充分反应提升冶炼所得率!碳化硅在其他行业的用途：碳化硅其自身优点众多，在多个行业均有所应用，普遍用于冶金脱氧、生产耐火产品、电子、机械、模具制造等行业的重要原料!在冶炼时放入碳化硅还可以是产品拥有耐磨性的作用，可以有效降低损耗，提升产品使用寿命，已达到节省节约的目的。青浦区碳化硅介绍

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