2009年,维纳德•波利(WillardS.Boyle)和乔治•史密斯(GeorgeE.Smith)因为发明CCD(Charge-coupledDevice,电荷耦合元件,或称为CCD图像传感器)而获得了当年的诺贝尔物理学奖。诺贝尔奖委员会会长约瑟夫·诺德格伦(JosephNordgren)在宣布该奖项的新闻发布会上曾经说:“在当今社会的记录影像的方式完全基于CCD的研究。”“这项研究的实际意义是非常巨大的……它改变了我们的生活,不仅在科学领域,而且在整个社会领域......”6图像传感器一个直观的性能指标就是对图像的复现的能力。MT9M031I12STM电路图
CMOS图像传感器(CIS)是模拟电路和数字电路的集成。主要由四个组件构成:微透镜、彩色滤光片(CF)、光电二极管(PD)、像素设计。1.微透镜:具有球形表面和网状透镜;光通过微透镜时,CIS的非活性部分负责将光收集起来并将其聚焦到彩色滤光片。2.彩色滤光片(CF):拆分反射光中的红、绿、蓝(RGB)成分,并通过感光元件形成拜尔阵列滤镜。3.光电二极管(PD):作为光电转换器件,捕捉光并转换成电流;一般采用PIN二极管或PN结器件制成。4.像素设计:通过CIS上装配的有源像素传感器(APS)实现。APS常由3至6个晶体管构成,可从大型电容阵列中获得或缓冲像素,并在像素内部将光电流转换成电压,具有较完美的灵敏度水平和的噪声指标。佛山MT9M031I12STM简介CMOS图像传感器走向商业化1.1995年2月,Photobit公司成立,将CMOS图像传感器技术实现商业化。
移动图像传感器,几乎都是CMOS材料的,这种材料相比以前的CCD材料比较大的好处就是降低了芯片的功耗,在噪音、速度上也有更好的表现。而说起CMOS,索尼无疑是一个绕不开的名字,其不仅是有名的相机制造商,还是目前比较大的CMOS传感器供应商,为市场贡献了诸多高像素、高感光、新结构的图像传感器,所以使用索尼的传感器一直是市场上较好的手机的典型特征,也是厂商们大书特书的宣传点,仿佛图像传感器市场上只有索尼一家。事实上,当下的图像传感器市场竞争非常激烈,连中国厂商也在通过资本的运作参与其中,这次就为大家盘点一下主流的图像传感器厂商。
安防领域——红外光成像红外线摄影术以成像为目标。伴随着电子与化学科技的进展,红外线摄像技术逐渐演化出三个方向。1.近红外线底片:感应范围为波长700nm~900nm。在成像乳剂中加入特殊染料,利用光化学反应,使这一波域的光变化转为化学变化从而形成影像。2.近红外线电子感光材料:感应范围为波长700nm~2,000nm。利用含硅化合物晶体的光电反应形成电子信号,进过进一步处产生影像。3.中、远红外线线感应材料:感应范围为波长3,000nm~14,000nm。需要使用冷却技术和特殊的光学感应器,加工处理形成电子影像。医疗图像传感器可分为CCD, CIS,a-Si FPD,a-Se FPD,SiPM。
CMOS图像传感器,也称为“电子眼”,是一种将光转化为电子信息的半导体重要部件。它们通常以其在智能手机摄像头中的应用而闻名,但也被普遍用作各个领域的关键组件,例如安全摄像头、车辆自动驾驶、工厂自动化等工业应用和医疗应用。如此普遍的用途也需要各种各样的功能。在传统的CMOS图像传感器中,执行光电转换的像素部分和信号处理电路部分形成在同一硅基板上,因此不可能同时增加多功能化的电路尺寸和小型化结构。那如何克服这些技术挑战?图像传感器在医疗影像市场具有多元应用场景:X-ray、内窥镜、分子成像、光学相干断层扫描以及超声成像。佛山图像传感器MT9M031I12STM模组
优化集光特性,比较大限度地提高背照结构的集光效率。MT9M031I12STM电路图
适合与逻辑电路芯片堆叠的背照式CMOS图像传感器:背照式结构比较大限度地减少了不同光学角度导致的灵敏度下降,同时也增加了进入每个像素的光量,因为没有障碍物,例如已经移动到硅的另一侧的金属布线和晶体管基质。然而,与传统的前照式结构相比,背照式结构的器件结构和制造工艺通常会产生噪声、暗电流、像素缺陷或混色等问题,从而导致图像质量下降和导致信噪比下降。为了克服这个问题,索尼开发了一种独特的光电二极管结构,通过减少噪声、暗电流和缺陷像素来实现更高的灵敏度和更低的随机噪声。此外,索尼的高精度校准等先进技术解决了混色问题。.MT9M031I12STM电路图
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