电容的耦合又称“电场耦合” 耦合是指信号由一级向二级传递的过程，一般不加注明时往往是指交流耦合。从电路来说，总是可以区分为驱动电源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完...

导体三极管的主要参数a;电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，这就是三极管的电流...

无极性云母电容制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜优点：容易生产，技术含量低。缺点：体积大，容量小用途：震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感用途：模拟/数字电...

一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法拉，即：C=Q/U 。但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即电容的决定式为：C=εS/4πkd 。其中，ε是一...

自恢复熔断器是由高分子有机聚合物与导电颗粒材料混合在高压、高温和硫化反应条件下，，经特殊工艺加工而成的一种过流电子保护元件。自愈保险丝也是众所周知的使用PPTC。严格地说，PPTC不是一个自我恢复保险...

电脑和智能手机早期就采用了FinFET技术，目前也正推动着市场需求。这些功能无论是在智能手机上，还是CPU中的都大致相同。2015年，三星（韩国）在ExynosOcta7的芯片制作上引入了14nm的F...

晶体管内部载流子的运动=0时，晶体管内部载流子运动示意图如下图所示。1．发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流因为发射结加正向电压，发射区杂质浓度高，所以大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区。与...

按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶...

选型注意耐压值的选择，一般，保险丝是串联在电路中的，上面的电压很小。在保险丝起保护作用熔断时开路，电源电压会直接加在保险丝两端，所有，保险丝耐压值需要大于电源的电压，并留合适的余量。保险丝额定电流的选...

如果晶体管为PNP型，则通常处于ON状态，但不是可以说是完美的，直到基脚完全接地为止。将基极引脚接地后，晶体管将处于反向偏置状态或被称为导通状态。作为提供给基极引脚的电源，它停止了从集电极到发射极的电...

三极管三极管在电路中通常用于信号的放大、开关等。在数据手册上通常标有三个反向击穿电压数值：（1）Vceo：在集极开路的情况下，集电极和发射极之间的击穿电压；（2）Vcbo:在发射极开路的情况下，集电极...

1、自恢复保险丝6V系列产品适用于工作电压较低、工作电流相对较小的电路中，如电脑、电脑外设、玩具行业等领域。2、自恢复保险丝16V系列产品适用于工作电压较低、工作电流较大的电路中，可***应用于电源转...