氧化锆是一种特殊的材料，增韧的方法，主要是利用氧化锆的相变才能达到的！纯净的氧化锆是白色固体，含有杂质时会显现灰色或淡黄色，添加显色剂还可显示各种其它颜色。纯氧化锆的分子量为123.22，理论密度是5.89g/cm3，熔点为2715℃。通常含有少量的氧化铪，难...

2023/04/16 查看详细

氧化铝陶瓷球的原料主要是氧化铝，另有碳酸钙、滑石或粘土，其中难磨的是氧化铝粉，当用干法研磨时，氧化铝粉与其它料的混合明显不如湿法研磨混合得均匀。所以，现在常用的是湿法加球磨（具体生产工艺流程如下图所示）。这是有效的、也是环保的方法，毕竟干法研磨产生的扬尘也是一...

2023/04/15 查看详细

采用传统工艺（干压成型）制备的陶瓷（轴承球，密封球）球坯，根据球坯尺寸不同，加工余量大约在1-3mm左右，将球坯加工为成品球，需经历约35-45天的精细后加工以获取所需尺寸的成品球。完成加工后除去外观色差、等不合格球，其成品率可能只剩下30-40%...

2023/04/14 查看详细

砂带的材料去除率随着磨削压力的增大而提高，因为磨削压力的增加使金刚石磨粒的切削载荷和磨削深度增加，单位时间内可去除更多的材料，磨削效率提高；但当磨削压力增加到55N时磨削效率出现明显下降，磨削压力过大时金刚石磨粒的磨削深度增加，导致氧化铝陶瓷的破碎难度增加，且...

2023/04/14 查看详细

干压成型可成型形状复杂的陶瓷制品，尺寸精度高，几乎不需要后续加工，是制作异形陶瓷制品的主要成型工艺；特别适宜于各种截面厚度较小的陶瓷制品制备，如陶瓷密封环、陶瓷水阀片、陶瓷衬板、陶瓷内衬等。流延成型可制作厚膜和薄膜电路用Al2O3基片、压电陶瓷膜片、结构陶瓷薄...

2023/04/13 查看详细

设备制造商之间的一场大战正在牵引逆变器领域展开，尤其是纯电池电动汽车。一般来说，混合动力车正朝着48伏电池的方向发展。对于动力发明家来说，SiC对于混合动力车来说通常太贵了，尽管有例外。与混合动力一样，纯电池电动汽车由牵引逆变器组成。高压母线将逆变器连接到蓄电...

2023/04/12 查看详细

随着全球电子信息及太阳能光伏产业对硅晶片需求量的快速增长，硅晶片线切割用碳化硅微粉的需求量也正在迅速增加。以碳化硅（SiC）及GaN为**的宽禁带材料，是继Si和GaAs之后的第三代半导体。与Si及GaAs相比，SiC具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电...

2023/04/11 查看详细

碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的材料按照历史进程分为：代半导体材料（大部分为目前使用的高纯度硅），第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化镓）。碳化硅因其优越的物理性...

2023/04/11 查看详细

SiC材料具有良好的电学特性和力学特性，是一种非常理想的可适应诸多恶劣环境的半导体材料。它禁带宽度较大，具有热传导率高、耐高温、抗腐蚀、化学稳定性高等特点，以其作为器件结构材料，可以得到耐高温、耐高压和抗腐蚀的SiC-MEMS器件，具有广阔的市场和...

2023/04/10 查看详细

以碳化硅为的第三代半导体材料，被誉为继硅材料之后有前景的半导体材料之一，与硅材料相比，以碳化硅晶片为衬造的半导体器件具备高功率、耐高压/高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于半导体功率器件和5G通讯等领域。按照衬底电学性能的不同，碳化...

2023/04/09 查看详细

碳化硅sic的电学性质SiC的临界击穿电场比常用半导体Si和GaAs都大很多，这说明SiC材料制作的器件可承受很大的外加电压，具备很好的耐高特性。另外，击穿电场和热导率决定器件的最大功率传输能力。击穿电场对直流偏压转换为射频功率给出一个基本的界限，...

2023/04/08 查看详细

不同的SiC多型体在半导体特性方面表现出各自的特性。利用SiC的这一特点可以制作SiC不同多型体间晶格完全匹配的异质复合结构和超晶格，从而获得性能较好的器件．其中6H-SiC结构为稳定，适用于制造光电子器件：p-SiC比6H-SiC活泼，其电子迁移率比较高，饱...

2023/04/08 查看详细