不同应用场景对标准气体纯度要求差异明显,常规工业场景需≥99.9%,而半导体、医疗等领域则要求杂质含量低于 ppb 级。上海弥正针对需求开发的超高纯标准气体系列,通过深度精馏、精密吸附等多道提纯工艺,将氧气、水分、烃类等杂质总含量控制在 1ppm 以下,部分电子级产品杂质含量≤0.1ppb。例如用于半导体光刻工艺的氮中氨气混合气,不*保证...
查看详细 >>氦气的低溶解度与化学惰性使其在深海潜水与电子工业中具有特殊应用价值,可解决极端环境下的技术难题与安全风险。在深海潜水领域,潜水员呼吸的空气在高压下(如深海100米,压力为10atm),氮气会大量溶解于血液中,引发氮气麻醉(类似醉酒状态),严重影响潜水员的判断力与操作能力。氦气在血液中的溶解度但为氮气的1/4,将氦气与氧气混合制成呼吸混合气...
查看详细 >>氢能产业从制氢到加氢全链条均需标准气体参与,涵盖纯度检测、设备校准等多个环节。上海弥正构建氢能全产业链标准气解决方案:制氢环节提供氢中氧气、氢中水分标准气,用于电解水制氢设备纯度监测;储氢环节提供高压氢标准气,适配储氢瓶气密性测试;加氢站环节提供氢中硫化物、氢中氨标准气,用于加氢机纯度检测。所有产品纯度均达 99.999% 以上,杂质含量...
查看详细 >>燃料电池的性能衰减与氢气中杂质含量密切相关,需通过标准气体模拟杂质影响,评估电池寿命。上海弥正推出的燃料电池测试特用标准气,包括氢中一氧化碳、氢中硫化物等系列,杂质浓度准确至 0.1ppm,氢气纯度≥99.999%。用于催化剂中毒测试的氢中一氧化碳混合气,一氧化碳浓度从 0.1ppm 至 10ppm 可调,可量化杂质对电池功率的影响;用于...
查看详细 >>医疗检测设备的准确性依赖标准气体校准,涵盖肺功能仪、呼气分析仪等多种仪器。上海弥正为医疗设备行业定制特用标准气:用于肺功能仪校准的氦 - 氧混合气,氦气浓度准确至 10%,可通过气体稀释法评估肺通气功能;用于呼气诊断的氢中甲烷标准气,甲烷浓度覆盖 1-100ppm,能准确校准呼气分析仪,助力肠道菌群检测。产品采用小容量(1-5L)包装,适...
查看详细 >>上海弥正针对半导体制造全流程,打造涵盖超高纯氮气、氢气、氩气、氟化物气体等多品类的定制化气体解决方案,覆盖晶圆清洗、刻蚀、沉积、掺杂等**工艺。所有气体纯度均达到 5N-7N 级别,其中用于光刻工艺的特种气体纯度高达 9N 级,金属杂质含量控制在 0.01ppb 以下,完全满足不同制程芯片的生产要求。提供从气体提纯、包装、运输到终端输送的...
查看详细 >>上海弥正超高纯乙硼烷(5N 级纯度),专为 FinFET、GAA(全环绕栅极)等先进晶体管结构的超浅结掺杂工艺设计,以 “超高纯度 + 准确控制” 突破芯片制程瓶颈。采用低温合成与精密吸附提纯技术,将杂质含量控制在极低水平,其中磷、砷等杂质含量≤5ppt,水分含量≤10ppb,满足 5nm 及以下先进制程对超浅结掺杂的严苛要求。在超浅结掺...
查看详细 >>上海弥正超高纯磷烷(5N 级纯度),作为半导体制造中关键的 N 型掺杂气体,以 “准确掺杂 + 高安全性” 满足芯片电性能调控需求。通过络合纯化与吸附分离工艺,将杂质总含量控制在 100ppt 以下,其中砷、硼等竞争性掺杂元素含量≤10ppt,确保掺杂精度与芯片性能稳定。在芯片制造的掺杂工艺中,它被精确引入晶圆表层,通过热扩散或离子注入方...
查看详细 >>细胞培养需精确控制二氧化碳浓度以维持培养基 pH 值,标准气体是校准二氧化碳培养箱的重心基准。上海弥正推出的细胞培养特用混合气,二氧化碳浓度覆盖 2%-10%,与氮气、氧气按比例配制,可模拟人体生理环境。采用超高纯原料气,将水分、烃类杂质控制在 0.05ppm 以下,避免细胞污染与凋亡;通过静态混合器确保组分均匀,在培养箱内使用时浓度波动...
查看详细 >>半导体行业对气体的纯度与安全性有严格规范,上海弥正的稀有气体与卤素气体均符合 SEMI C12(纯度标准)与 SEMI S6(安全标准)。在生产环节,采用无死腔管路与电解抛光不锈钢容器,避免颗粒物污染,颗粒含量≤10 个 /m³;在检测环节,使用辉光放电质谱仪(GD-MS)检测杂质,精度达 ppt 级;在包装环节,采用内壁钝化处理的钢...
查看详细 >>计量认证机构通过标准气体考核实验室的检测能力,确保其出具数据的公信力。上海弥正为计量机构开发的考核用标准气系列,涵盖多组分、宽浓度范围的产品,可准确评估实验室的检测精度与稳定性。例如用于气相色谱仪考核的 VOCs 多元混合气,包含 8 种组分,浓度从 0.5ppm 至 10ppm 不等,要求实验室准确测定各组分浓度;用于红外光谱仪考核的二...
查看详细 >>上海弥正针对 OLED、LCD 显示面板制造,推出包含超高纯氨气、硅烷、氮气、氢气的特用气体组合,适配高世代线与新型显示技术的生产需求。组合内气体纯度均达到 5N-6N 级别,其中用于 ITO 薄膜溅射沉积的超高纯氧气纯度达 99.999%,杂质含量≤0.5ppb;用于退火工艺的超高纯氢气纯度达 6N 级,确保薄膜沉积质量与器件性能稳定。...
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