BL1117-33CX是一款3.3V输出的低压差线性稳压器（LDO），属于BL1117系列。 该系列稳压器提供多种固定输出电压版本，包括1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V和12V，同时还有一个可调版本，可以提供1.25V至...

2024/03/17 查看详细

BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。 以下是BL1551B的主要特性和优势： 高带宽：BL1551B具有高达350MHz的带宽，这使得...

2024/03/16 查看详细

SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据I...

2024/03/16 查看详细

WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器，具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比（PSRR）等特点。在500mA的负载电流下，其压降只有130mV（典型值）。这使得它在需要高输出电流的消费者和网络应用中极具吸引力。 特...

2024/03/16 查看详细

BL8023FCB6TR是一款专为300mA磁保持继电器设计的驱动芯片。该芯片采用SOT-23-6封装形式，具有小型化和高度集成化的特点。在电路设计中，BL8023FCB6TR的主要作用是为磁保持继电器提供驱动信号，控制其开关状态。 BL80...

2024/03/15 查看详细

BLM3400是一款n通道增强模式电源MOSFET管，采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。它适用于电池保护和其他开关应用程序。 BLM3400具有一些特性： ·VDS（漏源电压）为30V...

2024/03/15 查看详细

WS4603E：可调电流限制、电源分配开关 描述 WS4603E是一款具有高侧开关和低导通电阻P-MOSFET的开关。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。此外，WS4603E还集成了反向保护功...

2024/03/15 查看详细

BL24C02F-PARC是一款由上海贝岭（Belling）生产的EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，电可擦写可编程只读存储器）芯片。 以下是BL24C02F-PARC...

2024/03/14 查看详细

ESD5431N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各...

2024/03/14 查看详细

WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无...

2024/03/14 查看详细

BL24C512A-PARC是一款高性能、低功耗、可靠性强的存储器芯片，采用了先进的EEPROM技术。它提供524288位串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为65536字，每位8位。该芯片具有快速读写、低功耗、高可靠性等优点，被***应...

2024/03/14 查看详细

WS4665是一个单通道负载开关，提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作，并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入（ON）控制，该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS46...

2024/03/13 查看详细