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  • 22 01
    浙江rtp快速退火炉多少钱

    半导体退火炉的应用领域:1.SiC材料晶体生长SiC是一种具有高热导率、高击穿电压、高饱和电子速度等优良特性的宽禁带半导体材料。在SiC材料晶体生长过程中,快速退火炉可用于提高晶体生长的质量和尺寸,减少缺陷和氧化。通过快速退火处理,可以消除晶体中的应力,提高SiC材料的晶体品质和性能。2.抛光后退火在半导体材料抛光后,表面会产生损伤和缺陷... 【查看详情】

  • 22 01
    天津国产半导体快速退火炉排名

    全自动双腔RTP快速退火炉适用于4-12英寸硅片,双腔结构设计以及增加晶圆机器手,单次可处理两片晶圆,全自动上下料有效提高生产效率。半自动RTP快速退火炉适用于4-12 英寸硅片,以红外可见光加热单片 Wafer 或样品,工艺时间短,控温精度高,具有良好的温度均匀性。RTP-Table-6为桌面型4-6英寸晶圆快速退火炉采用PID控制系统... 【查看详情】

  • 21 01
    北京快速退火炉销售

    快速退火炉通常是一种扁平的或矩形的热处理设备,其内部有一条或多条加热元素,通常位于上方或底部。这些加热元素可以通过辐射传热作用于样品表面,使其快速加热和冷却。在快速退火炉中,样品通常直接放置在炉内底部托盘或架子上。快速退火炉的结构和外观相对简单,操作方便,可以快速地达到所需的退火效果。管式炉则是一个封闭的炉体,通常具有圆柱形或矩形外形,内... 【查看详情】

  • 21 01
    四川硅片快速退火炉

    第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。已被认为是当今电子产业发展的新动力,以第三代半导体的典型**碳化硅(SiC)为例,碳化硅具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点,使得其器件适用于高频高温的应用场景,相较于硅器件,碳... 【查看详情】

  • 20 01
    重庆大型等离子清洗机

    芯片封装等离子体应用包括用于晶圆级封装的等离子体晶圆清洗、焊前芯片载体等离子体清洗、封装和倒装芯片填充。电极的表面性质和抗组分结构对显示器的光电性能都有重要影响。为了保的像素形成和大的亮度,喷墨印刷的褶皱材料需要非常特殊的表面处理。这种表面工程是利用平面微波等离子体技术来完成的,它能在表面和衬底结构上产生所需的表面能。工艺允许选择性地产生... 【查看详情】

  • 19 01
    江苏快速退火炉工艺原理视频

    桌面式快速退火系统,以红外可见光加热单片 Wafer或样品,工艺时间短,控温精度高,适用6英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系统和其他RTP系统,其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的RL900软件控制系统,确保了极好的热均匀性。产品特点 :红外卤素灯管加热,冷却采用风冷 灯管功率PID控温,可控制温度升温,保证良好的重现性与温度均匀性... 【查看详情】

  • 19 01
    北京小型快速退火炉

    SiC器件制造过程主要包括“光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄”等工艺,其中,离子注入工艺是SiC掺杂的重要步骤,以满足SiC器件耐高压、大电流功能的实现。然而离子注入后,碳化硅材料的晶格损伤必须通过退火工艺进行修复。在SiC材料晶体生长过程中,退火工艺可以使硅原子获得足够的能量进行扩散和迁移,使结晶内部重新排列,促进杂质的合理分布,有利... 【查看详情】

  • 18 01
    北京倾斜型接触角测量仪用途

    接触角一般用θ表示测量结果:θ可以测量静态和动态接触角、静态和半动态表面/界面张力、表面自由能和液滴。可用的液滴形状有:固定液滴、悬浮液滴、后退接触角、倾斜液滴、前进接触角、捕获气泡、弯月面和反向悬浮液滴。接触角测量仪工作原理:可在一小块平面、曲面或圆柱面上测量液滴的接触角,以测量表面吸湿度。适合应用于需要评定表面处理等级、需要测试表面活... 【查看详情】

  • 18 01
    北京高温接触角测量仪厂家推荐

    水滴角测试仪的用途有很多,对各种材料均可进行水滴角测试,得到具体的亲水疏水数据,从而为表面性能研究提供可靠的保障。下面,晟鼎精密为您列举一些具体的应用行业,深度解析水滴角测试仪的应用和用途:1、触摸屏行业:可润湿性分析,品质控制,通过实际的测试安排下一道工序的生产。亲水性表面有利于镀指纹油,镀完指纹油过后出厂则需要疏水表面,要求水滴角度达... 【查看详情】

  • 17 01
    湖北实验室快速退火炉品牌排行

    全自动双腔RTP快速退火炉适用于4-12英寸硅片,双腔结构设计以及增加晶圆机器手,单次可处理两片晶圆,全自动上下料有效提高生产效率。半自动RTP快速退火炉适用于4-12 英寸硅片,以红外可见光加热单片 Wafer 或样品,工艺时间短,控温精度高,具有良好的温度均匀性。RTP-Table-6为桌面型4-6英寸晶圆快速退火炉采用PID控制系统... 【查看详情】

  • 16 01
    江苏快速退火炉国产

    SiC器件制造过程主要包括“光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄”等工艺,其中,离子注入工艺是SiC掺杂的重要步骤,以满足SiC器件耐高压、大电流功能的实现。然而离子注入后,碳化硅材料的晶格损伤必须通过退火工艺进行修复。在SiC材料晶体生长过程中,退火工艺可以使硅原子获得足够的能量进行扩散和迁移,使结晶内部重新排列,促进杂质的合理分布,有利... 【查看详情】

  • 16 01
    sdc-200接触角测量仪有哪些

    隐形眼镜直接接触眼睛,其润湿性是决定配戴舒适度的重要因素之一。当泪液在镜片表面的接触角越小,它的铺展程度就越大,形成的眼泪薄膜也越稳定,对眼表能起到良好的保湿和润滑作用。在镀膜前通过等离子处理可以有效提高镜片表面润湿性,提升隐形眼镜品质,改善客户的佩戴体验效果。为了评估隐形眼镜的表面润湿性,需要测量其接触角大小。晟鼎曲面拟合法结合曲面建模... 【查看详情】

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