晶体二极管的主要特性是单相导电性。二极管是用半导体材料（硅、硒、锗等）制成的一种电子器件。二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通，加上反向电压时，二极管截止。二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。二极管具有单向导电性能，导通时电流方...

在本征半导体的两个不同区域掺入三价和PN结五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。[6]二极管PN结单向导电性在PN结外加正向电压V，...

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电...

铝电解电容器的特点：1）优点：氧化膜有自愈作用；价格便宜；单位体积的容量大；相对而言，电压可以做得较高些；钽电解，铌电解都做不到200V，铝电解在国外可以做到730V。2）、缺点：漏电流大；损耗大，频率特性差（原来开关电源|稳压器40KHZ，现在100KHZ，1MHZ）5、电解电容器的命名；国内：C...

铝电解电容器在传统消费电子领域稳步增长的同时，其应用领域随着结构转型与技术进步在节能灯、变频器、新能源等诸多新兴领域得以拓展。国家“十二五”规划中明确提出：推进大中小城市交通、通信、供电、给排水等基础设施一体化建设和网络化发展。这些新兴领域的发展将拓展新材料产品的需求空间，而作为国家重点发展产业的中...

类型铝电解电容器可以分为四类：1.引线型铝电解电容器；2.牛角型铝电解电容器；3.螺栓式铝电解电容器；4.固态铝电散磨解电容器。特点1.单位体积的电容量非常大，比其它种类的电容大几十到数百倍。2.额定的容量可以做到非常大，可以轻易做到几万μf甚至几f（但不能和双电层电容比）。3.价格比其它种类具有压...

MRO茗熔熔断器底座 NT3座 RT16-3座 690V 630A 方管刀形 保险管座 快速熔断器发生熔断后两端出现的故障电路及外加交流电压应该较快速熔断器的额定电压稍微低一些。若出现逆变型负载以及导体设备的负荷是有源逆变器这两种情况时，应考虑是否是半导体器件失控等引|起设备直流侧短路。2...

在恢复电流快速衰减时，由于外电路电感的作用，会在晶闸管两端引起反向的尖峰电压U。从正向电流降为零，到反向恢复电流衰减至接近于零的时间，就是晶闸管的反向阻断恢复时间t。[1]反向恢复过程结束后，由于载流子复合过程比较慢，晶闸管要恢复其对反向电压的阻断能力还需要一段时间，这叫做反向阻断恢复时间tgr。在...

同一代技术中通态损耗与开关损耗两者相互矛盾,互为消长。IGBT模块按封装工艺来看主要可分为焊接式与压接式两类。高压IGBT模块一般以标准焊接式封装为主，中低压IGBT模块则出现了很多新技术，如烧结取代焊接，压力接触取代引线键合的压接式封装工艺。随着IGBT芯片技术的不断发展，芯片的高工作结温与功率密...

所以包装时将g极和e极之间要有导电泡沫塑料，将它短接。装配时切不可用手指直接接触，直到g极管脚进行长久性连接。b、主电路用螺丝拧紧，控制极g要用插件，尽可能不用焊接方式。c、装卸时应采用接地工作台，接地地面，接地腕带等防静电措施。d、仪器测量时，将1000电阻与g极串联。e、要在无电源时进行安装。f...

富士电机研发制造电力电子功率半导体IGBT/IPM，为太阳能发电，风力发电，智能电网，工业自动化变频伺服，铁路机车，电动汽车等提供功率器件，为高效化和节能做贡献。富士提供大功率IGBT模块和双极性产品，生产高性能和可靠的设备，目前已在全球60多个国家投入使用。我们的IGBT模块包含一代IGBT芯片的...

熔断器还有什么过载保护功能？不就是变压器的短路保护功能了。可是熔断器一直都认为是给变压器作过载和短路保护用，其实过载根本就谈不上啊！问题2：熔断器的电流/时间曲线中的弧前时间是指什么？是不是指熔断器断开前的时间？问题3：，发现熔断器的电流/时间曲线中也是大约在接近2A的时候，才断开，这样对PT还有什...

美国通用电气公司研发了世界上***个以硅单晶为半导体整流材料的硅整流器（SR），1957年又开发了全球较早用于功率转换和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它们具有体积小、重量轻、效率高、寿命长的优势，尤其是SCR能以微小的电流控制较大的功率，令半导体电力电子器件成功从弱电控制领域进入了强电控制领域、...

富士IGBT智能模块的应用电路设计富士的IGBT-IPM模块有很多不同的系列每一系列的主电源电压范围各有不同，在设计时一定要考虑其应用的电压范围。600V系列主电源电压和制动动作电压都应该在400V以下，1200v系列则要在800V以下。开关时的大浪涌电压为：600V系列应在500V以下，1200V...

家用电器中的调光灯、调速风扇、冷暖空调器、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、声控电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、以及玩具装置、电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等工业控制领域等都大量使用了可控硅器件。在这些技术应用系统电路中，可控硅元件可以多用来作可控整流、逆变、变...

芯子)、底座及微动开关等部分组成。有明显的熔断指示，其余皆与RL6系列熔断器相同。型号含义：3．RTl8、RTl8-口X系列熔断器本系列熔断器适用于交流50Hz、电压至380V、电流至63A的线路中作为过载和短路保护用。RTl8—口X系列还具有断相自动显示报警功能。本系列熔断器可替代RL系列螺旋式熔...

**后合上中间相。(4)操作熔管是一项频繁的项目，注意不到便会造成触头烧伤引起接触不良，使触头过热，弹簧退火，促使触头接触更为不良，形成恶性循环。所以，拉、合熔管时要用力适度，合好后，要仔细检查鸭嘴舌头能紧紧扣住舌头长度三分之二以上，可用拉闸杆钩住上鸭嘴向下压几下，再轻轻试拉，检查是否合好。合闸时未...

富士电机研发制造电力电子功率半导体IGBT/IPM，为太阳能发电，风力发电，智能电网，工业自动化变频伺服，铁路机车，电动汽车等提供功率器件，为高效化和节能做贡献。富士提供大功率IGBT模块和双极性产品，生产高性能和可靠的设备，目前已在全球60多个国家投入使用。我们的IGBT模块包含一代IGBT芯片的...

晶闸管等元件通过整流来实现。除此之外整流器件还有很多，如：可关断晶闸管GTO，逆导晶闸管，双向晶闸管，整流模块，功率模块IGBT，SIT，MOSFET等等，这里只探讨晶闸管。晶闸管又名可控硅，通常人们都叫可控硅。是一种功率半导体器件，由于它效率高，控制特性好，寿命长，体积小等优点，自上个世纪六十长代...

按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。 （1）可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成。 （2）可控硅由关断转为...

IGBT裸片是硅基的绝缘栅双极晶体管芯片。裸片和晶圆级别的芯片可帮助模块制造商提高产品集成度和功率密度，并有效节约电路板空间。另外，英飞凌还提供完善的塑封IGBT系列：IGBT单管。该系列芯片包括单片IGBT，以及和续流二极管集成封装的产品，广泛应用于通用逆变器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、...

金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用陶瓷封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或金属封装。晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和快速晶闸管，快速晶闸管包括所...

igbt中频电炉是什么意思?一、中频电炉是一种将工频50HZ交流电转变为中频（300HZ以上至10000HZ）的电源装置，由变频装置、炉体、炉前控制等几部份组成。二、优势：1．控制电路板由计算机优化设计，大规模集成电路优化组合，装置性能稳定，质量可靠、抗干扰性强；2．元件布局协调合理、维修方...

根据IGBT的驱动以及逆变电路的要求，模块内部的IGBT控制电源必须是上桥臂3组，下桥臂1组，总计4组单独的15V直流电源。图1中给出了几种典型光电耦合器驱动电路，其中三极管与光电耦合器并联型电路对光电耦合器特别有利。对控制输入的光电耦合器规格的要求是：CMH与CML相等且太于15kV/μs或10k...

快速熔断器快速熔断器的灭弧原理快速熔断器的熔体是由纯银制成的，由于纯银的电阻率低、延展性好、化学稳定性好，因此快速熔断器的熔体可做成薄片，且具有圆孔狭颈结构。发生短路故障时，狭颈处电流密度大，故狭颈处首先熔断，并被石英砂分隔成许多小段。这样，由于熔体熔断而形成的电弧就被石英砂分隔成许多小段，电弧电流...

他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。主要用途/晶闸管编辑普通晶闸管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁...

否则将遭至彻底损坏。当晶闸管中流过大于额定值的电流时，热量来不及散发，使得结温迅速升高，终将导致结层被烧坏。产生过电流的原因是多种多样的，例如，变流装置本身晶闸管损坏，触发电路发生故障，控制系统发生故障等，以及交流电源电压过高、过低或缺相，负载过载或短路，相邻设备故障影响等。常用的晶闸管过电流保护方...

α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。晶闸管晶体闸流管（英语：Thyristor），简称晶闸管，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。**早出现与主要的一种是硅控整流器（SiliconCo...

将电容器的两个引脚直接插入Cx插孔即可开始测量。如果有极性的电容要注意正负极。然后，我们可根据数字万用表显示的电容容量来判断电容器是否损坏。如果测量容量低于标称容量，则电容器已经损坏。3、万用表电阻档测量一般情况下，万用表电阻档小于10K档位，其输出的电压1.5V，万用表电阻档大于10K档位，其输出...

电解电容的作用为滤波作用和耦合作用。滤波作用指的是对电源线中特定频率的频点或该频点以外的频率进行有效滤除，使整流后的脉动直流电压成为相对比较安稳的直流电压。电解电容的耦合作用允许交流信号通过并传输到下一级电路。 电解电容是电容的一种，金属箔为正极(铝或钽)，与正极紧贴金属的氧化膜(氧化铝...