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  • 12 12
    广东高频晶体振荡器供应商家

    TXC晶技针对汽车电子领域推出的晶体振荡器,通过了国际公认的AEC-Q200被动元件可靠性认证,同时在设计上充分考虑了汽车环境的严苛要求,确保在高温、高湿度、剧烈振动等恶劣条件下的稳定运行。AEC-Q200认证是汽车电子元件领域的重要标准,涵盖了温度循环(-55℃至+125℃,1000次循环)、高温存储(+150℃,1000小时)、低温存... 【查看详情】

  • 12 12
    广东插件晶体振荡器负载

    在抗电磁干扰设计方面,工业级晶体振荡器采用了多重防护措施:在封装上,采用金属屏蔽壳(如镍合金屏蔽壳),能够有效阻挡外部电磁辐射对内部振荡电路的干扰;在内部电路设计上,通过优化接地布局、增加滤波电容与电感,减少电源噪声与外部电磁噪声对振荡频率的影响;在PCB板设计上,采用差分走线与阻抗匹配技术,降低信号传输过程中的电磁辐射与接收干扰。这些设... 【查看详情】

  • 12 12
    JCAK-25V-68uF-K-4

    GCA钽电容通过了超“七专”标准测试,在**雷达系统等严苛**应用场景中展现出突出的可靠性,成为**电子设备的主要元件之一。“七专”标准是**电子元件的严格质量控制标准,涵盖了元件的设计、生产、测试、筛选等多个环节,而GCA钽电容通过的超“七专”标准测试,在原有标准基础上进一步提高了测试要求,如更严苛的温度循环测试、振动冲击测试、寿命测试... 【查看详情】

  • 11 12
    CAK37-63V-6000uF-K-S5

    KEMET钽电容在通讯设备中展现出优良性能,通过保障信号纯净度,为稳定通讯提供坚实支撑。通讯设备需要处理大量高频信号,信号传输过程中的衰减、干扰会直接影响通讯质量。KEMET钽电容凭借低损耗、高稳定性的电气特性,在通讯设备的射频电路、信号处理模块中发挥关键作用。在信号放大电路中,其稳定的电容值确保了放大倍数的一致性;在滤波电路中,其低ES... 【查看详情】

  • 11 12
    CAK36F-25V-72000uF-K-C8

    钽电容的低漏电流特性源于其独特的介质材料——五氧化二钽(Ta₂O₅),这种氧化物薄膜具有极高的绝缘强度,击穿场强可达600V/μm以上,远高于直插电解电容采用的氧化铝介质(约200V/μm)。优异的绝缘性能使得钽电容的漏电流大幅降低,以10μF/16V规格为例,钽电容的漏电流通常小于1μA,而同容量直插电解电容的漏电流多在10μA-20μ... 【查看详情】

  • 11 12
    CAK36F-16V-180000uF-K-S11

    KEMET钽电容T541系列获得DLA04052认证,DLA认证是电子元件进入供应链的主要资质,要求元件通过严格的质量管控(如批次一致性测试、可靠性抽样测试),且需建立完整的可追溯体系(从原材料到成品的全流程记录)。T541系列的ESR(典型值28mΩ)使其成为快速开关电源的理想选择——快速开关电源的工作频率通常>2MHz,开关速度快,对... 【查看详情】

  • 10 12
    CAK351-100V-150uF-K-7

    AVX钽电容具备独特的自愈特性,其原理是:当电容内部因局部电场集中出现微小击穿时,聚合物电解质会在击穿点发生碳化,形成绝缘层,阻断电流通路,防止故障扩大——这一过程无需外部干预,可在微秒级内完成,相比传统电容“击穿即失效”的特性,大幅提升可靠性。同时,其抗浪涌能力达额定电压的1.3倍,可承受瞬时过电压冲击(如电路开关过程中的电压尖峰),避... 【查看详情】

  • 10 12
    CAK45A-D-25V-4.7uF-K

    钽电容的阴极材料是决定其高频性能的关键因素,主要分为二氧化锰(MnO₂)型和导电聚合物型两大类。MnO₂型钽电容采用热分解MnO₂作为阴极,工艺成熟、成本较低,但MnO₂的电阻率较高(约0.1Ω・cm),在高频段(如1MHz以上)易产生较大的等效串联电阻(ESR),导致纹波抑制能力下降;而导电聚合物型钽电容采用聚噻吩、聚苯胺等导电聚合物作... 【查看详情】

  • 10 12
    CAK45-A-35V-0.47uF-K

    GCA411C钽电容的主要规格为25V(额定电压)-33μF(容量)-K(容值偏差±10%),这一参数组合精细适配工业控制、户外电子设备的电源滤波与储能需求——25V额定电压可满足多数工业设备的12V/24V电源系统,33μF容量能提供充足的瞬时储能,应对负载电流突变,而±10%的容值偏差可确保电路参数的一致性。其明显的优势在于金属气密封... 【查看详情】

  • 10 12
    THCL-80V-400uF-K-C03

    钽电容的低漏电流特性源于其独特的介质材料——五氧化二钽(Ta₂O₅),这种氧化物薄膜具有极高的绝缘强度,击穿场强可达600V/μm以上,远高于直插电解电容采用的氧化铝介质(约200V/μm)。优异的绝缘性能使得钽电容的漏电流大幅降低,以10μF/16V规格为例,钽电容的漏电流通常小于1μA,而同容量直插电解电容的漏电流多在10μA-20μ... 【查看详情】

  • 09 12
    CAK31-6.3V-330uF-K-T3

    KEMET钽电容采用导电聚合物电解质(如聚吡咯),从根源上解决了传统二氧化锰(MnO₂)钽电容的泄漏风险——MnO₂电解质为粉末状,需通过有机黏合剂固定,长期使用中易因振动、温度循环出现缝隙,导致电解液泄漏,引发电路短路;而聚合物电解质为固态薄膜,通过原位聚合工艺紧密附着于电极表面,无流动性,且与电极的结合强度提升60%以上,即使在汽车行... 【查看详情】

  • 09 12
    GCA-1-6V-33uF-K-B

    AVX钽电容具备强大的恶劣环境适应能力,在高温、低温、高冲击等极端条件下仍能照常稳定工作。在工业现场、户外设备等应用场景中,电子元器件常面临-40℃的低温启动、85℃以上的高温运行,以及运输或工作过程中的振动冲击等挑战。AVX钽电容通过特殊的材料处理与结构强化设计,提升了产品的环境耐受性。其介质材料经过高温老化处理,确保在宽温范围内的稳定... 【查看详情】

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