DS3056B集成了USBType-C接口、PDPHY以及协议层解析功能，支持快充适配器插拔自动检测和快充协议的智能识别，支持PD、QC、BC1.2DCP快充协议。充电时，上限充电效率为98%。集成了高效的锂电池充电管理模块，根据输入电源电压和电池电压自动匹配较佳的充电方式。涓流充电：电池电压＜涓流截止电压时，执行涓流充电。恒流充电：当涓...

  主要参数：针对磷酸铁锂电芯，充电电压3.6V，充电电流可达900mA，耐压30V，OVP=6.8V，采用ESOP8封装。 概述 XC3098VYP是一款完整的恒流恒压线性充电芯片。 r f 或单节锂离子电池。其 ESOP 8 封装和低外部元件数量使 XC3098VYP 非常适合便携式应用。此外，XC3098VYP 专门设计用于在 USB ...

  磷酸铁锂电池的使用，一些产品对电池容量的需求不断提升，就需要串联多个锂电池，从而导致电池的总电压升高，于是就催生出了锂电池充电管理芯片。为了防止锂电池在过充电、过放电、过电流等异常状态影响电池寿命，通常要通过锂电池保护装置来防止异常状态对电池的损坏。 磷酸铁锂电池充电管理芯片介绍 磷酸铁锂电池特性较为活泼，对电压电流要求较高，所以需要锂电...

  型号：XA2320B关键字：无电感升压2节AA电池升压为3.3V白光LED驱动器印字：N1IF功能概述：该XA2320B是一款低噪声，恒定频率（1.2MHz的）开关电容电压倍增器。它产生一个稳定的输出电压从一个1.8V至5V的输入高达150mA的输出电流。低外部元件数（一个飞电容器和两个小型旁路在VIN和VOUT）电容使XA2320B非常...

  XA9107 是一款 1.0uA 电源电流和快速响应低压差稳压器，专为需要低静态电流、低压差电压和高电源纹波抑制的应用而设计。保证提供300mA的输出电流，并支持预设输出电压版本范围包括1.1V、1.2V、1.3V、1.5V、1.7V、1.8V、1.9V、2.0V、2.3V、2.5V、2.6V、2.7电压、2.8V、2.9V、3.0V、3...

  DS3056B支持电池串数的选择功能、电池充满电压的选择功能、充电功率的选择功能。变更连接在CNSEL管脚的下拉电阻R14的阻值，可以配置应用方案为2-6串电池的充电管理（NC-2串、620K-串、180K-串、100K-串、39K-串）。变更连接在BFSEL管脚的下拉电阻R13的阻值，可以匹配不同规格的电池、即选择电池的充满电压（NC-...

  DS5036B集成的KEY管脚内置上拉电阻，用于检测按键的输入，支持按键单击、双击和长按键功能。小于30ms的按键动作不会有任何响应，无效操作。按键持续时间长于100ms，但小于2s，即为短按动作。短按键会打开电量显示灯或数码管显示电量和升压输出。按键持续时间长于3s，即为长按动作。长按会开启或者关闭小电流输出模式。在1s内连续两次短按键...

  CN3130是可以用太阳能板供电的可充电纽扣电池充电管理芯片。该器件内部包括功率晶体管，应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。内部的充电电流自适应模块能够根据输入电源的电流输出能力自动调整充电电流，用户不需要考虑坏情况，利用输入电源的电流输出能力，非常适合利用太阳能板等电流输出能力有限的电源供电的应用。CN3130只需要极少的外置元...

  智浦芯联创建于苏州市工业园区内，企业主要从事模拟及数模混合集成电路设计，总部现已迁移至南京。深圳设立销售服务支持中心，宁波、中山、厦门设立办事处。公司具有国内的研发实力，南京、成都均设有研发中心，并与东南大学ASIC中心成为协作单位，在国内创先开发成功并量产了多款国家/省部级科技奖励和国家重点新产品认定产品，特别在高低压集成半导体技术方面...

  XA6206丝印：54IK65X254JAXD2854HH54FK5BGJ5BHJ5BFE5BJC65T25BJF5AGJ65K565E9APJA65Z5662K662259FH59JH59I659GC6206AAAB66S652S65165EG65T365X865X265ZD6621662G低压差线性稳压器是新一代的集成电路稳压器，它与...

  DS5036B集成高压输出的同步开关转换器系统，支持3V~12V宽电压范围输出。DS5036B内置软启动功能，防止在启动时冲击电流过大引起故障。DS5036B集成输出过流、短路、过压、过温等保护功能，确保系统稳定可靠的工作。USBC1口或者USBC2插入充电电源，可直接启动充电。如果USB-C上插入USB-CUFP设备或者USB-A上插入...

  XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压，并且可使用可外扩MOS型，使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率：87%l低纹波，低噪声。丝印：E30H E30A E30B E33H ...