半导体三极管英文缩写：Q/T；半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。按材料来分可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示...

IC(IntergeratedCircuit)积体电是将晶体管、电阻、电容、二级管等电子组件整合装至一芯片（Chip）上，由于集成电路的体积极小。使电子运动的距离大幅度缩小，因此速度极快且可靠性高，集成电路的种类一般以内含晶体管等电子组件的数量来分类。SSI(小型集成电路)，晶体管数10-100；MSI(中型集成电路)，晶体管数100-1，000；LSI（大规模集成电路），晶体管数1，000-10，0000；VLSI（超大规模集成电路），晶体管数100，000；了解更多，欢迎来电咨询。交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极。国巨电子元件苏州有限公司VerilogHDL跟传统的程序设...

电容器的含义:衡量导体储存电荷能力的物理量.电容器的英文缩写:C(capacitor)；电容器常见的单位:毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）；电容器的单位换算:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法;;1pf=10-3nf=10-6uf=10-9mf=10-12f;电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等；电容器的特性:电容器容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关；电容的特性主要是隔直流通交流,通低频阻高频。怎么判别半导体三极管的c极和e极？LM74700QDBVRQ1电容器在...

电容器的含义:衡量导体储存电荷能力的物理量.电容器的英文缩写:C(capacitor)；电容器常见的单位:毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）；电容器的单位换算:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法;;1pf=10-3nf=10-6uf=10-9mf=10-12f;电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等；电容器的特性:电容器容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关；电容的特性主要是隔直流通交流,通低频阻高频。IC制造商（IDM）自行设计，由自己的生产线加工、封装，测试后的成品芯...

对PNP管，要将黑表笔接假设的e极（手不要碰到笔尖或管脚），红表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，然后用舌尖舔一下b极，如果各表笔接得正确，表头指针会偏转得比较大。当然测量时表笔要交换一下测两次，比较读数后才能判定。这个方法适用于所有外形的三极管，方便实用。根据表针的偏转幅度，还可以估计出管子的放大能力，当然这是凭经验的。深圳市艾维半导体科技有限公司，2018年在深圳华强北上步工业区正式成立，目前稳定经营5年，为了扩大业务量，是电子元件混合型分销商，公司在中国香港、深圳等地设有仓库和客户服务办事处，艾维代理分销各类主被动元件。电子元器件分类有哪些?电子元器件平台半导体三极管的主要...

我们通常所说的"芯片"是指集成电路，它是微电子技术的主要产品。微电子技术涉及的行业很多，包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等，其中又以集成电路技术为关键，包括集成电路的设计、制造。IC设计是将系统、逻辑与性能的设计要求转化为具体的物理版图的过程，也是一个把产品从抽象的过程一步步具体化、直至物理实现的过程。为了完成这一过程，人们研究出了层次化和结构化的设计方法：层次化的设计方法能使复杂的系统简化，并能在不同的设计层次及时发现错误并加以纠正；结构化的设计方法是把复杂抽象的系统划分成一些可操作的模块，允许多个设计者同时设计，而且某些子模块的资源可以共享。电容的分类:根据极性可分为有极...

目前，集成电路产品有以下几种设计、生产、销售模式：1．IC制造商（IDM）自行设计，由自己的生产线加工、封装，测试后的成品芯片自行销售。2．IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式。设计公司将所设计芯片的物理版图交给Foundry加工制造，同样，封装测试也委托专业厂家完成，成品芯片作为IC设计公司的产品而自行销售。打个比方，Fabless相当于作者和出版商，而Foundry相当于印刷厂，起到产业"头儿"作用的应该是前者。常用的电子元器件有哪些？电子元器件丝印查询半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为0.6－0.8V；锗管的...

半导体三极管的分类：a;按频率分：高频管和低频管；b;按功率分：小功率管，中间功率管和的功率管；c;按机构分：PNP管和NPN管；d;按材质分：硅管和锗管；e;按功能分：开关管和放大；半导体三极管特性：三极管具有放大功能（三极管是电流控制型器件－通过基极电流或是发射极电流去控制集电极电流；又由于其多子和少子都可导电称为双极型元件）；三极管各区的工作条件：1．放大区：发射结正偏，集电结反偏：2．饱和区：发射结正偏，集电结正偏；截止区：发射结反偏，集电结反偏。半导体三极管按材质分：硅管和锗管。电子元器件哪里可以买到现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e？三极管...

世界集成电路产业结构的变化及其发展历程：自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃，创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业集成电路产业。回顾集成电路的发展历程，我们可以看到，自发明集成电路至今40多年以来，"从电路集成到系统集成"这句话是对IC产品从小规模集成电路（SSI）到现在特大规模集成电路（ULSI）发展过程的比较好总结，即整个集成电路产品的发展经历了从传统的板上系统（System-on-board）到片上...

半导体三极管英文缩写：Q/T；半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。按材料来分可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。IC设计公司（Fabless）与标准工艺...

IC的分类：IC按功能可分为：数字IC、模拟IC、微波IC及其他IC，其中，数字IC是近年来应用较广、发展较快的IC品种。数字IC就是传递、加工、处理数字信号的IC，可分为通用数字IC和专门的数字IC。通用IC：是指那些用户多、使用领域普遍、标准型的电路，如存储器（DRAM）、微处理器（MPU）及微控制器（MCU）等，反映了数字IC的现状和水平。专门的IC（ASIC）：是指为特定的用户、某种专门或特别的用途而设计的电路。了解更多相关资讯，欢迎来电咨询。电容器的好坏测量怎么做呢？电子元器件原装用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表).a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位.b;判别...

晶振在线路中的符号是＂X”,＂Y”；晶振的名词解释:能产生具有一定幅度及频率波形的振荡器.晶振的测量方法:测量电阻方法:用万用表RX10K档测量石英晶体振荡器的正,反向电阻值.正常时应为无穷大.若测得石英晶体振荡器有一定的阻值或为零,则说明该石英晶体振荡器已漏电或击穿损坏.动态测量方法:用是波器在电路工作时测量它的实际振荡频是否符合该晶体的额定振荡频率,如果是,说明该晶振是正常的,如果该晶体的额定振荡频率偏低,偏高或根本不起振,表明该晶振已漏电或击穿损坏微处理器核，包括MPU、MCU、DSP核。欧时电子元器件官网IP应用分类：IP核的应用主要分为以下几类：微处理器核，包括MPU、MCU、DSP...

线路上通电状态时检测,若怀疑电解电容只在通电状态下才存在击穿故障，可以给电路通电，然后用万用表直流挡测量该电容器两端的直流电压，如果电压很低或为０Ｖ，则是该电容器已击穿。对于电解电容的正、负极标志不清楚的，必须先判别出它的正、负极。对换万用表笔测两次，以漏电大（电阻值小）的一次为准，黑表笔所接一脚为负极，另一脚为正极。中文名称：集成电路英文名称：integratedcircuit定义：将一个电路的大量元器件集中于一个单晶片上所制成的器件。集成电路（integratedcircuit）是一种微型电子器件或部件。半导体二极管按材质分：硅二极管和锗二极管.华强北电子元器件网对PNP管，要将黑表笔接假...

电感器的英文缩写：L(Inductance)；电感器的国际标准单位是:H(亨利),mH(毫亨),uH（微亨）,nH（纳亨）；电感器的单位换算是:1H=103mH＝106uH＝109nH；1nH＝10-3uH=10-6mH=10-9H；电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。.电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电...

VerilogHDL跟传统的程序设计语言不同，在于它的程序叙述并非严格地线性(循序)执行。Verilog模式包含不同模组(modules)的阶层关系。模组(modules)是输出(inputs)和输入(outputs)所定义出来的一个集中。在每个模组中，有一串的电线(wires)、暂存器(registers)和子模组(submodules)的定义。并且在每个模组里面，语言叙述大部分都被群组成为各种的执行区块(blocks)，用来定义该模组所产生的行为描述。在每个区块(blocks)内，使用begin和end的关键字来区隔开来，其中的叙述是循序被执行。但是同一个设计，不同的区块间的执行是平行的。...

TTL逻辑门电路：以双极型半导体管为基本元件，集成在一块硅片上，并具有一定的逻辑功能的电路称为双极型逻辑集成电路，简称TTL逻辑门电路。称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。较早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。半导体三极管按机构分：...

电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。电阻器的在电路中的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,未标偏差值的即为±20%.b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中,从左至右一,二位数表示有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表示(R表示0.)如：472表示47×102Ω（即4.7KΩ）；104则表示100KΩ、;R22表示0.22Ω、122=1200Ω=1.2KΩ、1402=14000Ω=14KΩ、R22=0.22Ω、50C=324*100=32.4K...

半导体三极管的主要参数：a;电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，这就是三极管的电流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。c;极限参数：反向击穿电压，集电极比较大允许电流、集电极比较大允许功率损耗。深圳市艾维半导体科技有限公司，2018年在深圳华强北上步工业区正式成立，目前稳定经营5年，为了扩大业务量，是电子元件混合型分销商，公司在中国香港、深圳等地设有仓库和客户服务办事处， 艾维代理分销各类主被动元件。IC制造商（IDM）自行设计，由...

电感器的英文缩写：L(Inductance)；电感器的国际标准单位是:H(亨利),mH(毫亨),uH（微亨）,nH（纳亨）；电感器的单位换算是:1H=103mH＝106uH＝109nH；1nH＝10-3uH=10-6mH=10-9H；电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。.电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电...

晶圆：多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是比较常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大的规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就多，可降低成本，但要求材料技术和生产技术更高。IC封装：指把硅片上的电路管脚用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。半导体三极管按功能分：开关管和放大。电子器件 电子元件FPGA...

有远见的整机厂商和创业者包括风险投资基金（VC）看到ASIC的市场和发展前景，纷纷开始成立专业设计公司和IC设计部门，一种无生产线的集成电路设计公司（Fabless）或设计部门纷纷建立起来并得到迅速的发展。同时也带动了标准工艺加工线（Foundry）的崛起。全球较早Foundry工厂是1987年成立的中国台湾积体电路公司，它的创始人张忠谋也被誉为"晶芯片加工之父"。第三次变革："四业分离"的IC产业90年代，随着INTERNET的兴起，IC产业跨入以竞争为导向的高级阶段，国际竞争由原来的资源竞争、价格竞争转向人才知识竞争、密集资本竞争。微处理器核，包括MPU、MCU、DSP核。电子原器件电容器...

变革："四业分离"的IC产业90年代，随着INTERNET的兴起，IC产业跨入以竞争为导向的高级阶段，国际竞争由原来的资源竞争、价格竞争转向人才知识竞争、密集资本竞争。以DRAM为中心来扩大设备投资的竞争方式已成为过去。如1990年，美国以Intel为意味，为抗争日本跃居世界半导体榜首之威胁，主动放弃DRAM市场，大搞CPU，对半导体工业作了重大结构调整，又重新夺回了世界半导体霸主地位。这使人们认识到，越来越庞大的集成电路产业体系并不有利于整个IC产业发展，"分"才能精，"整合"才成优势。于是，IC产业结构向高度专业化转化成为一种趋势，开始形成了设计业、制造业、封装业、测试业单独成行的局面（如...

回顾集成电路的发展历程产业结构的三次变革：一次变革：以加工制造为主导的IC产业发展的初级阶段。70年代，集成电路的主流产品是微处理器、存储器以及标准通用逻辑电路。这一时期IC制造商（IDM）在IC市场中充当主要角色，IC设计只作为附属部门而存在。这时的IC设计和半导体工艺密切相关。IC设计主要以人工为主，CAD系统只作为数据处理和图形编程之用。IC产业只处在以生产为导向的初级阶段。第二次变革：Foundry公司与IC设计公司的崛起。80年代，集成电路的主流产品为微处理器（MPU）、微控制器（MCU）及专门的IC（ASIC）。这时，无生产线的IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Fou...

世界集成电路产业结构的变化及其发展历程：自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃，创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业集成电路产业。回顾集成电路的发展历程，我们可以看到，自发明集成电路至今40多年以来，"从电路集成到系统集成"这句话是对IC产品从小规模集成电路（SSI）到现在特大规模集成电路（ULSI）发展过程的比较好总结，即整个集成电路产品的发展经历了从传统的板上系统（System-on-board）到片上...

稳压二极管的基本知识：a、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。b、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。c、常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：型号：1N4728、1N4729、1N4730、1N4732、1N4733、1N4734、1N4735、1N4744、1N4750、1N4751、1N4761；稳压值3.3V、3...

电感器的英文缩写：L (Inductance)；电感器的国际标准单位是: H(亨利),mH(毫亨),uH（微亨）,nH（纳亨）；电感器的单位换算是: 1H=103m H＝106u H＝109n H；1n H＝10-3u H=10-6m H=10 -9H；电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。.电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻...

电感的好坏测量:电感的质量检测包括外观和阻值测量.首先检测电感的外表有无完好,磁性有无缺损,裂缝,金属部分有无腐蚀氧化,标志有无完整清晰,接线有无断裂和拆伤等.用万用表对电感作初步检测,测线圈的直流电阻,并与原已知的正常电阻值进行比较.如果检测值比正常值明显增大,或指针不动,可能是电感器本体断路.若比正常值小许多,可判断电感器本体严重短路,线圈的局部短路需用专门的仪器进行检测.电感器的分类:空芯电感和磁芯电感.磁芯电感又可称为铁芯电感和铜芯电感等.主机板中常见的是铜芯绕线电感.怎么判别半导体三极管基极？储存IC芯片价格对比对PNP管，要将黑表笔接假设的e极（手不要碰到笔尖或管脚），红表笔接假设...

电容器的好坏测量：脱离线路时检测——采用万用表Ｒ×１ｋ挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残余的电荷.当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转，表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，比较好应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。半导体二极管按材质分：硅二极管和锗二极管.半导体电力电子器件电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。 电阻器的在电路中的参数标注方法有3种，即直...

FPGA(Field Programmable Gate Array ) 现场可编程门阵列，它是PAL、GAL、EPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。 它是作为专门的集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。FPGA采用了逻辑单元阵列LCA(Logic Cell Array)这样一个新概念，内部包括可配置逻辑模块CLB( Configurable Logiic Block)、输入输出模块IOB(Input Output Block)和内部连线（Interconnect）三个部分。电容器的好坏测量怎么做呢？北京电...

场效应管与晶体管的比较：（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管ASIC是指为特定的用户、某种专门或特别的用途而设计的电路。成都 元器件电子T...