目前，集成电路产品有以下几种设计、生产、销售模式：1．IC制造商（IDM）自行设计，由自己的生产线加工、封装，测试后的成品芯片自行销售。2．IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式。设计公司将所设计芯片的物理版图交给Foundry加工制造，同样，封装测试也委托专业厂家完成，成品芯片作为IC设计公司的产品... 【查看详情】

随着微处理器和PC机的广泛应用和普及（特别是在通信、工业控制、消费电子等领域），IC产业已开始进入以客户为导向的阶段。一方面标准化功能的IC已难以满足整机客户对系统成本、可靠性等要求，同时整机客户则要求不断增加IC的集成度，提高保密性，减小芯片面积使系统的体积缩小，降低成本，提高产品的性能价格比，从而增强产品的竞争力，得到更多的市场份额和... 【查看详情】

VHDL是 Very High Speed Integrated Circuit Hardware DescriptionLanguage的英文缩写。期中Very High Speed Integrated Circuit 又简称为VHSIC，为非常高速集成电路的意思。VHDL电路设计语言规范的目的，即是要提供一个高阶且快速的设计工具，他... 【查看详情】

我们通常所说的"芯片"是指集成电路，它是微电子技术的主要产品。微电子技术涉及的行业很多，包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等，其中又以集成电路技术为关键，包括集成电路的设计、制造。IC设计是将系统、逻辑与性能的设计要求转化为具体的物理版图的过程， 也是一个把产品从抽象的过程一步步具体化、直至物理实现的过程。为了完成这一过程... 【查看详情】

特别是96、97、98年持续三年的DRAM的跌价、MPU的下滑，世界半导体工业的增长速度已远达不到从前17％的增长值，若再依靠高投入提升技术，追求大尺寸硅片、追求微细加工，从大生产中来降低成本，推动其增长，将难以为继。而IC设计企业更接近市场和了解市场，通过创新开发出高附加值的产品，直接推动着电子系统的更新换代；同时，在创新中获取利润，在... 【查看详情】

先判定管子的NPN或PNP类型及其b极后，将表置于R×10kΩ档，对NPN管，黑表笔接e极，红表笔接c极时，表针可能会有一定偏转，对PNP管，黑表笔接c极，红表笔接e极时，表针可能会有一定的偏转，反过来都不会有偏转。由此也可以判定三极管的c、e极。不过对于高耐压的管子，这个方法就不适用了。对于常见的进口型号的大功率塑封管，其c极基本都是在... 【查看详情】

集成电路常用的检测方法有在线测量法、非在线测量法和代换法。1．非在线测量非在线测量潮在集成电路未焊入电路时，通过测量其各引脚之间的直流电阻值与已知正常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进行对比，以确定其是否正常。2．在线测量在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等，通过在电路上测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值是否正... 【查看详情】

随着微处理器和PC机的广泛应用和普及（特别是在通信、工业控制、消费电子等领域），IC产业已开始进入以客户为导向的阶段。一方面标准化功能的IC已难以满足整机客户对系统成本、可靠性等要求，同时整机客户则要求不断增加IC的集成度，提高保密性，减小芯片面积使系统的体积缩小，降低成本，提高产品的性能价格比，从而增强产品的竞争力，得到更多的市场份额和... 【查看详情】

电阻器好坏的检测:a、用指针万用表判定电阻的好坏:首先选择测量档位,再将倍率档旋钮置于适当的档位,一般100欧姆以下电阻器可选RX1档,100欧姆-1K欧姆的电阻器可选RX10档,1K欧姆-10K欧姆电阻器可选RX100档,10K-100K欧姆的电阻器可选RX1K档,100K欧姆以上的电阻器可选RX10K档.b、测量档位选择确定后,对万用... 【查看详情】

IP应用分类：IP核的应用主要分为以下几类：微处理器核，包括MPU、MCU、DSP核；存储器（MEMORY）核，包括RAM，ROM，EEPROM，FLASH和FERAM等；数字/模拟混合信号电路，包括A/D，D/A变换器等；射频（RF）模块；接口电路；各种专门的算法模块，如信息安全的各种算法模块，通信和多媒体应用的专门的算法模块等；智能电... 【查看详情】

半导体三极管的好坏检测：a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:将黑表笔接基极... 【查看详情】

变革："四业分离"的IC产业90年代，随着INTERNET的兴起，IC产业跨入以竞争为导向的高级阶段，国际竞争由原来的资源竞争、价格竞争转向人才知识竞争、密集资本竞争。以DRAM为中心来扩大设备投资的竞争方式已成为过去。如1990年，美国以Intel为意味，为抗争日本跃居世界半导体榜首之威胁，主动放弃DRAM市场，大搞CPU，对半导体工业... 【查看详情】