从名字表面的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里 “metal”的 个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用...

  防雷元器件中的陶瓷气体放电管的选用原则：作为瞬变干扰抑制保护器件，气体放电管选型同样要保证接入电路可以对浪涌电压进行箝位，又要保证不能影响电路正常工作过程。综合来讲有几个点：1）受保护电子设备的正常工作电压要保证低于气体放电管的直流击穿电压较小值，且有一定余量。2）气体放电管的吸收能力强，但是吸收速度很低（0.1~0.3μs），适合作为第...

  什么是防雷过压器件玻璃气体放电管？玻璃气体放电管，国外有叫“Surge Absorber”、“突破吸收器”“放电管”等，由封装在充满惰性气体的玻璃管中相隔一定距离的两个电极组成，玻璃放电管是一种抑制异常高压脉冲、保护低压电路免受瞬间高压（如：雷电、电网高压噪波、高压静电等）破坏的一种过压保护器件。它是利用微隙放电的原理，并利用半导体芯片的...

  压敏电阻可用于仪器设备的电源入口处进行防雷、防浪涌设计，在此类用途中，通常将压敏电阻与气体放电管、熔断器、热敏电阻等器件一起作用，相互结合来更好的发挥作用。压敏电阻具有较大的寄生电容，因此会产生客观的泄露电流，将压敏电阻与放电管串联之后，气体放电管可以像一个开关一样，将压敏电阻与系统隔开，使压敏电阻几乎无泄漏电流。防雷压敏电阻对瞬态过电压...

  ESD 保护器件选型要注意：钳位电压 VC：应小于被保护电路至大可承受的瞬态安全电压，VC 与 ESD的击穿电压及 IPP 都成正比。漏电流 IR：在通信线路及低功耗电路中，要特别关注 IR这个参数，IR越小ESD性能越好。结电容 C j：ESD 一般用于各类通信端口静电防护，在一些高速数据线路，如 USB3.0、HDMI等接口， 应选择...

  MOSFET在导通时的通道电阻低，而截止时的电阻近乎无限大，所以适合作为模拟信号的开关（信号的能量不会因为开关的电阻而损失太多）。MOSFET作为开关时，其源极与漏极的分别和其他的应用是不太相同的，因为信号可以从MOSFET栅极以外的任一端进出。对NMOS开关而言，电压较负的一端就是源极，PMOS则正好相反，电压较正的一端是源极。MOSF...

  MOSFET的型号命名：场效应管通常有下列两种命名方法。第1种命名方法是使用“中国半导体器件型号命名法”的第3、第4和第5部分来命名，其中的第3部分用字母CS表示场效应管，第4部分用阿拉伯数字表示器件序号，第5部分用汉语拼音字母表示规格号。例如CS2B、CS14A、CS45G等。第二种命名方法与双极型三极管相同，第1位用数字表示电极数；第...

  稳压管的主要参数有哪些？稳定电流Iz：至小稳定电流Izmin、大稳定电流Izmax稳定电流：工作电压等于稳定电压时的反向电流；至小稳定电流：稳压管工作于稳定电压时所需的至小反向电流；至大稳定电流：稳压管允许通过的至大反向电流。动态电阻rz：其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。rz愈小，反映稳压...

  稳压管原理是利用PN结反向击穿状态，电流在很大范围内变化但是电压却基本维持不变。是一种直到临界反向击穿电压的都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻电流增加而电压则保持恒定，使用时需要反接。稳压管的检测：正、负电极的判别：从外形上看，金属封装稳压管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑...

  与常规MOSFET结构不同，内建横向电场的MOSFET嵌入垂直P区将垂直导电区域的N区夹在中间，使MOSFET关断时，垂直的P与N之间建立横向电场，并且垂直导电区域的N掺杂浓度高于其外延区N-的掺杂浓度。 当VGS＜VTH时，由于被电场反型而产生的N型导电沟道不能形成，并且D，S间加正电压，使MOSFET内部PN结反偏形成耗尽层，并将垂直...

  MOSFET的注意事项有哪些？应该注意什么？MOSFET电压和电流的选择，额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或 总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的较大电压，即较大VDS.设计工程 师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如...

  NMOS逻辑同样驱动能力的NMOS通常比PMOS所占用的面积小，因此如果只在逻辑门的设计上使用NMOS的话也能缩小芯片面积。不过NMOS逻辑虽然占的面积小，却无法像CMOS逻辑一样做到不消耗静态功率，因此在1980年代中期后已经渐渐退出市场。功率MOSFET功率晶体管单元的截面图。通常一个市售的功率晶体管都包含了数千个这样的单元。主条目：...