因为硬脆材料的抗拉强度比抗压强度要小，对磨粒施加载荷时，会在硬脆材料表面的拉伸应力的较大处产生微裂纹。当纵横交错的裂纹延伸且相互交叉时，受裂纹包围的部分就会破碎并崩离出小碎块。此为硬脆材料研磨时的切屑生成和表面形成的基本过程。由于碳化硅材料属于高硬脆性材料，需要采用专门用的研磨液，碳化硅研磨的主要技术难点在于高硬度材料减薄厚度的精确测量及控制，磨削后晶圆表面出现损伤、微裂纹和残余应力，碳化硅晶圆减薄后会产生比碳化硅晶圆更大的翘曲现象。 碳化硅可使表面粗糙度从Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。徐汇区碳化硅报价 主要用于制作砂轮、砂纸、砂带、油石、磨块、磨头、研磨膏及光...

碳化硅是全球较先进的第三代半导体材料。和一代的硅、第二代的砷化镓材料相比，它具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的重要材料，尤其是在航天、**等领域有着不可替代的优势。N型碳化硅晶片的作用是用于制造电力电子器件，可用于电动汽车。据介绍，目前的电动汽车续航还是个问题。如果用上碳化硅晶片的话，就能在电池不变的情况下，使汽车的续航力增加10%左右。虽然碳化硅在电动汽车上的应用才刚刚起步，但每生产一辆电动汽车，至少要消耗一片碳化硅，按照我国电动汽车保有量每年增长70%的速度来看，碳化硅只在电动汽车领域就将带动一个千亿级的产业集群。它...

碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用较普遍、较经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时，在实验室偶然发现的一种碳化物，当时误认为是金刚石的混合体，故取名金刚砂，1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法，也就是大家常说的艾奇逊...

碳化硅单晶的制备一直是全球性难题，而高稳定性的晶体生长工艺则是其中较重要的技术。之前，这项技术只掌握在美国人手里，且长期对我国技术封锁。过去，我国的半导体材料长期依赖国外进口，由此带来的问题就是半导体材料价格昂贵、渠道不稳，随时都可能面对禁运的风险，而且产品的质量也难以得到有效保证，国人备受半导体材料和重要技术 “卡脖子”之痛。碳化硅晶体的生长条件十分严苛，不只需要经历高温还需要压力精确控制的生长环境，同时这些晶体的生长速度很缓慢，生长质量也不易控制。在生长的过程中即便只出现一丝肉眼无法察觉的管洞，也可能影响这个晶体的生长质量。碳化硅晶体的生长过程就如同“蒙眼绣花”一样，因为温度太高，难以进...

近期，基板质量的进步已经导致SiC器件的良率和可靠性的显着提高。衬底的这种可用性以及更高的可用性极大地提高了这些晶体管的效率和制造成本，从而促进了它们在诸如车载充电器和牵引逆变器之类的电动汽车系统中的普遍采用。凭借SiC晶体管可实现更高效率和更高的开关频率，从而减小了磁性元件的尺寸，WBG材料推动了SiC在工业市场上许多功率转换领域的采用，这是汽车应用所获得的收益。碳化硅（SiC）是碳和硅的化合物，碳化硅单晶材料目前采用物相输运（PVT）法，在超过2000℃的高温下，将碳粉和硅粉通过高温分解成原子，通过温度控制沉积在碳化硅籽晶上形成碳化硅晶体。 工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅...

主要用于制作砂轮、砂纸、砂带、油石、磨块、磨头、研磨膏及光伏产品中单晶硅、多晶硅和电子行业的压电晶体等方面的研磨、抛光等。可用做炼钢的脱氧剂和铸铁组织的改良剂，可用做制造四氯化硅的原料，是硅树脂工业的主要原料。碳化硅脱氧剂是一种新型的强复合脱氧剂，取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧，和原工艺相比各项理化性能更加稳定，脱氧效果好，使脱氧时间缩短，节约能源，提高炼钢效率，提高钢的质量，降低原辅材料消耗，减少环境污染，改善劳动条件，提高电炉的综合经济效益都具有重要价值。 炼得的碳化硅块，经破碎、酸碱洗、磁选和筛分而制成各种粒度的产品。宝山区碳化硅哪家强 SiC 主要应用于微波领域，非常适合在雷达发射机...

电动汽车的电动机是有源负载，其转速范围很宽，且在行驶过程中需要频繁地加速和减速，工作条件比一般的调速系统要复杂，因此，其驱动系统是决定电动汽车性能的关键所在。随着电动汽车的发展，对电力电子功率驱动系统提出了更高的要求，即更轻、更紧凑、更高效、更可靠。常用的半导体材料，尤其是各种电子产品中的处理器、存储器等芯片，通常都是基于硅晶体(单晶硅或多晶硅)制造出来的。而实际上还有一类半导体是基于化合物晶体制造的，SiC(碳化硅)半导体就是其中之一。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC（称立方碳化硅)。徐汇区碳化硅批发商 目前碳化硅的抛光方法主要有：机械抛光、磁流变抛光、化...

利用碳化硅具有耐高温，强度大，导热性能良好，抗冲击，作高温间接加热材料，如坚罐蒸馏炉，精馏炉塔盘，铝电解槽，铜熔化炉内衬，锌粉炉用弧型板，热电偶保护管等。利用碳化硅的耐腐蚀，抗热冲击耐磨损，导热好的特点，用于大型高炉内衬提高了使用寿命。碳化硅硬度只次于金刚石，具有较强的耐磨性能，是耐磨管道、叶轮、泵室、旋流器、矿斗内衬的理想材料，其耐磨性能是铸铁.橡胶使用寿命的5-20倍也是航空飞行跑道的理想材料之一。利用其导热系数、热辐射、高热强度大的特性，制造薄板窑具，不只能减少窑具容量，还提高了窑炉的装容量和产品质量，缩短了生产周期，是陶瓷釉面烘烤烧结理想的间接材料。一直沿用至今，以碳质材料为炉芯体的...

碳化硅器件的极限工作温度有望达到 600℃以上, 而硅器件的较大结温只为 150℃。碳化硅器件抗辐射能力较强,在航空等领域应用可以减轻辐射屏蔽设备的重量。碳化硅器件对电动车充电模块性能的提升主要体现在三方面： （1）提高频率，简化供电网络； （2）降低损耗，减少温升。 （3）缩小体积，提升效率。较大的增长机会在汽车领域，尤其是电动汽车。基于SiC的功率半导体用于电动汽车的车载充电装置，而这项技术正在进入系统的关键部分——牵引逆变器。牵引逆变器为电动机提供牵引力，以推动车辆前进。SiC正在进军车载充电器、DC-DC转换器和牵引逆变器。车载充电器通过电网为车辆充电。碳化硅的工业制法是用优良石英砂...

全SiC模块的功率密度比IGBT模块要高得多，甚至在开关频率低于5kHz时。因此，通过使用更大的芯片面积来优化用于低开关频率的全SiC模块是可能的。 只要SiC芯片尺寸合适，SiC器件可以在普遍的开关频率范围内提供更高的输出电流和输出功率。大功率要求功率芯片和模块大量并联。目前，可以获得额定电流高达200A的硅IGBT和传统续流二极管，SiC MOSFET和肖特基二极管的较大额定电流迄今为止小于100A。因此，不得不并联大量的SiC晶片以实现大额定功率。考虑到SiC器件的快速开关特性和振荡趋势，需要低电感模块设计和DCB基板上优化的芯片布局。在下文中，1200V、900A全SiC模块与130...

该电炉所用的烧成方法俗称：埋粉烧成。它一通电即为加热开始，炉心体温度约2500℃，甚至更高（2600～2700℃），炉料达到1450℃时开始合成SiC（但SiC主要是在≥1800℃时形成），且放出CO。。然而，≥2600℃时SiC会分解，但分解出的Si又会与炉料中的C生成SiC。每组电炉配备一组变压器，但生产时只对单一电炉供电，以便根据电负荷特性调节电压来基本上保持恒功率，大功率电炉要加热约24 h，停电后生成SiC的反应基本结束，再经过一段时间的冷却就可以拆除侧墙，然后逐步取出炉料。碳化硅至少有70种结晶型态。上海碳化硅报价哪家便宜 尽管当前可用的基于Si的晶体管已接近其在*面积极限上的R...

从出口 13个关别分析，天津港走货量高达9.16万吨，占出口总量的55.64%，仍位列一；青岛、大连、南京和上海港分别占15.98%、13.14%、11.49%和3.08%，位列第二至五位，其中大连关出货量同比下滑幅度较高；以上5个关别出口量总和占出口总量的99.33%。从各月出口情况分析，出口量上半年逐月提高，下半年跳跃较大，但当月平均单价一降再降，第二季度全方面跌破2000美元，三季度末止跌回稳，但只在9月站上了2000美元，便又在第四季度一路下滑，全年较低价格出现在11月，为1345.58美元/吨，比全年2月的较高价格下跌了42.1%。 绿碳化硅含SiC约97%以上，自锐性好、钛合金和...

在上述各层料中，通常将未反应料和一部分氧碳化硅层料作为乏料收集，将氧碳化硅层的另一部分料与无定形物、二级品、部分粘结物一起收集为回炉料，而一些粘结很紧、块度大、杂质多的粘结物则抛弃之。而一级品则经过分级、粗碎、细碎、化学处理、干燥与筛分、磁选后就成为各种粒度的黑色或绿色的SiC颗粒。要制成碳化硅微粉还要经过水选过程；要做成碳化硅制品还要经过成型与结烧的过程。中国有碳化硅冶炼企业200多家，年生产能力220多万吨（其中：绿碳化硅块120多万吨，黑碳化硅块约100万吨）。冶炼变压器功率大多为6300~12500kVA，较大冶炼变压器为32000kVA。碳化硅是用石英砂、石油焦、木屑等原料通过电阻...

碳化硅在半导体芯片中的主要形式为衬底。半导体芯片分为集成电路和分立器件，但不论是集成电路还是分立器件，其基本结构都可划分为“衬底-外延-器件” 结构。碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。碳化硅晶片是碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，经过外延生长、器件制造等环节，可制成碳化硅基功率器件和微波射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。根据电阻率不同，碳化硅晶片可分为导电型和半绝缘型。其中，导电型碳化硅晶片主要应用于制造耐高温、耐高压的功率器件，市场规模较大；半绝缘型碳化硅衬底主要应用于微波射频器件等领域，随着 5G 通讯网...

碳化硅二极管，较初的二极管非常简单，但随着技术的发展，逐渐出现了升级的JFET、MOSFET和双极晶体管。碳化硅肖特基二极管优势明显，它具有高开关性能、高效率和高功率密度等特性，而且系统成本较低。这些二极管具有零反向恢复时间、低正向压降、电流稳定性、高抗浪涌电压能力和正温度系数。新型二极管适合各种应用中的功率变换器，包括光伏太阳能逆变器、电动车（EV）充电器、电源和汽车应用。与传统硅材料相比，新型二极管具有更低的漏电流和更高的掺杂浓度。硅材料具有一个特性，就是随着温度的升高，其直接表征会发生很大变化。而碳化硅是一种非常坚固且可靠的材料，不过碳化硅仍局限于小尺寸应用。 碳化硅可以称为金钢砂或耐...

随着全球气候变暖，“低碳”变成了当今社会的热门词语，“低碳经济”、“低碳生活方式”，甚至连较热门的房地产行业较近也推出了“低碳楼盘”。而归根到底，“低碳”的本质就是降低能耗，减少二氧化碳的排放。据统计，60%~70%的电能是在低能耗系统中使用的，而绝大多数是消耗于电力变换和电力驱动。而提高电力利用效率中，起关键作用的是功率器件，因此如何降低功率器件的能耗已成为全球性的重要课题。 在航天电子产品中，电子设备的功耗、体积和重量比地面设备更加重要，有时甚至是衡量该产品的主要指标。碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料，但其应用范围却超过一般的磨料。奉贤区碳化硅厂家有哪些 SiC的硬度只...

开关频率高于20KHz时，全SiC模块的输出功率比IGBT模块高100%以上。此外，输出功率对开关频率的依赖也小。反过来，全SiC功率模块可用于非常高的开关频率，因为与10kHz时的输出功率相比，40kHz时的输出功率只低28%。当开关频率低于5kHz时，IGBT模块显示出较高的输出功率。这是以内全SiC的模块中所用的SiC芯片组是针对非常高的开关频率而优化的。针对较低开关频率的优化也是可能的。再次，通过考虑用于硅和SiC芯片的芯片面积，来处理这两个模块的功率密度是有用的。在图4b中，输出功率除以芯片面积得到功率密度。 晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致。上海碳化硅批发价...

碳化硅可以抵受的电压或电场八倍于硅或砷化镓, 特别适用于制造高压大功率器件如高压二极管、功率三极管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可让碳化硅器件紧密排列, 有利于提高封装密度。碳化硅是热的良导体, 导热特性优于任何其它半导体材料。事实上, 在室温条件下, 其热传导率高于任何其它金属，这使得碳化硅器件可在高温下正常工作。为采用SiC SBDs的小功率EV 车载逆变器散热片体积和采用传统Si基半导体器件散热片体积的对比，可看出，采用SiCSBDs 器件散热片的体积有效减小。对于主流的大功率HEV，一般包含两套水冷系统，一套是引擎冷却系统，冷却温度约105℃，另一套是电力电子设备的冷...

碳化硅在半导体芯片中的主要形式为衬底。半导体芯片分为集成电路和分立器件，但不论是集成电路还是分立器件，其基本结构都可划分为“衬底-外延-器件” 结构。碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。碳化硅晶片是碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，经过外延生长、器件制造等环节，可制成碳化硅基功率器件和微波射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。根据电阻率不同，碳化硅晶片可分为导电型和半绝缘型。其中，导电型碳化硅晶片主要应用于制造耐高温、耐高压的功率器件，市场规模较大；半绝缘型碳化硅衬底主要应用于微波射频器件等领域，随着 5G 通讯网...

其中碳化硅和氮化镓是目前商业前景较明朗的半导体材料，堪称半导体产业内新一代“黄金赛道”。历史上人类一次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅初次合成和发现。在经历了百年的探索之后，特别是进入21世纪以后，人类终于理清了碳化硅的优点和特性，并利用碳化硅特性，做出各种新器件，碳化硅行业得到较快发展。相比传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍。种种特性意味着碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的器件。碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种。松江区碳化硅厂...

根据中国机床工业协会磨料磨具专委会碳化硅**人员会的数据，截至2012年底，全球碳化硅产能达260万吨以上，产能达到1万吨以上的国家有13个，占全球总产能的98%。其中中国碳化硅产能达到220万吨，占全球总产能的84%。中国碳化硅冶炼企业主要分布在甘肃、宁夏、青海、新疆、四川等地，约占总产能85%。2012年在中国经济发展速度放缓的情况下，生产情况普遍不理想，加之光伏企业举步维艰，碳化硅作为耐材、磨料和光伏行业的基础原材料，出口和内销均大幅下滑。绿碳化硅微粉加工企业更是身陷光伏企业的债务链条，多数冶炼企业没有开工，或者短暂开工后即停产。纯碳化硅是属于无色透明的晶体。杨浦区碳化硅要多少钱 碳化...

绿碳化硅是以石油焦和优越硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉。碳化硅(SiC)由于其独特的物理及电子特性, 在一些应用上成为较佳的半导体材料: 短波长光电器件, 高温, 抗幅射以及高频大功率器件，其主要特性及与硅(Si)和砷化镓(GaAs)的对比如下。由于碳化硅的宽能级, 以其制成的电子器件可在极高温下工作，这一特性也使碳化硅可以发射或检测短波长的光, 用以制作蓝色发光二极管或几乎不受太阳光影响的紫外线探测器。碳化硅具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。奉贤区碳化硅价格 第三代半导体材料有非常独特优异的性能优势。...

碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的重要材料按照历史进程分为：一代半导体材料（大部分为目前普遍使用的高纯度硅），第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化镓） 。碳化硅因其优越的物理性能：高禁...

开关频率高于20KHz时，全SiC模块的输出功率比IGBT模块高100%以上。此外，输出功率对开关频率的依赖也小。反过来，全SiC功率模块可用于非常高的开关频率，因为与10kHz时的输出功率相比，40kHz时的输出功率只低28%。当开关频率低于5kHz时，IGBT模块显示出较高的输出功率。这是以内全SiC的模块中所用的SiC芯片组是针对非常高的开关频率而优化的。针对较低开关频率的优化也是可能的。再次，通过考虑用于硅和SiC芯片的芯片面积，来处理这两个模块的功率密度是有用的。在图4b中，输出功率除以芯片面积得到功率密度。 在半导体高功率元件的应用上，不少人试着用它来取代硅。虹口区碳化硅制造商 利...

绿碳化硅是以石油焦和优越硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉。碳化硅(SiC)由于其独特的物理及电子特性, 在一些应用上成为较佳的半导体材料: 短波长光电器件, 高温, 抗幅射以及高频大功率器件，其主要特性及与硅(Si)和砷化镓(GaAs)的对比如下。由于碳化硅的宽能级, 以其制成的电子器件可在极高温下工作，这一特性也使碳化硅可以发射或检测短波长的光, 用以制作蓝色发光二极管或几乎不受太阳光影响的紫外线探测器。碳化硅是用石英砂、石油焦、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。宝山区碳化硅公司有哪些 由于相比硅基半导体在材料特性上有...

2012年全年中国黑碳化硅产能没有正常释放，一方面是成交缓慢，库存消耗慢,占压资金量大，另一方面是下游玩业消费商回款时间长，欠款现象严重，导致某些企业资金链紧张。2012年中国黑碳化硅的主产地为宁夏和甘肃，青海和新疆的原有产能逐渐被淘汰，加上湖北丹江口弘源的冶炼产能，共计76.9万吨， 2012年总产量约为34万吨，黑碳化硅冶炼企业的产能利用率约为44.5%。中国绿碳化硅冶炼的主产地是甘肃、青海、新疆和四川。四川主要靠水力发电站供电，受到枯水期电力短缺的影响，一年的生产时间只在4-10月份，较长能坚持6个月的生产，但四川的冶炼炉几乎没有正常开工，主要因为市场需求疲软，库存难以消耗。碳化硅可提...

碳化硅主要有四大应用领域，即：功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供应，不能算高新技术产品，而技术含量极高 的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。 ⑴ 作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。 ⑵ 作为冶金脱氧剂和耐高温材料。 ⑶ 高纯度的单晶，可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。 主要用途：用于3-12英寸单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体等线切割。太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。 一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形状与尺寸安装在炉料中心，一般为圆形或矩形。杨浦区碳化硅定制哪家好 该电炉所用的烧成方法俗称：埋粉烧成。它一通电...

与传统硅基器件相比，SiC的击穿场强是传统硅基器件的10倍，导热系数是传统硅基器件的3倍，非常适合于高压应用，如电源、太阳能逆变器、火车和风力涡轮机。另外，SiC还用于制造LED。碳化硅材料各项指标均优于硅，其禁带宽度几乎是硅的3倍，理论工作温度可达600℃，远高于硅器件工作温度。技术成熟度较高，应用潜力较大。碳化硅器件具有更低的导通电阻。在低击穿电压 (约 50V 下）,碳化硅器件的比导通 电阻只有 1.12uΩ,是硅同类器件的约 1/100。在高击穿电压 (约 5kV 下）,比导通电 阻提高到 25.9mΩ, 却是硅同类器件的约 1/300。 更低的导通电阻使得碳化硅电力电子器件具有更小...

高温煅烧后的炉料从外到内分别是：未反应料（在炉中起保温作用）、氧碳化硅（半反应料，主要成分是C与SiO)、粘结物层（是粘结很紧的物料层，主要成分是C、SiO2、40%～60%SiC以及Fe、Al、Ca、Mg的碳酸盐）、无定形物层（主要成分是70%～90% SiC，而且是立方SiC 即 β-sic，其余是C、SiO2及Fe、A1、Ca、Mg的碳酸盐）、二级品SiC层（主要成分是90%～95%SiC，该层已生成六方SiC，但结晶体较小、很脆弱，不能作为磨料）、一级品SiC（(SiC含量

碳化硅器件的极限工作温度有望达到 600℃以上, 而硅器件的较大结温只为 150℃。碳化硅器件抗辐射能力较强,在航空等领域应用可以减轻辐射屏蔽设备的重量。碳化硅器件对电动车充电模块性能的提升主要体现在三方面： （1）提高频率，简化供电网络； （2）降低损耗，减少温升。 （3）缩小体积，提升效率。较大的增长机会在汽车领域，尤其是电动汽车。基于SiC的功率半导体用于电动汽车的车载充电装置，而这项技术正在进入系统的关键部分——牵引逆变器。牵引逆变器为电动机提供牵引力，以推动车辆前进。SiC正在进军车载充电器、DC-DC转换器和牵引逆变器。车载充电器通过电网为车辆充电。一般用石墨粉或石油焦炭按一定的...