选用具有温度补偿特性的2CW234系列硅稳压管作为基准源,并选择其稳定电压为6.4V。由特性较好的三端集成稳压器供电,限流电阻采用精密金属膜电阻R(温度系数约为±1×10-5/℃)。为了减小噪声的影响,将稳压管封装在盛油的小容器里,噪声指标将会有明显的改善。电压取样如图2所示。分别将调整管的集-射极电压经电阻分压,并将分压后的射极电压通过一电阻送入比较放大器反相端;在集电极电压的取样电路中串入一稳压管,由该管决定调整管压降大小。此处选3.3V。并将集电极电压减去稳压管稳压值后分压送入比较放大器的同相端。为保证取样精度,应使集-射极采样电阻完全对称,并选取温度特性较好、同一型号的精密金属...
自由调节输出负载的能力较好。附图说明图1是本实用新型实施例相交流固态调压器的电路示意图。具体实施方式下面结合附图并通过实施例对本实用新型作进一步的详细说明,以下实施例是对本实用新型的解释而本实用新型并不局限于以下实施例。参见图1,本实施例一种单相交流固态调压器,其电路结构如下:整流桥的其中两个脚连接交流电源的两端,整流桥的其余两脚分别连接电阻R4的一端和稳压二极管的正极,稳压二极管的正极连接电容C4的一端和变压器B2输入端2,稳压二极管的负极连接电阻R4的另一端、光耦OC的脚4、NPN三极管T1的集电极、单结晶体管T2的发射极b2、单向可控硅SCR1的A极、单向可控硅SCR2的K极以及...
应用同样方法改测其他电极,直到找出三个电极为止。也可以测任两脚之间的正、反向电阻,若正、反向电阻均接近无穷大,则两极即为阳极A和阴极K,而另一脚即为门极G。普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。例如:螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A,较细的引线端为门极G,较粗的引线端为阴极K。平板形普通晶闸管的引出线端为门极G,平面端为阳极A,另一端为阴极K。金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管,其外壳为阳极A。塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A,且多与自带散热片相连。图1为几种普通晶闸管的引脚排列。(2)判断其好坏:用万用表R×1kΩ档测量普通晶闸管阳极A与阴极K之间的正、反...
当T1与T2之间接通电源后,给G极正向触发信号(相对于T1、T2所接电源负极而言),其工作原理如前面单向可控硅完全相同。当G极接负触发信号时,其工作过原理如图4所示,此时Q3的基极B和发射极E处于正偏电压而致使Q3导通,继而Q1导通给电容C充电后致Q2导通并保持导通状态。双向可控硅的英文简称TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的缩写,其意思是三端交流半导体开关,目前主要用于对交流电源的控制,主要特点表现在能在四个象限来使可控硅触发导通和保持导通,直到所接电源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接电源V的正极T1接电源V的负极,G触发信号Vg的正。第二象...
可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G),管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN 结,与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。半导体PN结在正向偏置时电流很大,反向偏置时电流很小。无锡可控硅经销 可控整流电路的作用是把交流电变换为电压值可以调节的直流电。图20...
采用比较常用的NPN三级管S8050和PNP三极管S8550来设计制作实际的测试电路板(PCB),如图5所示。图6中所标识的T2、T1和G与图5所示的相同,也类似于双向可控硅的T2、T1和G三个接线极。利用该模块电路串入负载接通正或负的直流电源和触发信号来测试,所得结果如图7所示,在正或负触发信号接入前电流表上的指示为0,当正或负触发信号接通并撤离后电流表指示依然保持原来的电流值。该实验表明该电路在正负电源供电情况下能双向触发导通。该模块电路在接通交流电源和脉冲控制信号时,其测验结果如图8所示。示波器探针1接触发信号,探针2接模块电路的两端T1-T2之间的电压。在触发信号为0是,T1-...
此时表内电压较高。当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。二、.场效应管的使用注意事项(1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,比较大漏源电压、比较大栅源电压和比较大电流等参数的极限值。(2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等。(3)MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应...
正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点,尤其是其具有负的电流温度系数,即在栅-源电压不变的情况下,导通电流会随管温升高而减小,故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此,VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极**致处于同一水平面的芯片上,其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同,从图1上可以看出其两大结构特点:***,金属栅极采用V型槽结构;第二,具有垂直导电性。由于...
2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通...
控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。可控硅触发板用于水泵、风机等软启动控制,调速节能控制等。盐城单相整流可控硅 塑封(TO—220)双向晶闸管的中间引脚为主电极T2,该极通常与自带小散热片相连。图5是几种双向...
关键词:单相可控硅电力调整器well唯乐摘要:使用可控硅与它的触发控制电路用于调整负载功率的盘装功率调整单元被称为电力调整器,电力调整器采用移相控制的方式,它的调功有定周期调功和变周期调功两种。***给大家说一说单相可控硅电力调整器的特点。使用可控硅与它的触发控制电路用于调整负载功率的盘装功率调整单元被称为电力调整器,电力调整器采用移相控制的方式,它的调功有定周期调功和变周期调功两种。***给大家说一说单相可控硅电力调整器的特点。单相交流调压调功一体化技能电力调整器调压使用移相控制办法,调功有定周期调功和变周期调功两种办法。其功用包含:上电缓起动、缓关断、散热器超温检测保护等功用。其特...
2具体电路实现电路结构框图如图1所示。该电路选取单向桥式半控整流电路,降低了成本。大功率或大电流的稳压电源,一般采用L-C滤波电路。但是,大电流的滤波电抗器体积大,重量重,价格也较贵,因此,在该稳压电源的设计中仍采用大电容滤波。线性稳压器部分仍采用串联反馈调整型稳压器原理,构成一个闭环反馈系统。主要包括:调整管,取样电路,基准电压源,误差比较放大器。由于该稳压电源输出电流20A,电流很大,所以,为减小调整管功耗,采用并联形式,在本电源中,调整管用两个大功率三极管并联,使每管流过电流为10A左右。这样,每个管子的功耗不大于40W,减小了调整管功耗。调整管集电极电流为10A左右,因此应采用...
场效应管检测一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次...
新型跟.踪式可控硅直流稳压电源信息时代里,BP机已成为常用的通信工具。目前,我国BP机总台的发射设备都采用进口设备,其输出电压为13.8V,电流为15~20A。进口电源不带可控硅部分,而我国电网波动较大,为此设计了这种低成本稳压电源。该设计在串联反馈调整型稳压电源的基础上加装了可控硅相位控制装置,用调整管两端压降来控制可控硅触发的导通角,维持调整管压降不变,从而设计出跟.踪式大功率直流稳压电源。该稳压电源限制了调整管功耗,实现了大功率。该稳压电源主要由单相半控桥整流滤波、线性稳压器及可控硅相位控制等环节组成,并加装了过流保护、短路保护、过热保护装置及显示部分。在220V电网电压波动±1...
场效应管检测一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次...
本实用新型涉及一种单相交流固态调压器。背景技术:单相交流固态调压器是集同步变压器、相位检测电路、移相触发电路和输出可控硅于一体,当改变控制电压的大小,就可改变输出可控硅的触发相角,即实现单相交流电的调压。根据输出可控硅器件不同分一只双向可控硅的普通型,两只单向可控硅反并联的增强型和一只单向可控硅的半波型等三类。按单相交流负载的额定电压分220V和380V两类。主要用于工业电炉、电热烘箱、灯光照明、变压器原边初级调压、风机水泵、力矩电机等设备中进行调温、调光、调压、调速的控制。现有的单相交流固态调压器自由调节输出负载的能力较差,无法满足电气化设备的发展需求。技术实现要素:本实用新型的目的...
场效应管检测一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次...
说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节干电池,以提高触发电压。晶闸管(可控硅)的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法:先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑表笔接阳极,红表笔接剩下的一脚,如表针向右摆动,说明红表笔所接为阴极,不摆动则为控制极。各种晶闸管(可控硅)的检测方法1.单向晶闸管的检测(1)判别各电极:根据普通晶闸管的结构可知,其门极G与阴极K极之间为一个PN结,具有单向导电特性,而阳极A与门极之间有...
门极关断晶闸管的检测1)判别各电极:门极关断晶闸管三个电极的判别方法与普通晶闸管相同,即用万用表的R×100档,找出具有二极管特性的两个电极,其中一次为低阻值(几百欧姆),另一次阻值较大。在阻值小的那一次测量中,红表笔接的是阴极K,黑表笔接的是门极G,剩下的一只引脚即为阳极A。触发能力和关断能力的检测:可关断晶闸管触发能力的检测方法与普通晶闸管相同。检测门极关断晶闸管的关断能力时,可先按检测触发能力的方法使晶闸管处于导通状态,即用万用表R×1档,黑表笔接阳极A,红表笔接阴极K,测得电阻值为无穷大。再将A极与门极G短路,给G极加上正向触发信号时,晶闸管被触发导通,其A、K极间电阻值由无...
读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为***阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接***阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转,阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接***阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负的触发电压,A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持在10欧姆左...
从而通过该电路来达到深入解析可控硅和设计实际运用电路的目的。1双向可控硅工作原理与特点从理论上来讲,双向可控硅可以说是有两个反向并列的单向可控硅组成,理解单向可控硅的工作原理是理解双向可控硅工作原理的基础[2-5]。单向可控硅也叫晶闸管,其组成结构图如图1-a所示,可以分割成四个硅区P、N、P、N和A、K、G三个接线极。把图一按图1-b所示切成两半,就很容易理解成如图1-c所示由一个PNP三极管和一个NPN三极管为主组成一个单向可控硅管。在图1-c的基础上接通电源控制电路如图2所示,当阳极-阴极(A-K)接上正向电压V后,只要栅极G接通触发电源Vg,三极管Q2就会正向导通,开通瞬间Q1...
散热系统采用高.效散热器、低噪音风机。整机带有控制板所有的功能。该电力调整器与带0-5V、4-20mA的智能PID调节器或PLC配套使用;主要用与工业电炉的加热控制。一.技术规格*功率元件:进口单向反并联可控硅(晶闸管)模块*负载电源:单相220、380VAC±10%50HZ*电流容量:25A50A、100A150A200A250A350AAC*控制板电源与功耗:220或380VAC±10%50HZ通用,功耗:2W比较大*风扇电源(根据型号配备):电压:220VAC电流:A以下*控制输入:4~20mADC输入,接收阻抗120Ω;(默认输入信号)0~5VDC输入,输入电阻>20KΩ(定货...
KY3型电力调整器采用了新设计的KY3-T6S控制板。KY3-T6S控制板是运用数字电路触发可控硅实现调压和调功。调压采用移相控制方式,调功有定周期调功和变周期调功两种方式。该控制板带有控制信号自由输入、同步电路、自动判别相位、缺相保护、上电缓起动、缓关断、散热器超温检测、恒流恒压输出、电流限制、短路保护、过流保护、负载断线检测、LED数码管显示、MODBUS通讯(硬件接口是RS485)、PROFIBUS通讯、以太网CAN通讯等功能。 该电力调整器可与带0~5V、0~10V或4~20mA等的智能PID调节器或PLC配套使用,也可**使用手动功能。KY3-T6S电力调整器的负载类型可以...
如It12和It21所示,It12流向是从P2流入经N2-P1-N1流出,It21从P1流入经N2-P2-N32流出;G极触发电流Ig+由P2流入或Ig-从N31流出。下面是所设计电路在四个象限的触发导通工作过程。T2接电源Vt21正极,T1接通电源Vt21负此时当G极接Vg+为正电压,Q4、Q5、Q6、Q7处于反向截止,Q1的B极和E极之间无正偏压也处于截止状态,Vg+由P2输入后经R3使Q2的B极和E极之间产生正偏电压而导通,从而促使Q3导通,这时即使撤出Vg+,在电容C1的的作用下,Q2、Q3也仍然能处于导通状态,只有当Vt21先反向或撤除才重回截止。当G极接Vg为负,Q4、Q5...
正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点,尤其是其具有负的电流温度系数,即在栅-源电压不变的情况下,导通电流会随管温升高而减小,故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此,VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极**致处于同一水平面的芯片上,其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同,从图1上可以看出其两大结构特点:***,金属栅极采用V型槽结构;第二,具有垂直导电性。由于...
选用具有温度补偿特性的2CW234系列硅稳压管作为基准源,并选择其稳定电压为6.4V。由特性较好的三端集成稳压器供电,限流电阻采用精密金属膜电阻R(温度系数约为±1×10-5/℃)。为了减小噪声的影响,将稳压管封装在盛油的小容器里,噪声指标将会有明显的改善。电压取样如图2所示。分别将调整管的集-射极电压经电阻分压,并将分压后的射极电压通过一电阻送入比较放大器反相端;在集电极电压的取样电路中串入一稳压管,由该管决定调整管压降大小。此处选3.3V。并将集电极电压减去稳压管稳压值后分压送入比较放大器的同相端。为保证取样精度,应使集-射极采样电阻完全对称,并选取温度特性较好、同一型号的精密金属...
固态继电器(过零触发电路)MOC3061实物图:电路如图3所示,图中MOC3061为光电耦合双向可控硅驱动器,也属于光电耦合器的一种,用来驱动双向可控硅BCR并且起到隔离的作用,R6为触发限流电阻,R7为BCR门极电阻,防止误触发,提高抗干扰能力。当单片机80C51的,MOC3061导通,触发BCR导通,接通交流负载。另外,若双向可控硅接感**流负载时,由于电源电压超前负载电流一个相位角,因此,当负载电流为零时,电源电压为反向电压,加上感性负载自感电动势el作用,使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通,但容易击穿,故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在...