可控硅调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
可控硅调压模块企业商机

就组成了一个简单实用的大功率无级调速电路。这个电路的独特之处在于可控硅控制极不需外加电源,只要将负载与本电路串联后接通电源,两个控制极与各自的阴极之间便有5V~8V脉动直流电压产生,调节电位器R2即可改变两只可控硅的导通角,增大R2的阻值到一定程度,便可使两个主可控硅阻断,因此R2还可起开关的作用。该电路的另一个特点是两只主可控硅交替导通,一个的正向压降就是另一个的反向压降,因此不存在反向击穿问题。但当外加电压瞬时超过阻断电压时,SCR1、SCR2会误导通,导通程度由电位器R2决定。SCR3与周围元件构成普通移相触发电路,其原理这里从略。SCR1、SCR2笔者选用的是封装好的可控硅模块(110A/1000V),SCR3选用BTl36,即600V的双向可控硅。本电路如用于感性负载,应增加R4,C3阻容吸收电路及压敏电阻RV作过压保护,防止负载断开和接通瞬间产生很高的感应电压损坏可控硅。可控硅调压器电路图(五)一种吸尘器使用可控硅元件构成调速电路可控硅调压器电路图(六)这个电路的独特之处在于可控硅控制极不需外加电源可控硅调压器电路图(七)一种大功率直流电机调速电路可控硅调压器电路图(八)使用一个负温度系数(NTC)的热敏电阻。选择淄博正高电气,就是选择质量、真诚和未来。聊城恒压可控硅调压模块型号

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压接式和焊接式可控硅模块有哪些区别?可控硅模块属于一种使用模块封装形式,拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,这种可控硅模块的体积非常的小,结构也十分的紧凑,对于维修与安装都有很大的作用,可控硅模块的类型非常的多,比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等,很多人不是很清楚两者之间的差异,下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲,焊接式可控硅模块可以做到160A电流,同时压接式模块的电流就能够达到1200A,这就是讲低于160A的模块,不只是有焊接式的,同时也有压接式的。②从外形方面来讲,焊接式的可控硅模块远远没有压接式的外形比较好,压接式的属于一体成型,技术十分的标准,焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹,但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知,压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的,有不少的公司都会使用压接式可控硅模块,这其中的原因可能使由于其外形十分的美观,除此之外从价格方面来讲,焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。聊城恒压可控硅调压模块型号淄博正高电气材料竭诚为您服务,期待与您的合作!

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晶闸管模块串联和并联的区别有哪些?晶闸管模块的存在起到很重要的作用,在一些特殊情况时,就需要将晶闸管模块进行串联或者并联,从而达到要求,接下来正高电气来说说晶闸管模块串联和并联的区别有哪些?当晶闸管模块额定电压小于要求时,可以串联。采用晶闸管模块串联希望器件分压相等,但因特性差异,使器件电压分配不均匀。当晶闸管模块静态不均压,串联的晶闸管模块流过的漏电流相同,但因静态伏安特性的分散性,各器件分压不等。这是应选用参数和特性尽量一致的晶闸管模块,采用电阻均压,Rp的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多。当晶闸管模块动态不均压,由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压,这时我们要选择动态参数和特性尽量一致的晶闸管模块,用RC并联支路作动态均压,采用门极强脉冲触发可以明显减小器件开通时间的差异。和晶闸管模块串联不同的是,晶闸管模块并联会使多个器件并联来承担较大的电流,会分别因静态和动态特性参数的差异而电流分配不均匀,这时我们要挑选特性参数尽量一致的器件,采用均流电抗器,用门极强脉冲触发也有助于动态均流。需要注意的是当晶闸管模块需要同时串联和并联时,通常采用先串后并的方法联接。

必须使阳极电流《维持电流,对于电阻负载,只要使管子阳极电压降为零即可。为了保证晶闸管可靠迅速关断,通常在管子阳极电压互降为零后,加上一定时间的反向电压。晶闸管主要特性参数:1.正反向重复峰值电压——额定电压(VDRM、VRRM取其小者)2.额定通态平均电流IT(AV)——额定电流(正弦半波平均值)3.门极触发电流IGT,门极触发电压UGT,(受温度变化)晶闸管关断过电压(换流过电压、空穴积蓄效应过电压)及保护晶闸管从导通到阻断,线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量产生过电压。由于晶闸管在导通期间,载流子充满元件内部。在关断过程中,管子在反向作用下,正向电流下降到零时,元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流,使残存的载流子迅速消失,这时反向电流减小即diG/dt极大,产生的感应电势很大,这个电势与电源串联,反向加在已恢复阻断的元件上,可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压(换相过电压)。数值可达工作电压的5~6倍。保护措施:在晶闸管两端并接阻容吸收电路。交流侧过电压及其保护由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程,会产生操作过电压。高压合闸的瞬间,由于初次级之间存在分布电容。淄博正高电气始终坚持以人为本,恪守质量为金,同建雄绩伟业。

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鉴别可控硅三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上,可控硅的功用不只是整流,它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电,等等。可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。淄博正高电气竭诚为您服务,期待与您的合作,欢迎大家前来!聊城恒压可控硅调压模块型号

公司生产工艺得到了长足的发展,优良的品质使我们的产品****各地。聊城恒压可控硅调压模块型号

两个温度值接近,说明散热器正常工作。,器件陶磁环的温度高于散热体表面温度,说明散热器的效果不好需进行处理;,散热体表面温度高于器件陶磁环的温度,说明器件工作正常而系统连接或散热器的安装有问题需处理。东台台基生产的可控硅是耐高温的可控硅。这是我们的可控硅的优势。1、普通的晶闸管可以用于交直流电压的控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等应用上国内很多公司生产的可控硅,能承受的温度是有限的,一般在45℃左右,一旦超过50℃就会。但是西东台台基生产的可控硅不是这样的。(一)按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。在我们技术部同事的测试下,可控硅能承受125℃的高温所以我们的可控硅不像普通的可控硅那样娇弱。它是有很顽强的生命力的。很多公司总是说,管子(晶闸管)几天就烧坏了。这个是怎么回事呢?分析起来,一是可能您购买的晶闸管不能承受高温。二是有可能贵公司的可控硅配错了散热器。导致散热不利造成晶闸管损坏。聊城恒压可控硅调压模块型号

正高电气,2011-01-06正式启动,成立了可控硅模块,晶闸管模块,可控硅智能模块,晶闸管智能模块等几大市场布局,应对行业变化,顺应市场趋势发展,在创新中寻求突破,进而提升正高电气的市场竞争力,把握市场机遇,推动电子元器件产业的进步。旗下正高电气在电子元器件行业拥有一定的地位,品牌价值持续增长,有望成为行业中的佼佼者。我们强化内部资源整合与业务协同,致力于可控硅模块,晶闸管模块,可控硅智能模块,晶闸管智能模块等实现一体化,建立了成熟的可控硅模块,晶闸管模块,可控硅智能模块,晶闸管智能模块运营及风险管理体系,累积了丰富的电子元器件行业管理经验,拥有一大批专业人才。值得一提的是,正高电气致力于为用户带去更为定向、专业的电子元器件一体化解决方案,在有效降低用户成本的同时,更能凭借科学的技术让用户极大限度地挖掘正高电气的应用潜能。

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