可控硅调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
可控硅调压模块企业商机

可控硅可控硅简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。晶闸管又名可控硅,通常人们都叫可控硅。是一种功率半导体器件,由于它效率高,控制特性好,寿命长,体积小等优点,自上个世纪六十长代以来,获得了迅猛发展,并已形成了一门单独的学科。“晶闸管交流技术”。晶闸管发展到,在工艺上已经非常成熟,品质更好,成品率大幅提高,并向高压大电流发展。目前国内晶闸管大额定电流可达5000A,国外更大。我国的韶山电力机车上装载的都是我国自行研制的大功率晶闸管。晶闸管的应用:一、可控整流如同二极管整流一样,可以把交流整流为直流。淄博正高电气企业文化:服务至上,追求超越,群策群力,共赴超越。泰安大功率可控硅调压模块哪家好

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压接式和焊接式可控硅模块有哪些区别?可控硅模块属于一种使用模块封装形式,拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,这种可控硅模块的体积非常的小,结构也十分的紧凑,对于维修与安装都有很大的作用,可控硅模块的类型非常的多,比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等,很多人不是很清楚两者之间的差异,下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲,焊接式可控硅模块可以做到160A电流,同时压接式模块的电流就能够达到1200A,这就是讲低于160A的模块,不只是有焊接式的,同时也有压接式的。②从外形方面来讲,焊接式的可控硅模块远远没有压接式的外形比较好,压接式的属于一体成型,技术十分的标准,焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹,但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知,压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的,有不少的公司都会使用压接式可控硅模块,这其中的原因可能使由于其外形十分的美观,除此之外从价格方面来讲,焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。天津双向可控硅调压模块功能淄博正高电气多方位满足不同层次的消费需求。

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本公司技术力量雄厚,基础设施齐全,新品开发能力强,本说明以外的相近产品能快速研制生产,满足您的要求。本说明如不能满足您的要求,可来函索取更详细资料,更欢迎您光临本公司商榷、洽谈、指导。使用条件:环境条件:1、自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃;2、空气相对湿度≤85%;3、空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃;4、气压86—106Kpa;5、无剧烈震动或冲击;6、若有特殊场合,应进行相应的试验,证明工作可靠方可使用。冷却条件:1、强迫风冷:风速≥6m/s,风温≤40℃;2、水冷:流量≥4L/mm,压强±。水温≤35℃.水电阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;3、其它冷却方式应进行相应的试验证明工作可靠方可使用。注意事项:1、选择电流电压时要留有适当的余量;2、线路中须有过压过流保护措施,串并联使用时必须有均流措施。3、用万用表简单判断器件是否损坏:门阴极间电阻,应有十几或几十Ω,否则门极已短路或开路。阴阳极间电阻,应大于1MΩ,(整流管正向除外),电阻小于1MΩ表明器件极间绝缘性能不良,电阻近零时表明器件已击穿。经我公司鉴定,确定质量问题的产品,保退保换。退换时须携带原产品合格证。

可控硅模块属于一种使用模块封装形式,拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,这种可控硅模块的体积非常的小,结构也十分的紧凑,对于维修与安装都有很大的作用,可控硅模块的类型非常的多,比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等,很多人不是很清楚两者之间的差异,下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲,焊接式可控硅模块可以做到160A电流,同时压接式模块的电流就能够达到1200A,这就是讲低于160A的模块,不只是有焊接式的,同时也有压接式的。可控硅模块②从外形方面来讲,焊接式的可控硅模块远远没有压接式的外形比较好,压接式的属于一体成型,技术十分的标准,焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹,但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知,压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的,有不少的公司都会使用压接式可控硅模块,这其中的原因可能使由于其外形十分的美观,除此之外从价格方面来讲,焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。淄博正高电气有限公司是专门从事电力电子产品及其相关产品开发、生产、销售及服务为一体的科技型企业。公司主要生产各类规格型号的晶闸管智能模块、稳流、稳压模块、多功能触发板、控制板。淄博正高电气公司在多年积累的客户好口碑下,不但在产品规格配套方面占据优势。

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鉴别可控硅三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上,可控硅的功用不只是整流,它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电,等等。可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。淄博正高电气倾城服务,确保产品质量无后顾之忧。泰安大功率可控硅调压模块哪家好

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会对可控硅模块造成损坏,如果要想保护可控硅不受其损坏,就要了解过电压的产生原因,从而去避免防止受损,下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏?以及过电压产生的原因。可控硅模块对过电压非常敏感,当正向电压超过udrm值时,可控硅会误导并导致电路故障;当施加的反向电压超过urrm值时,可控硅模块会立即损坏。因此,需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化,使系统转换太晚,或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现,由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型,如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰,对可控硅模块非常危险。开关的开启和关闭引起的脉冲电压分为以下两类:(1)交流电源接通、断开产生的过电压如交流开关分合、交流侧熔断器熔断等引起的过电压,由于变压器绕组的分布电容、漏抗引起的谐振回路、电容分压等原因,这些过电压值是正常值的2~10倍以上。一般来说,开闭速度越快,过电压越高,则在无负载下断开晶闸管模块时过电压就越高。(2)直流侧产生的过电压例如,如果切断电路的电感较大。泰安大功率可控硅调压模块哪家好

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