ADI基本参数
  • 品牌
  • ADI
  • 型号
  • AD9864BCPZ
ADI企业商机

ADL5303ACPZ是一款高频、低噪声、双通道、零漂移、单片式滤波器,工作频率范围为10MHz至1.2GHz,采用5.3dB的插入损耗,1MHz的带宽,并具有40dB的带外抑制。它采用16引脚、2.0mm×2.0mm、100引脚表面贴装封装。该滤波器芯片在音频、无线通信、雷达应用等领域有广泛的应用,尤其适合在双工器和滤波器等宽频带无线通信系统中使用。ADL5303ACPZ是一款高频、低噪声、双通道、零漂移、单片式滤波器,工作频率范围为10MHz至1.2GHz,采用5.3dB的插入损耗,1MHz的带宽,并具有40dB的带外抑制。它采用16引脚、2.0mm×2.0mm、100引脚表面贴装封装。该滤波器芯片在音频、无线通信、雷达应用等领域有广泛的应用,尤其适合在双工器和滤波器等宽频带无线通信系统中使用。ADI的IC芯片在设计上考虑了易用性和可扩展性,方便客户进行升级和定制。ADR431BRMZ

ADR431BRMZ,ADI

    ADP1741ACPZ-R7是一款高性能、四通道、16位模拟前端(AFE)带隙电压参考器,专为高性能、高分辨率的ADC前端设计。该芯片提供、、,具有低噪声、低失真、高电源抑制比(PSRR)和低输入偏置电流等特性,使其适用于恶劣的电磁环境和低功耗应用。此外,ADP1741ACPZ-R7还具有高达25ppm/°C的低温度系数,使其适用于高精度的数据转换器和传感器接口应用。它采用16引脚、4mm×4mm、QFN封装,工作温度范围为-40°C至+85°C,并符合RoHS标准。总之,ADP1741ACPZ-R7是一款适用于多种高性能、高分辨率ADC前端设计的高性能、低噪声、带隙电压参考器芯片。 ADIS16497-3BMLZADI的IC芯片设计精良,可以承受极端的工作温度和湿度。

ADR431BRMZ,ADI

    REF198GSZ是一款精密带隙基准电压源芯片,它采用的温度漂移曲率校正电路和激光微调薄膜电阻技术,以实现非常低的温度系数和较高的初始精度。REF198GSZ采用SOIC、TSSOP及DIP8脚封装工艺。引脚TP是工厂用的测试点,Vs是输入电压端,OUTPUT是基准电压输出端,GND是公共地,NC是空引脚,反向SLEEP是睡眠模式控制端,低电平有效。REF198GSZ是一款精密带隙基准电压源芯片,它采用的温度漂移曲率校正电路和激光微调薄膜电阻技术,以实现非常低的温度系数和较高的初始精度。REF198GSZ采用SOIC、TSSOP及DIP8脚封装工艺。引脚TP是工厂用的测试点,Vs是输入电压端,OUTPUT是基准电压输出端,GND是公共地,NC是空引脚,反向SLEEP是睡眠模式控制端,低电平有效。

HMC1118LP3DETR是一款由HittiteMicrowave公司制造的宽带压控振荡器(VCO)。它具有频率范围从2.5GHz到11.5GHz,调谐电压为±12V,输出功率为+13dBm,相位噪声为-85dBc/Hz@10kHz,具有+3dBm的内置功率限制功能等特点。它使用三个端子进行连接,包括一个接地端子、一个用于调谐电压输入的端子和用于信号输出的端子。该芯片采用标准表面贴装封装,适用于多种无线通信系统,如无线局域网(WLAN)、长期演进(LTE)和全球定位系统(GPS)等。总之,HMC1118LP3DETR是一款宽带压控振荡器,具有宽频率范围、低相位噪声和调谐电压可调等特点,适用于多种无线通信系统。他们的IC芯片具有高度可靠性,长期使用无故障。

ADR431BRMZ,ADI

AD8361ARMZ是一款由AnalogDevices制造的高性能、宽带微波频率测量IC芯片,采用小型16引脚QFN封装。主要特点包括高动态范围、高灵敏度、快速响应时间、宽频带和内置信号处理功能。AD8361ARMZ利用高速、高性能微波放大器和先进的信号处理技术,实现对宽频带微波信号的高精度测量。可用于测量各种通信信号的频谱和相位,适用于包括无线通信、雷达和电子战等领域的复杂测试和测量系统中,用于实现实时频谱分析和动态信号测量。总之,AD8361ARMZ是一款高性能、宽频带微波频率测量IC芯片,具有高精度、高动态范围、快速响应时间和内置信号处理功能等特点,适用于多种通信信号的测量和测试。在未来,ADI品牌的IC芯片将继续致力于推动电子设备的发展和创新。AD7414ARTZ-3REEL7

ADI的IC芯片在通信、消费电子和工业应用等领域有着广泛的应用。ADR431BRMZ

HMC472ALP4E是一款宽带6位GaAsIC数字衰减器,采用低成本无引脚表面贴装封装。这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器,在接近直流的情况下工作,使得它非常适合各种RF和IF应用。在DC到3.8GHz频率下运行,插入损耗低于2.0dB典型值。衰减器位值为0.5(LSB)、1、2、4、8和16dB,总衰减为31.5dB。衰减精度非常高,典型步长误差为±0.25dB,IIP3为+54dBm。使用六个TTL/CMOS控制输入来选择每个衰减状态。需要+5V的单个Vdd偏置1。它主要应用在3G基础设施和接入点蜂窝、测试设备和传感器GSM、WCDMA和TD-SCDMA等中。ADR431BRMZ

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