固钽因“不断击穿”又“不断自愈”问题产生失效。在正常使用一段时间后常发生固钽密封口的焊锡融化，或见到炸开，焊锡乱飞到线路板上。分析原因是其工作时“击穿”又“自愈”，在反复进行，导致漏电流增加。这种短时间(ns～ms)的局部短路，又通过“自愈”后恢复工作。关于“自愈”。理想的Ta2O5介质氧化膜是连续性的和一致性的。加上电压或高温下工作时，由于Ta＋离子疵点的存在，导致缺陷微区的漏电流增加，温度可达到500℃～1000℃以上。这样高的温度使MnO2还原成低价的Mn3O4。有人测试出Mn3O4的电阻率要比MnO2高4～5个数量级。与Ta2O5介质氧化膜相紧密接触的Mn3O4就起到电隔离作用，防止Ta2O5介质氧化膜进一步破坏，这就是固钽的局部“自愈了”。但是，很可能在紧接着的再一次“击穿”的电压会比前一次的“击穿”电压要低一些。在每次击穿之后，其漏电流将有所增加，而且这种击穿电源可能产生达到安培级的电流。同时电容器本身的储存的能量也很大，导致电容器长久失效。 钽电容在高温和低温环境下都能保持稳定的工作性能。GCA55-A-4V-47uF-M
钽电容器使用时的生产过程因素导致的失效。很多用户往往只注意到钽电容器性能的选择和设计,而对于片式钽电容器安装使用时容易出现的问题视而不见;举例如下;A,不使用自动贴装而使用手工焊接,产品不加预热,直接使用温度高于300度的电烙铁较长时间加热电容器,导致电容器性能受到过高温度冲击而失效.B,手工焊接不使用预热台加热,焊接时一出现冷焊和虚焊就反复使用烙铁加热产品.C,使用的烙铁头温度甚至达到500度.这样可以焊接很快,但非常容易导致片式元气件失效.CAK45F-D-20V-47uF-K钽电容的体积小，容量大，可用于高频率电路中，如滤波器、振荡器和定时器等。
关于反向电压钽电容器介质氧化膜具有单向导电性和整流特性，当施加反向电压时，就会有很大的电流通过，甚至造成短路而失效。因此，使用中应严格控制反向电压。，并且不可长期在纯交流电路中使用。若在不得已的情况下，允许在短时间内施加小量的反向电压，其值为：25℃下：≤10%UR或1V（取小者）85℃下≤5%UR或（取小者）125℃下≤1%UR或（取小者）。如果将电容器长期使用在有反向电压的电路中时，请选用双极性钽电容器，但也只能在极性变换而频率不太高的直流或脉动电路中使用。。全钽电容器能承受3V反向电压。非固体电解质钽电容器不能承受任何反向电压。（容易施加反向电压）。，如不慎对液体钽电容器施加了反向电压或对固体钽电容器施加了超过规定的反向电压，则该电容器应报废处理，即使其各项电参数仍然合格，因为产品由反向电压造成的质量隐患有一定的潜伏期，在当时并不一定能表现出来。
相较于民用领域的被动元器件上市公司，被动元器件企业的自产业务毛利率处于较高水平。已上市的公司主要生产的被动元器件为MLCC及钽电容，其中MLCC细分市场主要参与的企业主要有火炬电子、鸿远电子、振华科技、成都宏明，钽电容细分市场的参与企业主要为、北京七一八、宏达电子、振华科技（旗下振华新云）、火炬电子等。宏达深耕钽电解电容器的研发制造多年，技术储备充足，在行业内市场地位较高，客户覆盖航空、兵器、船舶、电子等领域，主要客户为国内集团。宏达电子主要竞争对手有振华新云、北京七一八、鸿远电子、火炬电子等上市公司或大型国有企业。钽电容的容量范围广，从几皮法拉到几百微法拉，适合不同电路的需求。
钽电容的封装形式也有多种选择，包括直插式、针脚式、片式等。不同的封装形式适用于不同的电路设计和空间要求。与其它电子元件相比，钽电容的价格相对较高。然而，考虑到钽电容的高稳定性和低漏电流等优点，以及其在现代电子设备中的广泛应用，这一成本是值得的。在使用钽电容时，需要注意一些安全问题。例如，不要将钽电容放在高温环境中或者对其进行过度充电，这可能会导致电容器的或起火等危险情况。钽电容具有一定的自放电特性。这种自放电特性可能会导致电容器在长时间未使用后电压降低。然而，这种自放电现象并不会对电容器造成长久性损坏。在使用多个钽电容时，需要考虑它们的均流特性和容量匹配等问题，以避免过热和损坏。CAK-8A-35V-15uF-K-2
钽电容的内部结构包括阳极、阴极和电解质，其中阳极是钽材料制成的。GCA55-A-4V-47uF-M
电容失效模式,机理和失效特点对于钽电容，失效与其他类型的电容一样,也有电参数变化失效、短路失效和开路失效三种。由于钽电容的电性能稳定,且有独特的“自愈”特性,钽电容鲜有参数变化引起的失效，钽电容失效大部分是由于电路降额不足，反向电压，过功耗导致，主要的失效模式是短路。另外,根据钽电容的失效统计数据,钽电容发生开路性失效的情况也极少。因此,钽电容失效主要表现为短路性失效。钽电容短路性失效模式的机理是:固体钽电容的介质Ta2O5由于原材料不纯或工艺中的原因而存在杂质、裂纹、孔洞等疵点或缺陷,钽块在经过高温烧结时已将大部分疵点或缺陷烧毁或蒸发掉,但仍有少量存在。在赋能、老炼等过程中,这些疵点在电压、温度的作用下转化为场致晶化的发源地—晶核;在长期作用下,促使介质膜以较快的速度发发生物理、化学变化,产生应力的积累,到一定时候便引起介质局部的过热击穿。如果介质氧化膜中的缺陷部位较大且集中,一旦在热应力和电应力作用下出现瞬时击穿,则很大的短路电流将使电容迅速过热而失去热平衡,钽电容固有的“自愈”特性已无法修补氧化膜,从而导致钽电容迅速击穿失效。GCA55-A-4V-47uF-M
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