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Nand Flash存储结构浅析

NandFlash是一种常见的闪存存储器，它的存储结构可以简单理解为一个二维的阵列，其中包含了多个存储单元。存储单元：

NandFlash的存储单元是一个非常小的电子组件，用于存储数据。每个存储单元通常由一个MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）和一个电荷储存单元（通常是浮栅）组成。当电荷储存单元中存在电荷时，表示存储单元为1，否则为0。

页（Page）：NandFlash的存储单元按照一定规则进行组织，形成了一个页（Page）。一个页通常包含多个存储单元，以及相关的控制电路。典型的页大小为2KB、4KB或8KB。

块（Block）：NandFlash的页按照一定规则组织成块（Block）。一个块通常包含多个页，以及相关的控制电路。典型的块大小为64KB或128KB。块是NandFlash的擦除单位，即要擦除一个块，需要将整个块的数据都擦除。

平面（Plane）：NandFlash的块按照一定规则组织成平面（Plane）。一个平面通常包含多个块，以及相关的控制电路。典型的平面数量为1或2。

芯片（Chip）：NandFlash的平面按照一定规则组织成芯片（Chip）。

NandFlash的存储结构可以简单理解为存储单元组成的页，页组成的块，块组成的平面，平面组成的芯片。 OPS用芯的服务以其专业性、创新性和共赢性，赢得了广大企业的信赖和好评。双流区IC测烧按需定制

生产流程方面的测试

如从生产流程方面的测试讲，IC测试一般又分为芯片测试、成品测试和检验测试，除非特别需要，芯片测试一般只进行直流测试，而成品测试既可以有交流测试，也可以有直流测试，在更多的情况下，这两种测试都有。在一条量产的生产线上，检验测试尤为重要，它一般进行和成品测试一样的内容，它是**用户对即将入库的成品进行检验，体现了对实物质量以及制造部门工作质量的监督。

模拟电路的测试

就模拟电路的测试而言，IC测试一般又分为以下两类测试，其一是直流特性测试，主要包括端子电压特性、端子电流特性等；其二是交流特性测试，这些交流特性和该电路完成的特定功能密切有关，比如一块音频功放电路，其增益指标、输出功率、失真指标等都是很重要的参数；色处理电路中色解码部分的色差信号输出，色相位等参数也是很重要的交流测试项目。 高端定制芯片IC测烧解决方案OPS利用高效率，好品质的先进科技协助客户提升生产效率及品质。

IC测试座的保养：

1、将芯片清理干净后再放入IC测试座，避免松香、锡渣等杂质进入适配器内污染测试针而造成短路或是接触不良。

2、多次使用之后或者定期对IC测试座进行清洗，可用超声波或是酒精进行清洗。

3、黑色塑胶本体的测试座材料为PEI，易被强力清洁济如天那水、苯、或者稀释剂等腐蚀。请用酒精等中性溶液清洗。使用完后密封存放，以免灰尘或杂质进入测试座内部。

定期的保养，能降低测试的不良率，也能够让IC测试座的寿命更长。

烧录测试座保养:

每次使用完烧录座后，应清洁烧录座，保持烧录座表面干净无污不可使用腐蚀性之清洗剂，虽可获得短暂效果但会带来严重的损伤，缩短使用寿命。只可用静电毛刷，精密清洁剂进行清洁对烧录座金属弹片进行清扫清洁（不要使用酒精或润滑剂清洗表面污物）清洁完的烧录座比较好能放在防潮箱或干燥的保管箱存放烧录座长时间不使用时，合上盖子，用盒子装好，尽量存放在密封，干燥阴凉的地方，防止因存放环境而引起的氧化。再次使用时应先观察烧录座表面是否有污物或氧化（呈黑色）用精密清洁剂进行清洁后再使用。

烧录座的更换:

如果正确使用和妥善保管，烧录座的使用寿命就可以达到甚至超过超过参考标准。PS：烧录座是耗材，只有正确使用和妥善保养，才会延长使用寿命。 提高客制化生产服务，以保持较大弹性，满足客户需求！

    什么是编程器？编程器在中国台湾是叫烧录器，因为中国台湾的半导体产业发展的早，到大陆后,客户之所以叫它为“编程器”是因为现在英文名为PROGRAMMER，这个英文名与一般编写软件程式设计师是同名，所以就叫“编程器”，编程器实际上是一个把可编程的集成电路写上数据的工具,编程器主要用于单片机（含嵌入式）/存储器(含BIOS)之类的芯片的编程（或称刷写）。编程器在功能上可分通用编程器和编程器.型编程器价格比较低，适用芯片种类较少，适合以某一种或者某一类芯片编程的需要，例如需要对PIC系列编程。全功能通用型一般能够涵盖几乎（不是全部）所有当前需要编程的芯片，由于设计麻烦，成本较高，限制了销量，终售价极高，适合需要对很多种芯片进行编程的情况。 凭借丰富的技术经验和齐全的设备资源，可协助广大客户处理生产中遇到的芯片烧录问题。半自动IC测烧生产厂家

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耐久性测试项目（Endurancetestitems）包含哪些测试？

1、周期耐久性测试（EnduranceCyclingTest）目的：评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能测试方法：将数据写入memory的存储单元，在擦除数据，重复这个过程多次测试条件：室温，或者更高，每个数据的读写次数达到100k~1000k具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：MIT-STD-883EMethod1033

2、数据保持力测试（DataRetentionTest）目的：在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失测试方法：在高温条件下将数据写入memory存储单元后，多次读取验证单元中的数据测试条件：150℃ 双流区IC测烧按需定制