小外形封装是一种很常见的元器件封装形式。表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L字形)。材料有塑料和陶瓷两种。另外也叫SOL和DFP。SOP除了用于存储器LSI外,主要用于规模不太大的ASSP等电路。在输入输出端子不超过10~40的领域,SOP是普及很广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从8~44。另外,引脚中心距小于1.27mm的SOP也称为SSOP;装配高度不到1.27mm的SOP也称为TSOP。还有一种带有散热片的SOP。
SOP封装的应用范围很广,而且以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路)等在集成电路中都起到了举足轻重的作用。像主板的频率发生器就是采用的SOP封装。
引脚中心距小于1.27mm的SSOP(缩小型SOP);
装配高度不到1.27mm的TSOP(薄小外形封装);
VSOP(甚小外形封装);TSSOP(薄的缩小型SOP);
SOT(小外形晶体管);带有散热片的SOP称为HSOP;
部分半导体厂家把无散热片的SOP称为SONF(SmallOut-LineNon-Fin);
部分厂家把宽体SOP称为SOW(SmallOutlinePackage(Wide-Jype))
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常见的烧录机故障及分析
烧录失败:烧录过程中,数据无法写入芯片或设备中,通常是由于芯片或设备本身的问题、烧录机设置的参数不正确、数据或程序有误等原因引起的。
烧录头损坏:烧录头是烧录机的重要部件之一,如果烧录头损坏或出现故障,可能会导致烧录失败或数据写入错误。
芯片插座接触不良:芯片插座是连接芯片和烧录机的重要部件之一,如果插座接触不良,可能会导致烧录失败或数据写入错误。
烧录机参数设置错误:烧录机参数设置不正确,可能会导致烧录失败或数据写入错误。烧录数据或程序有误:如果烧录的数据或程序有误,可能会导致芯片或设备无法正常工作,或者出现其他问题。
软件或驱动程序错误:烧录机的软件或驱动程序出现错误或故障,可能会导致烧录失败或其他问题。其他硬件故障:烧录机的其他硬件部件(如电源、电路板等)出现故障,可能会导致烧录失败或其他问题。
总之,烧录机故哨的质因可能会有很多,需要根据具体情况进行排查和处理。通常可以通过检查硬件部件、软件设置、数据或程序等方面来确定故障原因,并采取相应的措施进行修复。 坪山区IC测烧按需定制优普士电子(深圳)有限公司提供专业的芯片烧录、测试方案,具体咨询请联系我们。
IC电性能测试:
模拟电路测试一般又分为以下两类测试,一类是直流特性测试,主要包括端子电压特性、端子电流特性等;另一类是交流特性测试,这些交流特性和该电路完成的特定功能密切有关,比如一块色处理电路中色解码部分的色差信号输出,色相位等参数也是很重要的交流测试项目。
数字电路测试也包含直流参数、开关参数和特殊功能的特殊参数等。需要通过利用扫描链输入测试向量(testpattern)测试各个逻辑门、触发器是否工作正常。常见直流参数如高(低)电平比较大输入电压、高(低)电平输入电流等。开关参数包含延迟时间、转换时间、传输时间、导通时间等。触发器特殊的比较大时钟频率、**小时钟脉冲宽度等。还有噪声参数等等。
IC产品可靠性等级测试有哪几种?
1、TCT:高低温循环试验(TemperatureCyclingTest)
目的:评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化。
测试条件:
ConditionB:-55℃to125℃
ConditionC:-65℃to150℃
失效机制:电介质的断裂,导体和绝缘体的断裂,不同界面的分层
2、TST:高低温冲击试验(ThermalShockTest)
目的:评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。
方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。
测试条件:
ConditionB:-55℃to125℃
ConditionC:-65℃to150℃
失效机制:电介质的断裂,材料的老化(如bondwires),导体机械变形
3、HTST:高温储存试验(HighTemperatureStorageLifeTest)
目的:评估IC产品在实际使用之前在高温条件下保持几年不工作条件下的生命时间。
测试条件:150℃
失效机制:化学和扩散效应,Au-Al共金效应
4、可焊性试验(SolderabilityTest)
目的:评估ICleads在粘锡过程中的可靠度测试
方法:Step1:蒸汽老化8小时Step2:浸入245℃锡盆中5秒失效标准(FailureCriterion):至少95%良率
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IC产品可靠性等级测试之环境测试项目有哪些?
1、PRE-CON:预处理测试(PreconditionTest)目的:模拟IC在使用之前在一定湿度,温度条件下存储的耐久力,也就是IC从生产到使用之间存储的可靠性。
2、THB:加速式温湿度及偏压测试(TemperatureHumidityBiasTest)
目的:评估IC产品在高温,高湿,偏压条件下对湿气的抵抗能力,加速其失效进程。
测试条件:85℃,85%RH,1.1VCC,Staticbias
失效机制:电解腐蚀
3、高加速温湿度及偏压测试(HAST:HighlyAcceleratedStressTest)
目的:评估IC产品在偏压下高温,高湿,高气压条件下对湿度的抵抗能力,加速其失效过程。
测试条件:130℃,85%RH,1.1VCC,Staticbias,2.3atm
失效机制:电离腐蚀,封装密封性
4、PCT:高压蒸煮试验PressureCookTest(AutoclaveTest)
目的:评估IC产品在高温,高湿,高气压条件下对湿度的抵抗能力,加速其失效过程。
测试条件:130℃,85%RH,Staticbias,15PSIG(2atm)
失效机制:化学金属腐蚀,封装密封性
5、SHTTest:焊接热量耐久测试(SolderHeatResistivityTest)
目的:评估IC对瞬间高温的敏感度测试
方法:侵入260℃锡盆中10秒
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