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    区熔法分为两种：水平区熔法和立式悬浮区熔法。前者主要用于锗、GaAs等材料的提纯和单晶生长；后者主要用于硅。为什么有横着和竖着长的不同捏？这是由于硅的熔点高，化学性能活泼，容易受到异物的玷污，所以难以找到适合的器皿来盛方，自然水平区熔法不能用在硅的生长上啦。区熔法与直拉法比较大的不同之处在于：区熔法一般不使用坩锅，引入的杂质更少，生长的材料杂质含量也就更少。总而言之，单晶硅棒是圆柱形的，使用这种方法得到的单晶硅圆片自然也是圆形的了。就是下图这个样的——知道是两头的尖尖是如何造成的吗？Bingo，图左的尖尖是籽晶，图右的尖尖是晶棒长到***，从熔融态里出来后，由于复杂的流体力学原理，以及熔融态的硅迅速凝固而导致的。 对了悬臂式的机械手，还要考虑零件在手臂上布置。佛山正规晶圆运送机械吸臂价位

随着智能工业的快速发展，我们越来越多的行业都使用了工业机器人代替人工作业，那么我们来说说工业机器人如六轴机器人是怎样的? 六轴工业机器人是一种用于自然科学相关工程与技术领域的工艺试验仪器，六轴机器人的六个轴，每个轴都是一个电机配备减速机来传动，各个轴的运动方式和方向都不同，每个轴其实是模拟人手的各个关节的动作。

一轴：一轴是连接底座的部位，主要是承载上面轴的重量与底座的左右旋转，一个左右旋转的动作就是使用电机与减速机传动的结果，每个轴都是代替一个方向的运动方式。

二轴：控制机器人主臂的前后摆动、整个主臂上下运动的功能。

三轴：三轴同样是控制机器人前后摆动功能，只是比第二轴的摆臂范围小。

四轴：四轴是控制机器人上面的圆形管的部分可自由旋转的部位，活动范围相当于人的小臂，不过不是360°旋转里面有电线跟人小臂的范围相同。

五轴：第五轴控制微调的上下翻转动作，通常是当产品抓取后可以使产品翻转的动作。

六轴：第六轴就是末端法兰哪个部分旋转功能。可以360°旋转。 佛山正规晶圆运送机械吸臂价位机械手的刚度、偏重力矩、惯性力及缓冲效果都直接影响手臂的位置精度。

例如：寻找，运输，握取，对准，装配，检验等动作. 为了明确地描述工业机械人，美国机械人协会在1979年将机械人定义为一个可用程式控制，多功能的操作器，它透过程式控制和多变化的动作设计来移动材料，工件，工具或特别设备，以完成一连串的工作.所以，虽然许多工业机械人并非有人的形态，但只要它们符合机械人的定义，便可以称为机械人.工业机械人虽然已被广泛应用在多种制造行业内，但估计在不久将来还会有数以十万计的工业机械人投入服务.现时，不少研究人员正为机械人研究如何加入视觉和感觉，令机械人可以完成更复杂的工作.而研究机械人的学问称为机械人学。

    6)自适应控制。采用组合自适应控制将系统划分成关节子系统和柔性子系统。利用参数线性化的方法设计自适应控制规则来辨识柔性机械臂的不确定性参数。对具有非线性和参数不确定性的柔性机械臂进行了**控制器的设计。控制器的设计是依据Lyapunov方法的鲁棒和自适应控制设计。通过状态转换将系统分成两个子系统。用自适应控制和鲁棒控制分别对两个子系统进行控制。7)PID控制。PID控制器作为很受欢迎和**广泛应用的控制器,由于其简单、有效、实用,被普遍地用于刚性机械臂控制,常通过调整控制器增益构成自校正PID控制器或与其它控制方法结合构成复合控制系统以改善PID控制器性能。8)变结构控制。变结构控制系统是一种不连续的反馈控制系统,其中滑模控制是**普遍的变结构控制。其特点;在切换面上,具有所谓的滑动方式,在滑动方式中系统对参数变化和扰动保持不敏感,同时,它的轨迹位于切换面上,滑动现象并不依赖于系统参数,具有稳定的性质。变结构控制器的设计,不需要机械臂精确的动态模型,模型参数的边界就足以构造一个控制器。 机械手臂根据结构形式的不同分为多关节机械手臂.

 晶圆是半导体行业的关键元件，随着半导体行业的迅速发展，晶圆的搬运技术逐渐成为制约行业发展的关键因素。晶圆搬运机械手是IC装备的**之一，其性能的优劣直接影响晶圆的生产效率和制造质量，体现着整个加工系统的自动化程度和可靠性。在晶圆加工系统中包含两类晶圆搬运机械手：大气机械手（FI robot) 和真空机械手(Vacuum robot)。前者将晶圆从晶圆盒中取出并放到预对准设备上，工作环境满足一定的大气洁净度要求，控制精度要求相对较低。后者将晶圆从预对准设备上取下，搬运到各个工位进行刻蚀等工艺流程加工，并将加工完的晶圆搬运到接口位置，等待大气机械手放回晶圆盒。这些工艺流程需要在真空环境下进行，机械手必须要完全满足真空洁净度要求，控制精度和可靠性要求极高。一般机构可由电力、液压、气动、人力驱动。佛山正规晶圆运送机械吸臂价位

主要代替人工从事场景危险的工作或者是代替密集型、重复性高的动作。佛山正规晶圆运送机械吸臂价位

    目前，直拉法是生长晶圆**常用的方法了，除了直拉法之外，常用的方法还有区熔法。区熔法，简称Fz法。1939年，在贝尔实验室工作的W·G·Pfann较早萌生了“区域匀平”的念头，后来在亨利·休勒、丹·多西等人的协助下，生长出了高纯度的锗以及硅单晶，并获得了**。这种方法是利用热能在半导体多晶棒料的一端产生一熔区，使其重结晶为单晶。使熔区沿一定方向缓慢地向棒的另一端移动，进而通过整根棒料，使多晶棒料生长成一根单晶棒料，区熔法也需要籽晶，且**终得到的柱状单晶锭晶向与籽晶的相同。 佛山正规晶圆运送机械吸臂价位

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