韶关原装晶圆运送机械吸臂维修

一种晶圆传输装置及其真空吸附机械手，该真空吸附机械手包括：手臂；固定在所述手臂上的吸附绝缘凸台；设置在所述手臂和吸附绝缘凸台内的真空气道；所述吸附绝缘凸台用于吸附待传送晶圆的背面，所述吸附绝缘凸台的硬度小于所述待传送晶圆的背面的硬度。由于吸附绝缘凸台的硬度小于待传送晶圆的背面的硬度，故利用真空吸附机械手将晶圆传送至所需位置之后，晶圆的背面中与真空吸附机械手接触的位置不会形成印记，提高了晶圆的合格率。通用性强，能适应多种作业；工艺性好，便于维修调整。通用性强，能适应多种作业；工艺性好，便于维修调整。韶关原装晶圆运送机械吸臂维修

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是：现有机械手臂易出现碰撞损伤，且传送晶圆效率较低。

为了解决上述问题，本实用新型的一个实施例提供了一种机械手臂，其包括：托板；固定在所述托板上的绒毛垫，所述绒毛垫至少部分裸露于所述托板的用于承载晶圆的表面，并适于在与所述表面之上的晶圆接触时利用范德华力吸附晶圆。

可选地，所述绒毛垫包括托垫和绒毛，所述托垫固定在所述托板上，所述绒毛固定在所述托垫上。

可选地，所述托板设有贯穿所述表面的螺纹通孔，所述托垫嵌设在所述螺纹通孔内，并通过与所述螺纹通孔螺纹配合的螺钉固定在所述托板上。

可选地，所述绒毛为硅树脂橡胶绒毛或聚酯树胶绒毛。

可选地，所述机械手臂上所有绒毛的黏合力之和为6N以上。

可选地，所述绒毛垫上的绒毛排列成环形。

可选地，所述绒毛垫的数量为三个以上，各个所述绒毛垫之间间隔排布。 中山销售晶圆运送机械吸臂什么价格手臂。起着连接和承受外力的作用。

    近年来全球硅晶圆供给不足，导致8英寸、12英寸硅晶圆订单能见度分别已达2019上半年和年底。目前国内多个硅晶圆项目已经开始筹备，期望有朝一日能够打破进口依赖，并有足够的能力满足市场需求。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式***存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。一，晶柱制造步骤硅提纯:将沙石原料放入一个温度约为2000℃，并且有碳源存在的电弧熔炉中，在高温下，碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应（碳氧结合，得硅），提纯得纯度约为98%的纯硅，又称冶金级硅，这对微电子器件来说依然不够纯，因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度相当的敏感，因而对冶金级硅作进一步提纯：将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应，生成液态的硅烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度达99%，成为电子级硅。

本发明针对现有技术中的不足，提供了一种晶圆搬运机械手，本发明的机械手在传送过程中晶片中心始终保证直线运动，且角度不会发生改变。从而提高机械手整体刚度和承重能力，同时提高了重复定位精度。本发明结构合理性能稳定，维护方便，多功能集一身，可满足多种工艺设备要求，适用于各种半导体设备。

为了解决上述技术问题，本发明通过下述技术方案得以解决：一种晶圆搬运机械手，包括升降轴、旋转轴和伸展轴，其特征为，所述的伸展轴包括伸展电机、一级伸展臂、二级伸展臂和手指固定座，所述的一级伸展臂与所述伸展电机之间设置有一级关节，所述的一级伸展臂与所述的二级伸展臂之间设置有二级关节，所述的二级伸展臂和所述的手指固定座之间设置有三级关节，所述的伸展电机、所述的一级关节、所述的二级关节和所述的三级关节依次传动，所述的手指固定座始终保持直线运动。

注塑行业机械臂常称为注塑机机械手、塑料机机械手。

半导体行业，尤其是集成电路领域，晶圆的身影随处可见。

晶圆就是一块薄薄的、圆形的高纯硅晶片，而在这种高纯硅晶片上可以加工制作出各种电路元件结构，使之成为有特定电性功能的集成电路产品。

眼前这密密麻麻的元器件，被整整齐齐的安放在一块单晶硅材料之上，都是规规矩矩、方方正正的。可见，晶圆在实际应用之中还是要被切割成方形的。

所以疑问️来了——硅片为什么要做成圆的？为什么是“晶圆”，而不做成“晶方”？

要解释这个问题，有两方面的原因：一方面似乎是由“基因决定的”；另一方面是“环境造成的”。

本发明针对现有技术中的不足，提供了一种晶圆搬运机械手，本发明的机械手在传送过程中晶片中心始终保证直线运动，且角度不会发生改变。从而提高机械手整体刚度和承重能力，同时提高了重复定位精度。本发明结构合理性能稳定，维护方便，多功能集一身，可满足多种工艺设备要求，适用于各种半导体设备。

手臂就要产生振动，或动作时工件卡死无法工作。东莞新款晶圆运送机械吸臂代理厂家

对了悬臂式的机械手，还要考虑零件在手臂上布置。韶关原装晶圆运送机械吸臂维修

    目前，直拉法是生长晶圆**常用的方法了，除了直拉法之外，常用的方法还有区熔法。区熔法，简称Fz法。1939年，在贝尔实验室工作的W·G·Pfann较早萌生了“区域匀平”的念头，后来在亨利·休勒、丹·多西等人的协助下，生长出了高纯度的锗以及硅单晶，并获得了**。这种方法是利用热能在半导体多晶棒料的一端产生一熔区，使其重结晶为单晶。使熔区沿一定方向缓慢地向棒的另一端移动，进而通过整根棒料，使多晶棒料生长成一根单晶棒料，区熔法也需要籽晶，且**终得到的柱状单晶锭晶向与籽晶的相同。 韶关原装晶圆运送机械吸臂维修

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