接下来是单晶硅生长,**常用的方法叫直拉法(CZ法)。如下图所示,高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热,温度维持在大约1400 ℃,炉中的气体通常是惰性气体,使多晶硅熔化,同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅,还需要控制晶体的方向:坩埚带着多晶硅熔化物在旋转,把一...
2.喷涂机械臂 这种机械臂多用于喷漆生产线上,重复位姿精度要求不高。但由于漆雾易燃,一般采用液压驱动或交流伺服电机驱动。3.焊接机械臂 这是目前使用**多的一类机械臂,它又可分为点焊和弧焊两类。点焊机械臂负荷大基本介绍当提到机械人时,许多人会想到有手,有脚的人型机械.不过, 这类机械人往往出现在科幻电影,***所,展览会和玩具店中,它们与工业用的机械人大不相同. 工业机械人(Industrial Robots)简称为IR,它们大多为简单的操作设备,有时会被称为机械臂,例如:进行简单的提起或放下动作,在机器内放入或取出工件等.不过,亦有不少工业机械人可以完全用程式控制,并可进行不同类型工作,机械手臂根据结构形式的不同分为多关节机械手臂.官方晶圆运送机械吸臂哪里好

本发明涉及一种半导体制造技术,尤其是一种用于晶圆搬运的机械手。
背景技术:
在半导体加工设备中,经常需要将晶圆在各个工位之间进行传送,在传送的过程中,传送精度越高,设备工艺一致性就越好,速度越快,单台设备的产能就越大。随着半导体工艺的发展,设备处理的工艺越来越复杂,对设备自动化程度、柔性化程度要求也越来越高,这就需要一种定位精度高,速度快的多自由度的机械手。
技术实现要素:
本发明针对现有技术中的不足,提供了一种晶圆搬运机械手,本发明的机械手在传送过程中晶片中心始终保证直线运动,且角度不会发生改变。从而提高机械手整体刚度和承重能力,同时提高了重复定位精度。本发明结构合理性能稳定,维护方便,多功能集一身,可满足多种工艺设备要求,适用于各种半导体设备。
韶关原装晶圆运送机械吸臂上门服务手臂的结构要紧凑小巧,才能做手臂运动轻快、灵活。

本发明针对现有技术中的不足,提供了一种晶圆搬运机械手,本发明的机械手在传送过程中晶片中心始终保证直线运动,且角度不会发生改变。从而提高机械手整体刚度和承重能力,同时提高了重复定位精度。本发明结构合理性能稳定,维护方便,多功能集一身,可满足多种工艺设备要求,适用于各种半导体设备。
为了解决上述技术问题,本发明通过下述技术方案得以解决:一种晶圆搬运机械手,包括升降轴、旋转轴和伸展轴,其特征为,所述的伸展轴包括伸展电机、一级伸展臂、二级伸展臂和手指固定座,所述的一级伸展臂与所述伸展电机之间设置有一级关节,所述的一级伸展臂与所述的二级伸展臂之间设置有二级关节,所述的二级伸展臂和所述的手指固定座之间设置有三级关节,所述的伸展电机、所述的一级关节、所述的二级关节和所述的三级关节依次传动,所述的手指固定座始终保持直线运动。
一种用于传送晶圆的真空吸附机械手,其特征在于,包括:手臂;固定在所述手臂上的吸附绝缘凸台;设置在所述手臂和吸附绝缘凸台内的真空气道;所述吸附绝缘凸台呈环形,所述吸附绝缘凸台所围成的空间构成所述真空气道的其中一段;位于所述吸附绝缘凸台内的伪绝缘凸台,所述伪绝缘凸台与手臂一体成型,所述真空气道的其中一段位于所述伪绝缘凸台内;在垂直于所述手臂的方向上,所述吸附绝缘凸台比所述伪绝缘凸台突出;所述吸附绝缘凸台用于吸附待传送晶圆的背面,所述吸附绝缘凸台的硬度小于所述待传送晶圆的背面的硬度。真空腔体开口于所述铝合金平板上表面.

与传统的SCARA型搬运机械手相比,蛙腿型机械手的传动机构更简单,刚性更高,且工作效率更高。如上图所示,蛙腿型机械手手臂为对称双连杆的并联结构,包括1对大臂和2对小臂。2个直驱电机分别通过2个同轴的旋转轴连接大臂,大臂末端通过4个旋转轴连接尺寸相同的2对小臂,2对小臂的末端又通过2个旋转轴连接晶圆托盘。 该机械手虽然只有3个电机,但水平连杆却有10个旋转关节,因此对整个真空机械手建立旋转关节坐标与末端晶圆托盘坐标之间的函数关系是一个复杂的过程柔性机械臂具有较低的能耗、较大的操作空间和很高的效率。韶关进口晶圆运送机械吸臂供应商家
单轴机械手臂作为一个组件在工业中应用***。官方晶圆运送机械吸臂哪里好
为了解决使用机器语言编写应用程序所带来的一系列问题,人们首先想到了使用助记符号来代替不容易记忆的机器指令。这种助记符号来表示计算机指令的语言称为符号语言,也称汇编语言。在汇编语言中,每一条用符号来表示的汇编指令与计算机机器指令一一对应;记忆难度**减少了,不仅易于检查和修改程序错误,而且指令、数据的存放位置可以由计算机自动分配。用汇编语言编写的程序称为源程序,计算机不能直接识别和处理源程序,必须通过某种方法将它翻译成为计算机能够理解并执行的机器语言,执行这个翻译工作的程序称为汇编程序。官方晶圆运送机械吸臂哪里好
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接下来是单晶硅生长,**常用的方法叫直拉法(CZ法)。如下图所示,高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热,温度维持在大约1400 ℃,炉中的气体通常是惰性气体,使多晶硅熔化,同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅,还需要控制晶体的方向:坩埚带着多晶硅熔化物在旋转,把一...
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