双向晶闸管是在普通晶闸管的基础上发展起来的。它不可以取代两个并联的反向极性晶闸管，而且只需要一个触发电路，它是理想的AC开关设备，其英文名称TRIAC表示三端双向AC交换机。双向可控硅的特性与使用构造原理尽管双向晶闸管可以看作是两个普通晶闸管的组合，但它实际上是由七个晶体管和多个电阻器组成的功率集成器件。低功率双向晶闸管通常采用塑料封装，有些还具有散热片。典型的产品是BCMlAM（1A/600V），BCM3AM（3A/600V），2N6075（4A/600V），MAC218-10（8A/800V）等。大功率三端双向可控硅开关主要采用RD91封装。三端双向可控硅开关的主要参数如附表所示。双向晶闸管属于NPNPN五层器件，三个电极分别为T1，T2和G，由于器件可以双向连接，因此除了栅极G之外的两个电极统称为主端子，并且使用T1和T2。表示它不再分为阳极或阴极。其特征在于，当G极和T2极的电压相对于T1相对为正时，T2是阳极而T1是阴极。相反，当G和T2极的电压相对于T1为负时，T1变为阳极而T2变为阴极。由于正向和反向特性曲线的对称性，三端双向可控硅开关的伏安特性可以在任一方向上接通。以上就是淄博可控硅模块厂家和大家讲解的双向可控硅的特性与使用，现在使用的是单向晶闸管。淄博正高电气降低客户风险才是能够良好合作的开始。湖南单向可控硅模块
开关的开启和关闭引起的脉冲电压分为以下两类：（1）交流电源接通、断开产生的过电压如交流开关分合、交流侧熔断器熔断等引起的过电压，由于变压器绕组的分布电容、漏抗引起的谐振回路、电容分压等原因，这些过电压值是正常值的2～10倍以上。一般来说，开闭速度越快，过电压越高，则在无负载下断开晶闸管模块时过电压就越高。（2）直流侧产生的过电压例如，如果切断电路的电感较大，或者切断时电流值较大，就会产生较大的过电压。当负载被移除，可控硅模块的开路被打开，或者快速熔断器的熔体燃烧是由电流的突然变化引起时，就会发生这种情况。以上就是可控硅模块受过电压的损坏，希望通过这篇文章可以对您有所帮助。可控硅模块分为压接式和焊接式，两者有什么区别呢？可控硅模块具有体积小、结构简单、方便操作、安全可靠等优点，对于电气行业起着至关重要的作用，它的分类也是比较多，不同类型具有不同的功能，下面正高电气来说说压接式可控硅模块和焊接式可控硅模块的区别有哪些？①从电流方面来讲，焊接式可控硅模块可以做到160A电流，同时压接式模块的电流就能够达到1200A，这就是讲低于160A的模块，不只是有焊接式的，同时也有压接式的。②从外形方面来讲。山西可控硅触发板模块淄博正高电气产品流行于国内。
因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。3.对通态电压VTM的选择：它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。4.对维持电流：IH是维持可控硅保持通态所必需的极小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。5.对电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。我们大家都知道，可控硅模块也被称为晶闸管。凭借着体积小、效率高、寿命长等优点，可控硅被普遍的应用在调速系统以及随动系统中。任何的东西都有其使用的寿命，可控硅也不例外，可控硅模块使用时间长了，它的温度就会升高，如果温度过高就容易损坏，并且降低使用寿命，这就需要大家跟随正高小编来看看可控硅模块的升温方法：1可控硅模块环境温度的测定：在距被测可控硅模块表面，温度计测点距地面的高度与减速机轴心线等高。
可控硅器件与双极型晶体管有密切的关系，二者的传导过程皆牵涉到电子和空穴，但可控硅的开关机制和双极晶体管是不同的，且因为器件结构不同，可控硅器件有较宽广范围的电流、电压控制能力。现今的可控硅器件的额定电流可以从几毫安到5000A以上，额定电压可以超过10000V。可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。该器件被P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。可控硅调速是用改变可控硅导通角的方法来改变电机端电压的波形，从而改变电机端电压的有效值,达到调速的目的。淄博可控硅模块厂家当可控硅导通角=180时,电机端电压波形为正弦波,即全导通状态;当可控硅导通角<180时,即非全导通状态,电压有效值减小；导通角越小，导通状态越少,则电压有效值越小，所产生的磁场越小，则电机的转速越低。由以上的分析可知,采用可控硅调速其电机的转速可连续调节。以上就是正高小编和大家讲解的可控硅调速原理。众所周知，双向可控硅是在可控硅的基础上发展而成的，它不能代替两只反极性并联的可控硅。淄博正高电气深受各界客户好评及厚爱。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。若用于锯齿波器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG晶闸管。若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。2.晶闸管的主要参数：晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的极大工作电压和极大工作电流。晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极的控制电路）的各顶要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。以上就是可控硅和晶闸管的选取方法，希望对大家有帮助。可控硅型号分类随着现活的不断发展，“电”已经成为人们必不可少的东西，电器的使用也越来越频繁，说到电器。淄博正高电气不断从事技术革新，改进生产工艺，提高技术水平。东营可控硅智能调压模块厂家
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在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。它的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。可以从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。以上就是正高的小编为大家带去的关于可控硅模块的了解，希望会对大家带去一定的帮助！可控硅模块遇到的相关问题可控硅模块因为使用的时间的增长，肯定或多或少地出现发热的这种情况，为了是可控硅正常运行，我们不得不采取一些措施，针对这种发热的问题，我们将会针对这个问题采取一定的措施，比如购买散热器，或者其他的种类。所以正高电气的小编将会针对这个可控硅模块的问题进行分析一下：1.需要散热的面积，是与这个模块的电流有着直接的联系的。2.采取怎样的冷却方式是有这个环境散热的条件来确定的，比如说：自然去冷却这个发热的问题、用强迫的风冷去降温或者说用水冷却。3.使用什么样的散热器，取决于外形、体积以及空间的大小。铝型材散热器是绝大多数用户将会选择的，但是为了让客户选择的散热器满足实际的要求，还应该学会计算出这个散热器的占地面积，比如说像长度或者面积。所以在特新表上需要标注出散热的面积，这样计算的话就相对简单了。可控硅模块所需散热面积=。湖南单向可控硅模块
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