可控硅器件与双极型晶体管有密切的关系,二者的传导过程皆牵涉到电子和空穴,但可控硅的开关机制和双极晶体管是不同的,且因为器件结构不同,可控硅器件有较宽广范围的电流、电压控制能力。现今的可控硅器件的额定电流可以从几毫安到5000A以上,额定电压可以超过10000V。可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。该器件被P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。可控硅调速是用改变可控硅导通角的方法来改变电机端电压的波形,从而改变电机端电压的有效值,达到调速的目的。淄博可控硅模块厂家当可控硅导通角=180时,电机端电压波形为正弦波,即全导通状态;当可控硅导通角<180时,即非全导通状态,电压有效值减小;导通角越小,导通状态越少,则电压有效值越小,所产生的磁场越小,则电机的转速越低。由以上的分析可知,采用可控硅调速其电机的转速可连续调节。以上就是正高小编和大家讲解的可控硅调速原理。众所周知,双向可控硅是在可控硅的基础上发展而成的,它不能代替两只反极性并联的可控硅。淄博正高电气欢迎朋友们指导和业务洽谈。吉林可控硅三相整流模块哪家好
50Hz正弦半波电流的平均值可以在阳极和阴极之间连续通过。当控制极开路未触发,阳极正向电压不超过导电电压时,正向阻断峰值电压vpf可重复施加在晶闸管两端。晶闸管的峰值正电压不应超过手册中给出的参数。反向阻断峰值电压vpr当受控硅加反向电压处于反向开关状态时,反向峰值电压可在受控硅的两端重复。使用时,不能超过手册中给出的此参数值。可控硅的特点:在指定的环境温度下,当控制极触发电流IG1和触发电压VGT被加到阳极和阴极之间的特定电压时,晶闸管从关断状态到导通状态所需的较小控制极电流和电压。将电流IH维持在指定的温度,控制极开路,并保持晶闸管导电所需的较小阳极正向电流。许多新型晶闸管元件相继问世,如适用于高频应用的快速晶闸管,可由正、负触发信号控制,可由正触发信号导通。用负触发信号把它关掉的晶闸管,以此类推。可控硅晶闸管模块和其他设备一样,在实际使用过程中会因为自身的功耗而变热。如果不采取适当的措施发射热量,则很可能导致模块的PN结温度急剧上升。该装置的特性不断恶化,直至完全损坏。因此,为了保证可控硅晶闸管模块的正常使用,合理的散热是非常重要的。上海可控硅移相触发模块厂家我们愿与您共同努力,共担风雨,合作共赢。
正高小编给大家带来的是:怎样用表来测试可控硅的好坏。希望对大家有所帮助。我们都知道:可控硅是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点,从而在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了普遍的应用。怎么判断判定可控硅的电极小功率可控硅的电极从外形上可以差别,一般阳极为外壳,阴极线比控制极引线长。如果其它型式的封装,不知电极引线时可以用万用表的电阻档进行判别。方法是将负表笔试接某一电极,正表笔依次碰触另外两个电极,假如有一次阻值很小(约几百欧姆),另一次阻值很大(约几千欧姆),说明负表笔接的正是控制极(G)。在阻值小的那次测量中,接正表笔的一端是阴极(C或K),阻值大的那次,接正表笔的是阳极(A);若两次测出的阻值均很大,说明负表笔接的不是控制极,应更换另外一个电极,重复上述判别.怎么检查可控硅的好坏对于一个良好的可控硅应包括以下内容:1.三个PN结均是良好的。2.可控硅反向电压时能够阻断,不导通3可控硅正向在控制极开路时能够阻断4如果控制极加了正向电流,而阳极加正向电压时可控硅可以导通,且撤去控制极电流后仍能维持导通。检查好坏的方法:测极电阻。
只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时,器件才可恢复到关闭状态。多种用途的,根据结构及用途的不同,它已有很多不同的类型,除上述介绍的整流用普通可控硅之外还有;1、快速的。这种可以工作在较高的频率下,用于大功率直流开关、电脉冲加工电源、激光电源和雷达调制器等电路中。2、双向的。它的特点是可以使用正的或负的控制极脉冲,控制两个方向电流的导通。它主要用于交流控制电路,如温度控制、灯米调节及直流电极调速和换向电路等。3、逆导的。主要用于直流供电国辆(如无轨电车)的调速。4、可关断的。这是一种新型产品,它利用正的控制极脉冲可触发导通,而用负的控制极脉冲可以关断阳极电流,恢复阻断状态。利用这种特性可以做成无触点开关或用直流调压、电视机中行扫描电路及高压脉冲发生器电路等。在性能上,可控硅模块不具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件,更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件开关损耗增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快。淄博正高电气以创百年企业、树百年品牌为使命,倾力为客户创造更大利益!
因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小,因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时,可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。3.对通态电压VTM的选择:它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗,应尽可能选择VTM小的可控硅。4.对维持电流:IH是维持可控硅保持通态所必需的极小主电流,它与结温有关,结温越高,则IH越小。5.对电压上升率的:dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。我们大家都知道,可控硅模块也被称为晶闸管。凭借着体积小、效率高、寿命长等优点,可控硅被普遍的应用在调速系统以及随动系统中。任何的东西都有其使用的寿命,可控硅也不例外,可控硅模块使用时间长了,它的温度就会升高,如果温度过高就容易损坏,并且降低使用寿命,这就需要大家跟随正高小编来看看可控硅模块的升温方法:1可控硅模块环境温度的测定:在距被测可控硅模块表面,温度计测点距地面的高度与减速机轴心线等高。淄博正高电气公司秉承着“标准、精细、超越、求精”的质量方针。浙江单相可控硅调压模块生产厂家
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目前使用较多的是双向可控硅模块;可控硅模块具有体积小、结构相对来说简单以及功能性强、重量轻等优点。但是,可控硅模块本身也是存在着抗干扰能力差、在控制大电感负载时会干扰电网和自干扰等缺点,正高小编就和大家看看怎样来避免可控硅模块的这些缺点:一灵敏度双向可控硅是一个三端元件,但我们不再称其两极为阴阳极,而是称作T1和T2极,G为控制极,其控制极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制极导通,二可控硅模块过载的保护可控硅模块优点很多,但是它过载能力差,短时间的过流,过压都会造成元件损坏,因此为保证元件正常工作,需有:1外加电压下允许超过正向转折电压,否则控制极将不起作用;2可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按极大电流的~2倍来取;3为保证控制极可靠触发,加到控制极的触发电流一般取大于其额值。三可控硅模块控制大电感负载时的干扰电网和自干扰的解决方法可控硅模块控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象,其原因是当可控硅模块控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时,其线圈中的电流通路被切断,其变化率极大,因此在电感上产生一个高电压,这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端。吉林可控硅三相整流模块哪家好
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