可控硅模块的出现已经历史悠久，它的出现也帮助人们解决了很多难题，凭借它的优势，使可控硅模块在电气行业中非常的受欢迎，下面正高来详细的说下可控硅模块。
可控硅模块通常被称之为功率半导体模块（semiconductormodule）。刚开始是在1970年出现在电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧，并因此得到长足发展。 淄博正高电气有限公司以发展求壮大，就一定会赢得更好的明天。新疆大功率可控硅模块报价
满足可控硅模块工作的必要条件：
（1）+12V直流电源：可控硅模块内部控制电路的工作电源。
①可控硅模块输出电压要求：+12V电源：12±0.5V ，纹波电压小于20mv 。
②可控硅模块输出电流要求：标称电流小于500安培产品：I+12V＞0.5A，标称电流大于500安培产品：I+12V＞ 1A。
（2）可控硅模块控制信号：0～10V或4～20mA控制信号，用于对输出电压大小进行调整的控制信号，正极接CON10V或CON20mA，负极接GND1。
（3）可控硅模块供电电源和负载：供电电源一般为电网电源，电压460V以下的或者供电变压器，接可控硅模块的输入端子；负载为用电器，接可控硅模块的输出端子。 德州小功率可控硅模块生产厂家淄博正高电气有限公司周边生态环境状况好。
可控硅模块在应用电路中的作用体现在：
可控整流器：如二极管整流器，交流整流器整流为直流，在交流电压不变的情况下，可有效控制直流输出电压，实现交流/直流的转换。
无触点电源静态开关（固态开关）：晶闸管模块作为电源开关元件，可在开关频率较高的场合替代接触器和继电器。
因此，可控硅模块普遍应用于各种电子设备和电子产品中，如可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。晶闸管模块广泛应用于家用电器的工业控制领域，如调光灯、调速风扇、空调、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、语音控制电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、玩具装置等。电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等领域都大量的使用了可控硅模块。
选择可控硅模块时不能只看表面，应参考实际工作条件来选择，选用可控硅模块的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。
1.可控硅模块的冷却及环境条件:
(1)强迫风冷：风速≥6m/s，风温≤40℃；
(2)水冷：流量≥4L/mm，压强0.2±0.03Mpa。水温≤35℃. 水电阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；
(3)自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃；
(4)空气相对湿度≤85%；
(5)空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃；
(6)气压86—106Kpa；
(7)无剧烈震动或冲击；
(8)若有特殊场合，应进行相应的试验，证明工作可靠方可使用。 淄博正高电气有限公司过硬的产品质量、质量的售后服务、认真严格的企业管理，赢得客户的信誉。
可控硅模块的使用注意事项
1.在选择可控硅模块的额定电流时，应注意的是，除考虑通过元件的平均电流外，还必须注意正常运行过程中传导角的大小、散热和通风条件等因素，同时，管壳的温度不得超过相应电流的允许值。
2.使用可控硅模块时，使用万用表检查可控硅模块是否处于良好状态，如有短路或断路，应立即更换。
3.严禁使用兆欧表来检查部件的绝缘情况。
4.率大于5A的可控硅模块，应安装散热器，并保证规定的冷却条件。同时，为保证散热器与可控硅模块管芯接触良好，应在两者之间涂一层有机硅油或硅脂，以利于更好的散热。
5.根据规定，主电路中的可控硅模块采用过电压和过电流保护装置。
6.防止控制极正向过载和反向击穿。 淄博正高电气有限公司产品**国内。德州小功率可控硅模块生产厂家
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双向可控硅晶闸管使用中，应特别注意以下事项：
1.灵敏度
双向可控硅是一个三端元件，但我们不再称其两极为阴阳极，而是称作T1和T2极，G为控制极，其控制极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制极导通，但是触发灵敏度互不相同，即保证双向可控硅能进入导通状态的较小门极电流IGT是有区别的。
2.可控硅过载的保护
可控硅元件优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成元件损坏，因此为保证元件正常工作，需有条件：
（1）外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用；
（2）可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按较大电流的1.5~2倍来取；
（3）为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以。
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