二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。半导体二极管的非线性电流-电压特性。金华瞬变抑制二极管测量方法
二极管中的电子二极管只具有一个阴极与一个 阳极（板极）的 电子管。也叫真空二极管。只它是靠被 灯丝加热的阴极发射电子导电的。具有单向导电性能，即阳极电位高于阴极时，阴极发射的电子在电场的作用下，向阳极运动形成 电子流。而阴极电压比阳极高时，电子所受到的 电场力是将电子拉回阴极的，不能产生电流，一般用于整流与检波，有真空与充气（充有 惰性气体）两种电子 二极管。充气二极管也可以做稳压、指示、控制之用。二极管的导通和截止状态完成开与关功能。开关二极管就是利用这种特性，且通过制造工艺，开关特性更好，即开关速度更快，PN结的结电容更小，导通时的内阻更小，截止时的电阻很大。浙江双向触发二极管安装方式二极管具有阳极和阴极两个端子，电流只能往单一方向流动。
二极管的结构组成：二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。 二极管的电路符号所示。二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示。
二极管的发现和发展:1874年，德国物理学家卡尔·布劳恩在卡尔斯鲁厄理工学院发现了晶体的整流能力。因此1906年开发出的代二极管——“猫须二极管”是由方铅矿等矿物晶体制成的。20世纪初，由于无线电接收器探测器的需要，热离子二极管（真空管）和固态二极管（半导体二极管）大约在相同的时间分别研发。直到20世纪50年代之前，真空管二极管在收音机中都更为常用。这是因为早期的点接触式半导体二极管（猫须探测器）并不稳定，并且那时大多数的收音机放大器都是由真空管制成，二极管可以直接放入其中。而且那时真空管整流器和充气整流器处理一些高电压、高电流整流任务的能力更是远在半导体二极管（如硒整流器）之上。现如今的二极管大多是使用硅来生产，锗等其它半导体材料有时也会用到。目前常见的结构是，一个半导体性能的结晶片通过PN结连接到两个电终端。有两种工作状态:截止和导通。
平面型二极管：在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上光选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。二极管开路和短路时，都不能完成检波任务，所以收音电路均会出现收音无声故障。金华隔离二极管多少钱
平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小，用于大功率整流时PN结面积较大。金华瞬变抑制二极管测量方法
二极管VD1温度补偿电路分析：根据二极管VD1在电路中的位置，对它的工作原理分析思路主要说明下列几点：（1）VD1的正极通过R1与直流工作电压+V相连，而它的负极通过R2与地线相连，这样VD1在直流工作电压+V的作用下处于导通状态。理解二极管导通的要点是：正极上电压高于负极上电压。（2）利用二极管导通后有一个0.6V管压降来解释电路中VD1的作用是行不通的，因为通过调整R1和R2的阻值大小可以达到VT1基极所需要的直流工作电压，根本没有必要通过串入二极管VD1来调整VT1基极电压大小。金华瞬变抑制二极管测量方法
深圳市盟科电子科技有限公司是一家集研发、制造、销售为一体的****，公司位于深圳市光明新区凤凰街道松白路4048号塘尾社区宝塘工业区A1、A2栋厂房，成立于2010-11-30。公司秉承着技术研发、客户优先的原则，为国内{主营产品或行业}的产品发展添砖加瓦。主要经营MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器等产品服务，现在公司拥有一支经验丰富的研发设计团队，对于产品研发和生产要求极为严格，完全按照行业标准研发和生产。深圳市盟科电子科技有限公司研发团队不断紧跟MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器行业发展趋势，研发与改进新的产品，从而保证公司在新技术研发方面不断提升，确保公司产品符合行业标准和要求。深圳市盟科电子科技有限公司严格规范MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器产品管理流程，确保公司产品质量的可控可靠。公司拥有销售/售后服务团队，分工明细，服务贴心，为广大用户提供满意的服务。
