二极管的结构组成：二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。 二极管的电路符号所示。二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示。二极管具有单向导电性，二极管的伏安特性曲线。绍兴快恢复二极管用途
二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。 当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。绍兴特快恢复二极管厂家直销二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。
正向偏压（Forward Bias）二极管的阳极侧施加正电压，阴极侧施加负电压，这样就称为正向偏置，所加电压为顺向偏压。如此N型半导体被注入电子，P型半导体被注入电洞。这样一来，让多数载流子过剩，空乏层缩小、消灭，正负载流子在PN接合部附近结合并消灭。整体来看，电子从阴极流向阳极（电流则是由阳极流向阴极）。在这个区域，电流随著偏压的增加也急遽地增加。伴随著电子与电洞的再结合，两者所带有的能量转变为热（和光）的形式被放出。能让正向电流通过的必要电压被称为开启电压，特定正向电流下二极管两端的电压称为正向压降。
光电二极管特性可以用一个等效电路模型表示，该模型由一个理想的二极管一个电流源和其他寄生的电阻电容构成。其中电流源表示了光电二极管产生的光电流信号，理想二极管表示了P-N结，体现了光电二极管正向偏压状态时的电压条件。旁路电阻R表示了光电二极管的伏安特性曲线中的斜率，即偏压为零时的结电阻。对理想的光电二极管来说，旁路电阻是无穷大的，但实际应用中旁路电阻阻值的变化为10- 1000M。旁路电阻影响了光电二极管的暗电流噪声，光电二极管的性能越好，其旁路电阻越大。串联电阻R是由接触电阻和未耗尽的体电阻构成，大小与光电二极管的尺寸、偏压有关；结间电容C表示了光电二极管P-N结的电荷存储能力，与二极管面积和反向电压有关。有两种工作状态:截止和导通。
二极管在20世纪20年代由热离子二极管所取代。20世纪50年代，高纯度的半导体材料出现。因为新出现的锗二极管价格便宜，晶体收音机重新开始被大规模使用。贝尔实验室还开发了锗二极管微波接收器。20世纪40年代中后期，美国电话电报公司在美国四处新建的微波塔上开始应用这种微波接收器，主要用于传输电话和网络电视信号。不过贝尔实验室并未研发出效果令人满意的热离子二极管微波接收器。之后随着量子力学和半导体材料的发展和应用，逐渐发展并形成了目前人们使用的半导体二极管结构和配套的应用产业。当发光二极管正向偏置通过电流时会发出光来，这是由于电子与空穴直接复合时放出能量的结果。特快恢复二极管特性
二极管初被发明时通常被称作“整流器”。绍兴快恢复二极管用途
光电二极管的主要部分是P-N结，和普通的二极管一样，P-N结属于单向导电的非线性元件，在P-N结中存在一个从N区指向P区的内电场E。在热平衡的条件下(无光照下)，多数载流子(N区的电子和P区的空穴)的扩散作用与少数载流子(N区的空穴和P区的电子)的漂移作用相互抵消，没有净电荷通过P-N结。有光照射在P-N结及附近区域时，如果照射的光子有足够大的能量，那么就会在P-N结及附近区域产生少数光生载流子。少数光生载流子靠扩散作用进入P-N结区，并在内电场E的作用下，电子漂移到N区，空穴漂移到P区，使N区带负电荷，P区带正电荷，进而产生附加电势，我们把这个电势叫做光生电动势。 当有外加偏压，且外加偏压方向与P一结内电场 一致时，光生载流子在势垒区电场作用下漂移过P-N结，形成导电电流。绍兴快恢复二极管用途
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