小功率晶体二极管判别正、负电极(1)观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。(2)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上,通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端则为负极。 (3)以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。观察二极管外壳,带有银色带一端为负极。当发光二极管正向偏置通过电流时会发出光来,这是由于电子与空穴直接复合时放出能量的结果。中山原装二极管厂家直销

开关二极管的势垒电容一般极小,这就相当于堵住了势垒电容这条路,达到了在高频条件下还可以保持好的单向导电性的效果。开关二极管从截止(高阻状态)到导通(低阻状态)的时间叫开通时间;从导通到截止的时间叫反向恢复时间;两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间,故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管的开关速度是相当快的,像硅开关二极管的反向恢复时间只有几纳秒,即使是锗开关二极管,也不过几百纳秒。开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点,普遍应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。江苏超快恢复二极管哪家好二极管在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。

二极管VD1温度补偿电路分析:利用二极管的管压降温度特性可以正确解释VD1在电路中的作用。假设温度升高,根据三极管特性可知,VT1的基极电流会增大一些。当温度升高时,二极管VD1的管压降会下降一些,VD1管压降的下降导致VT1基极电压下降一些,结果使VT1基极电流下降。由上述分析可知,加入二极管VD1后,原来温度升高使VT1基极电流增大的,现在通过VD1电路可以使VT1基极电流减小一些,这样起到稳定三极管VT1基极电流的作用,所以VD1可以起温度补偿的作用。
反向偏压(Reverse Bias)在阳极侧施加相对阴极负的电压,就是反向偏置,所加电压为逆向偏压。这种情况下,因为N型区域被注入电洞,P型区域被注入电子,两个区域内的主要载流子都变为不足,因此结合部位的空乏层变得更宽,内部的静电场也更强,扩散电位也跟著变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销,让反向的电流更难以通过。实际的元件虽然处于反向偏压状态,也会有微小的反向电流(饱和电流、漏电流、漂移电流)通过。当反向偏压持续增加时,还会发生隧道击穿或雪崩击穿或崩溃,发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的(反向)电压被称为击穿电压。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为击穿区(崩溃区)。在击穿区内,电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成,可以作为电压源使用。二极管由N区引出的电极是负极,又叫阴极。

光电二极管特性可以用一个等效电路模型表示,该模型由一个理想的二极管一个电流源和其他寄生的电阻电容构成。其中电流源表示了光电二极管产生的光电流信号,理想二极管表示了P-N结,体现了光电二极管正向偏压状态时的电压条件。旁路电阻R表示了光电二极管的伏安特性曲线中的斜率,即偏压为零时的结电阻。对理想的光电二极管来说,旁路电阻是无穷大的,但实际应用中旁路电阻阻值的变化为10- 1000M。旁路电阻影响了光电二极管的暗电流噪声,光电二极管的性能越好,其旁路电阻越大。串联电阻R是由接触电阻和未耗尽的体电阻构成,大小与光电二极管的尺寸、偏压有关;结间电容C表示了光电二极管P-N结的电荷存储能力,与二极管面积和反向电压有关。二极管由红外辐射效率高的材料(常用砷化镓GaAs)制成PN结。嘉兴电子二极管价格
半导体二极管中,有利用P型和N型两种半导体接合面的PN结效应。中山原装二极管厂家直销
二极管的反向电流反向电流是指二极管在常温(25℃)和反向电压作用下,其流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250μA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500μA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流为5μA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。中山原装二极管厂家直销
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