场效应管在开关电路中的应用也非常的。当栅极电压高于一定阈值时，场效应管导通，相当于一个闭合的开关的；当栅极电压低于阈值时，场效应管截止，相当于一个断开的开关。由于场效应管的开关速度快的、损耗小，因此在数字电路的和功率电子领域中得到了大量的应用。例如，在计算机主板上的，场效应管被用于控制电源的开关，实现对各个部件的供电控制。在电动汽车的电机驱动系统中的，场效应管则作为功率开关，实现对电机的高效控制。作为开关元件，场效应管在电源转换中实现 DC-DC 或 AC-DC 转换。湖州耗尽型场效应管命名
如果我们在上面这个图中,将电阻Rc换成一个灯泡,那么当基极电流为0时,集电极电流为0,灯泡灭.如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管 的放大倍数 β),三极管就饱和,相当于开关闭合,灯泡就亮了.由于电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了,所以就可以用一个小电流来一个大电流的通 断.如果基极电流从0慢慢增加,那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之极管开关电路由开关三极管VT，电动机M，开关S，基极限流电阻器R和电源GB组成。VT采用NPN型小功率硅管8050，其集电极最大允许电流ICM可达1.5A，以满足电动机起动电流的要求。M选用工作电压为3V的小型直流电动机，对应电源GB亦为3V。加强型场效应管参数导通电阻小的场效应管在导通状态下能量损耗低，效率高。
场效应管MOSFET分类MOSFET分为两大类：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET起到的作用相当于一个开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总 是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电 压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。
场效应管，作为电子领域的重要元件之一，在现代电路中发挥着举足轻重的作用。它是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。与双极型晶体管相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、功耗小等优点。在实际应用中，场效应管用于放大、开关、稳压等电路中。其工作原理基于半导体中电场对载流子的控制。当在栅极上施加一定的电压时，会在半导体内部形成一个电场，这个电场可以改变沟道的导电性能，从而控制源极和漏极之间的电流。这种独特的工作方式使得场效应管在各种电子设备中都有着广泛的应用前景。它的制造工艺相对简单，易于集成在大规模集成电路中，为现代电子设备的小型化和高性能化提供了有力支持。
场效应管使用时应注意:（1）器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装。（2）取出的器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。（3）焊接用的电烙铁必须良好接地。（4）在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。（5）器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。（6）电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。（7）场效应晶体管的栅极在允许条件下，比较好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。场效应管的设计创新将不断满足电子设备对高性能、低功耗、小型化等多方面的需求，推动电子技术的进步。上海双极场效应管特点
在混频器中，场效应管将不同频率信号混合，实现信号调制和解调。湖州耗尽型场效应管命名
场效应管的测试判定:栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。湖州耗尽型场效应管命名
