选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册好。三极管的参数很多，其中必须了解的四个极限参数：ICM、BVCEO、PCM、fT、TON TOFF 等，可满足95%以上的使用需要。ICM是集电极大允许电流。三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降。为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作性能。 晶体三极管的原理是基于PN结的电子输运和控制。小电流三极管厂家现货
BVCEO是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电极电流，这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成性损坏或性能下降。 PCM是集电极大允许耗散功率。三极管在工作时，集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大，三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作，将会损坏三极管。需要注意的是大功率三极管给出的大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。 南通插件三极管价格晶体三极管的主要作用是放大电信号和控制电流。
三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于电子设备中。它是一种半导体器件，由三个掺杂不同的半导体材料组成，通常是n型、p型和n型。三极管具有放大、开关和稳压等功能，是现代电子技术中不可或缺的元件之一。三极管的基本原理是利用不同掺杂的半导体材料形成两个pn结，其中一个是发射结，另一个是集电结。发射结和集电结之间通过一个控制结构连接，称为基极。当在基极施加正向电压时，发射结和集电结之间的电流就会被控制。三极管的结构通常由一个n型半导体材料作为发射结，一个p型半导体材料作为基极，再加上一个n型半导体材料作为集电结。这种结构使得三极管具有放大电流和电压的能力。
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并且当基极的电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不再怎么变化，此时三极管失去电流放大作用，集电极和发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态，即为三极管的导通状态。开关三极管处于饱和导通状态的特征是发射结，集电结均处于正向偏置。而处于放大状态的三极管的特征是发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。这也是可以使用电压表测试发射结，集电结的电压值判定三极管工作状况的原理。开关三极管正是基于三极管的开关特性来工作的。三极管的电流放大倍数与工作温度有关。
三极管是一种半导体器件，由三个不同掺杂的半导体材料构成，通常是两个P型半导体和一个N型半导体。它的工作原理基于PN结的特性。三极管有三个电极，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。发射极和基极之间形成一个PN结，称为发射结；集电极和基极之间形成另一个PN结，称为集电结。当三极管处于正向偏置时，即发射极连接到负极，基极连接到正极，集电极连接到负极，发射结和集电结都处于正向偏置状态。此时，发射结的P区域和集电结的N区域之间形成一个薄的耗尽层，阻止电流流动。当在基极-发射极之间施加一个小的输入信号时，例如一个微弱的电流或电压，这个输入信号会引起发射结的耗尽层变窄，使得发射极的电流增加。这个增加的电流会通过集电结流入集电极，形成一个较大的输出电流。因此，三极管可以将一个小的输入信号放大为一个较大的输出信号。这种放大效应是通过控制基极电流来实现的。当基极电流增加时，发射极电流也会相应增加，从而导致集电极电流的增加。 硅三极管是常用的三极管，具有高稳定性、高可靠性、高温度稳定性和高频特性等优点。广州大号功率三极管接线图
三极管的工作原理是通过控制基区电流来控制集电区电流。小电流三极管厂家现货
双极型三极管的电流传输关系：发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是 IBN。小电流三极管厂家现货
