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二极管基本参数
  • 品牌
  • IXYS
  • 型号
  • MEA95-06DA
  • 半导体材料
  • 安装方式
  • 螺丝型,底座安装
  • 功率特性
  • 小功率
  • 频率特性
  • 低频
  • 封装方式
  • TO-240AA
  • 功耗
  • 详询
  • 正向电压降
  • 1.55V @100A
  • 最大反向工作电压
  • 600
  • 额定整流电流
  • 95
  • 结温
  • -40℃ ~ 150℃
  • 厂家
  • IXYS
二极管企业商机

载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结长久性损坏。[5]二极管反向电流反向电流是指二极管在常温(25℃)和高反向电压作用过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。[4]二极管动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。[4]二极管电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。[4]二极管高工作频率高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样,其结电容由势垒电容组成。所以高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。英飞凌二极管TT162N14KOF推荐联系上海寅涵智能科技。甘肃西门康快恢复二极管国内经销

二极管

一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。中文名整流二极管外文名rectifierdiode类别半导体器件特性单方向导电电流流向正极流入,负极流出包含PN结,有正极和负极两个端子损坏原因运行条件恶劣、运行管理欠佳等目录1概述2选用3特性4常用参数5损坏原因6代换7检查方法8常用型号9高频整流二极管的特性与参数整流二极管概述编辑整流二极管(rectifierdiode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。吉林大功率二极管厂家直供上海寅涵智能科技专业供应IR二极管 IRKT91-12 欢迎咨询。

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二极管的反向饱和电流受温度影响很大。3、击穿外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被长久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生早的半导体器件之一,其应用也非常广。二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降,锗管正向管压降为,发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光二极管的压降为,黄色发光二极管的压降为—,绿色发光二极管的压降为—,正常发光时的额定电流约为20mA。二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。[1]二极管原理二极管的原理编辑二极管工作原理。

    二极管的正向压降硅管约为(通常取),锗管约为(通常取)。·折叠反向特性(外加反向电压)反向特性即二极管反向偏置时的电压与电流的关系。反向电压加强了内电场对多子扩散的阻碍,多子几乎不能形成电流,但是少子在电场的作用下漂移,形成很小的漂移电流,且与反向电压的大小基本无关。此时的反向电流称为反向饱和电流尽,二极管呈现很高的反向电阻,处于截止状态。折叠反向击穿特性反向电压增加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为二极管的反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用%R表示。实际应用中,应该对反向击穿后的电流加以限制,以免损坏二极管。a、目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极。在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极。b、用万用表判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R*100或R*1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极。 上海寅涵智能科技经销各类品牌二极管,欢迎联系购买。

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外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。[5]当外加的反向电压高到一定程度时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。[5]二极管PN结形成原理P型半导体是在本征半导体(一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体)掺入少量三价元素杂质,如硼等。P型和N型半导体因硼原子只有三个价电子,它与周围的硅原子形成共价键,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空位,当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位,使硼原子成了不能移动的负离子,而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子,形成了空穴,但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子,如磷等。掺入后,它与硅原子形成共价键,产生了自由电子。在N型半导体中,电子为多数载流子。IXYS艾赛斯二极管VUI72-16NOXT国内经销商找哪家,推荐咨询上海寅涵智能科技。吉林大功率二极管厂家直供

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把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示,另外,整流二极管的参数除前面介绍的几个外,还有大整流电流,是指整流二极管长时间的工作所允许通过的大电流值。它是整流二极管的主要参数,是选项用整流二极管的主要依据。二极管特性曲线整流二极管常用参数编辑(1)大平均整流电流IF:指二极管长期工作时允许通过的大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。(2)高反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的大反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V,1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V,1N4007的VR为1000V(3)大反向电流IR:它是二极管在高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二极管质量越好。(4)击穿电压VB:指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时。甘肃西门康快恢复二极管国内经销

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