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1N5399硅整流二极管1000V,,1N5400硅整流二极管50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)1N5401硅整流二极管100V,3A,1N5402硅整流二极管200V,3A,1N5403硅整流二极管300V,3A,1N5404硅整流二极管400V,3A,1N5405硅整流二极管500V,3A,1N5406硅整流二极管600V,3A,1N5407硅整流二极管800V,3A,1N5408硅整流二极管1000V,3A,1S1553硅开关二极管70V,100mA,300mW,,1S1554硅开关二极管55V,100mA,300mW,,1S1555硅开关二极管35V,100mA,300mW,,1S2076硅开关二极管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2076A硅开关二极管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2471硅开关二极管80V,Ir≤≤,≤2PF,1S2471B硅开关二极管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,1S2471V硅开关二极管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,1S2472硅开关二极管50V,Ir≤≤,≤2PF,1S2473硅开关二极管35V,Ir≤≤,≤3PF,1S2473H硅开关二极管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2AN1二极管5A,f=100KHz2CK100硅开关二极管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2CK101硅开关二极管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK102硅开关二极管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK103硅开关二极管20V,100mA,2PF,100ma,2CK104硅开关二极管35V。原装二极管MMF200N070DK；广东西门康可控硅二极管代理货源

快速恢复整流二极管和超快恢复整流二极管在开关电源中作为整流器件使用时是否需要散热器，要根据电路的大功率来决定。一般情况下，这些二极管在制造时允许的结温在175℃，生产厂家对该指标都有技术说明，以提供给设计者去计算大的输出工作电流、电压及外壳温度等。肖特基整流二极管即使在大的正向电流作用下，其正向压降也很低，有，而且，随着结温的增加，其正向压降更低，因此，使得肖特基整流二极管特别适用于5V左右的低电压输出电路中。肖特基整流二极管的反向恢复时间是可以忽略不计的，因为此器件是多数载流子半导体器件，在器件的开关过程中，没有少数载流子存贮电荷的问题。肖特基整流二极管有两大缺点：其一，反向截止电压的承受能力较低，产品大约为100V;其二，反向漏电流较大，使得该器件比其他类型的整流器件更容易受热击穿。当然，这些缺点也可以通过增加瞬时过电压保护电路及适当控制结温来克服。表示出了典型的高速整流二极管的特性与参数。福建Infineon英飞凌二极管电子元器件MZC200TS120S原装现货销售；

二极管的反向饱和电流受温度影响很大。3、击穿外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生早的半导体器件之一，其应用也非常广。二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降，锗管正向管压降为，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为，黄色发光二极管的压降为—，绿色发光二极管的压降为—，正常发光时的额定电流约为20mA。二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。[1]二极管原理二极管的原理编辑二极管工作原理。

100mA,10nS,2PF,225ma,2CK105硅开关二极管35V,100mA,4nS,2PF,225ma,2CK106硅开关二极管75V,100mA,4nS,2PF,100ma,2CK107硅开关二极管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,2CK108硅开关二极管70V,100mA,300mW,,2CK109硅开关二极管35V,100mA,300mW,,2CK110硅开关二极管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,2CK111硅开关二极管55V,100mA,300mW,,2CK150硅开关二极管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK161硅开关二极管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK4148硅开关二极管75V,Ir≤25nA,Vf=1V,4PF,2CK2076硅开关二极管35V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,2CK2076A硅开关二极管60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,2CK2471硅开关二极管80V,Ir≤≤,≤2PF,2CK2472硅开关二极管50V,Ir≤≤,≤2PF,2CK2473硅开关二极管35V,Ir≤≤,≤3PF,2CN1A硅二极管400V,1A,f=100KHz,2CN1B硅二极管100V,1A,f=100KHz,2CN3硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3D硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3E硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3F硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3G硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3H硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3I硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3K硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN4D硅二极管V,,2CN5D硅二极管V,,f=100KHz,2CN6硅二极管V,1A,f=100KHz,2CP1553硅二极管Ir≤≤,≤。BYM600A170DN2全国发货；

此外，单个沟槽可以被提供有例如至少在一侧上的晶体管。此外，在所描述的实施例中，晶体管的n和p传导类型、n和p沟道类型以及二极管的阴极和阳极可以同时反转。上文已描述了具有各种变型的各种实施例。应当注意，本领域技术人员可以将这些各种实施例和变型的各种元件进行组合。后，基于上文给出的功能指示，所描述的实施例的实际实现在本领域技术人员的能力范围内。根据以上详细描述，可以对实施例进行这些和其他改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制于说明书和权利要求中公开的特定实施例，而是应被解释为包括权利要求所要求保护的所有可能的实施例以及这样的等同物的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。三相整流桥二极管模块VUO52-16IO1;湖北Microsemi美高森美快恢复二极管库存充足

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外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结长久性损坏。[1]二极管原理应用编辑1.整流整流二极管主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管都是面结型，因此结电容较大，使其工作频率较低，一般为3kHZ以下。2.开关二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。3.限幅二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为，锗管为）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。4.续流在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。5.检波检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型。其结电容较小，工作频率较高，一般都采用锗材料制成。6.阻尼阻尼二极管多用在高频电压电路中。广东西门康可控硅二极管代理货源