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快恢复二极管基本参数
  • 品牌
  • 国润,GR
  • 型号
  • MUR3040CT
  • 半导体材料
  • 管脚引出方式
  • 共阴极
  • 内部结构
  • 双管/对管
  • 封装方式
  • 塑料封装,环氧树脂封装
  • 正向电压降
  • 1.3
  • 最大反向工作电压
  • 400
  • 额定整流电流
  • 30
  • 外形尺寸
  • TO-220AB
快恢复二极管企业商机

    电力电子器件的缓冲电路(snubbercircuit)又称吸收电路,它是电力电子器件的一种重要的保护电路,不仅用于半控型器件的保护,而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的应用技术中起着重要的作用。晶闸管开通时,为了防止过大的电流上升率而烧坏器件,往往在主电路中串入一个扼流电感,以限制过大的di/dt,串联电感及其配件组成了开通缓冲电路,或称串联缓冲电路。晶闸管关断时,电源电压突加在管子上,为了抑制瞬时过电压和过大的电压上升率,以防止晶闸管内部流过过大的结电容电流而误触发,需要在晶闸管的两端并联一个RC网络,构成关断缓冲电路,或称并联缓冲电路。IGBT的缓冲电路功能更侧重于开关过程中过电压的吸收与抑制,这是由于IGBT的工作频率可以高达30~50kHz;因此很小的电路电感就可能引起颇大的LdiC/dt,从而产生过电压,危及IGBT的安全。PWM逆变器中IGBT在关断和开通中的uCE和iC波形。在iC下降过程中IGBT上出现了过电压,其值为电源电压UCC和LdiC/dt两者的叠加。IGBT缓冲电路中的二极管必须是快恢复的二极管,电容必须是高频、损耗小,频率特性好的薄膜电容。这样才能取得好的吸收效果。 MUR1060CT是快恢复二极管吗?湖南快恢复二极管MUR860

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    我们都知道在选择快恢复二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的快恢复二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。在快恢复二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为,硅管约为)以后,快恢复二极管才能真正导通。但快恢复二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为快恢复二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽为,但对于功率快恢复二极管来说它影响效率也影响快恢复二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的快恢复二极管。 天津快恢复二极管MUR3060CTRMUR1620CT二极管的主要参数。

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    这样使连线减小,模块可靠性提高。4)外壳:壳体使用抗压、抗拉和绝缘强度高以及热变温度高的,并加有40%玻璃纤维的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料构成,它能很好地化解与铜底板、主电极之间的热胀冷缩的匹配疑问,通过环氧树脂的浇注固化工艺或环氧板的间距,实现上下壳体的构造连接,以达到较高的防护强度和气闭密封,并为主电极引出提供支撑。3主要技术参数及应用大功率高频开关器件(IGBT、功率MOSFET、IGCT等)已普遍用以VVVF、UPS、SMPS、逆变焊机、伺服电机传动放大器等具备直流环的逆变设备内。图3和4分别示出了VVVF变频器和高频逆变焊机的电原理图。目前,图中的VD1~VD6均使用平常整流二极管,R为充电限流电阻,K为接触器,其功用是对充电限流电阻展开短接。由于高的开关频率,以及VD1~VD6的反向回复峰值电流高和反向恢复时间较长,因而产生谐波,并使电流、电压的波形严重畸变,噪音很高,用超快恢复二极管(FRED)替代一般而言整流二极管作为逆变器的输入整流器,可使变频器的噪音减低到15dB,这主要是由于FRED的关断属性(低的反向回复峰值电流和短的反向恢复时间)所决定。图5给出了FRED导通和关断期间的电流波形图。

    模块化构造提高了产品的密集性、安全性和可靠性,同时也可下降设备的生产成本,缩短新产品进入市场的周期,提高企业的市场竞争力。由于电路的联线已在模块内部完成,因此,缩短了电子器件之间的连线,可实现优化布线和对称性构造的设计,使设备线路的寄生电感和电容参数下降,有利实现设备的高频化。此外,模块化构造与同容量分立器件构造相比之下,还兼具体积小、重量轻、构造连贯、外接线简便、便于维护和安装等优点,因而缩小了设备的何种,减低设备的重量和成本,且模块的主电极端子、操纵端子和辅助端子与铜底板之间具备2.5kV以上有效值的绝缘耐压,使之能与设备内各种模块一同安装在一个接地的散热器上,有利设备体积的更进一步缩小,简化设备的构造设计。常州瑞华电力电子器件有限公司根据市场需要,充分利用公司近二十年来专业生产各类电力半导体模块的工艺制造技术,设计能力,工艺和测试装置以及生产制造经验,于2006年开发出了能满足VVVF变频器、高频逆变焊机、大功率开关电源、不停电电源、高频感应加热电源和伺服电机传动放大器所需的“三相整流二极管整流桥开关模块”(其型号为MDST)的基本上,近期又开发出了“三相超快恢复分公司极管整流桥开关模块”。MUR2060CT二极管的主要参数。

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    一种用以逆变焊机电源及各种开关电源的二极管,尤其是关乎一种非绝缘双塔型二极管模块。背景技术:非绝缘双塔结构二极管是一种标准化外形尺码的模块产品,由于产品外形简便、成本低,适用范围广。而目前公开的非绝缘双塔型二极管模块,见图i所示,由二极管芯片3'、底板r、带螺孔的主电极铜块5'以及外壳9,组成,二极管芯片3'的上下面分别通过上钼片2'、下钼片4'与底板l'和主电极铜块5'固定连接,主电极铜块5'与外壳9'和底板r之间用环氧树脂灌注,在高温下固化将三者固定在一起。由于主电极为块状构造,故底板、二极管芯片、主电极之间均为硬连接。在长期工作运行过程中,由于二极管芯片要经受机器振动、机器应力以及热应力等因素的影响,使得二极管内部的半导体二极管芯片也产生机器应力。因与二极管芯片连接的材质不同其热膨胀系数也不同,又会使二极管芯片产生热应力,一旦主电极时有发生松动,就会引致二极管芯片的碎裂。常规非绝缘双塔型二极管模块在安装过程中是将底板安装在散热器上,然后将另一电极用螺丝安装在主电极铜块上,主电极所经受的外力一部分力直接效用到二极管芯片上,会使二极管芯片背负外力而伤害,引致二极管特点变坏,下降工作可靠性。MUR3040CD是什么类型的管子?TO220F封装的快恢复二极管MURF1660CT

MUR2040CA是什么类型的管子?湖南快恢复二极管MUR860

    是极有发展前景的电力、电子半导体器件。1.性能特点1)反向恢复时间反向恢复时间tr的概念是:电流通过零点由正向变换到规定低值的时间间距。它是衡量高频续流及整流器件性能的主要技术指标。反向回复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为反向回复电流。Irr为反向回复电流,通常规定Irr=。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压忽然变为反向电压,因此正向电流很快下降,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR日渐增大;在t=t2日子达到反向回复电流IRM值。此后受正向电压的效用,反向电流日趋减少,并在t=t3日子达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相像之处。2)快回复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部构造与平常二极管不同,它是在P型、N型硅材质中间增加了基区I,组成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向回复电荷很小,减少了trr值,还下降了瞬态正向压降,使管子能经受很高的反向工作电压。快回复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷更进一步减少,使其trr可低至几十纳秒。湖南快恢复二极管MUR860

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二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前,行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种:玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)。二极管的GPP工艺结构,其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化,冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体,无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构,其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结,然后在200度左右温度进行固化,保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)特性对比玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工艺由于结构的不同,当有外力产生时,冷热冲击,OJ工艺结构的二极管,由于保护胶和硅...

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