功率半导体主要被用作半导体开关，分类中被大家所熟知的非IGBT这个主流大佬莫属了，现在火热的电动汽车领域中也有着其身影，那么IGBT是什么呢？这里就为大家科普一下IGBT入门知识。IGBT的定义，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是具有高电流、高电压、高效率的半导体电源控制元件，也是一种电力电子元件的综合体，是MOSFET（场效应晶体管）和BJT（Bipolar Junction Transistor，双极晶体管）的结合体，它具有MOSFET的优良特性，如可控性高、漏电流小、驱动电流小、开关速度快等，又具有BJT的优良特性，如具有较高的电流密度、较高的正向电压限制等，它能够实现大电流大电压的开关控制，被普遍应用于电力控制系统中。IGBT的结构使其可以实现从开启到关断的电流控制，而不会产生过大的漏电流，也不会影响其他电路的工作。河北真空炉市价
wafer阶段测试。目前wafer阶段测试，大部分晶圆厂或封装厂采用的都是静态测试。但是静态测试的条件比较有限，IGBT只能在低电压大电流或者高电压小电流的条件下工作，对芯片的筛选能力有限。而动态测试条件下，IGBT要在高电压和大电流下开通和关断，对其性能要求更加严苛，筛选标准更严格，若再配合高温短路测试，则筛选能力大幅提高。但是针对wafer的动态测试技术难度很高，实现起来非常困难，且测试设备极其昂贵，也不容易买到。所以wafer阶段的动态参数测试，现阶段不容易实现。辽宁动态测试网带式气氛烤炉IGBT在变压器、换流器、电抗器、电容器、调速器、变流器等电力转换设备中普遍使用。
焊接IGBT功率模块封装结构，自1975年以来，提出了焊接IGBT功率模块的包装，并得到了普遍的应用。其中，直接覆铜陶瓷板由上铜层、陶瓷板和下铜层组成，一方面实现了IGBT芯片和连续二极管的固定和电气连接，另一方面形成了模块散热的主要通道。DBC与芯片和铜基板的连接依赖于焊接材料，芯片与外部端子的连接依赖于超声键接线。此外，为了减少外部水分、灰尘和污染对模块的影响，整个模块被硅胶密封。IGBT功率模块工作过程中存在开关损耗和导通损耗，以热的形式消耗，使IGBT功率模块包装结构产生温度梯度。结构层不同材料的热膨胀系数差异较大，产生循环热应力，使材料疲劳，较终导致IGBT功率模块包装故障。焊接IGBT功率模块的主要故障形式是键线故障和焊接层故障。在实际应用中，由于单个芯片能承受的功率较小，多个芯片通常集成在一起形成功能模块，或驱动集成形成“智能功率模块”。
如今，对于电子产品市场来说，越来越多的技术创新需要相应的技术支持。比如电脑中的板卡虽然经历了技术创新，但如果焊接技术不稳定，对于电脑整体来说是不可估量的损失。真空回流焊接技术应运而生，焊接效果好，非常稳定。我给大家简单说一下真空焊接技术。共晶焊接具有导热率高、电阻小、传热快、可靠性强、粘接后剪切力大的优点，适用于芯片与基板、基板与管壳在高频大功率设备中的互联。对于散热要求较高的功率设备，必须采用共晶焊接。共晶焊接利用共晶合金的特性来完成焊接过程。IGBT可以作为放大器，用来放大高频信号。
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。截齿焊接调质设备是煤截齿、旋挖截齿、铣刨齿焊接淬火热处理通用设备。智能化截齿焊接生产线、自动化截齿焊接生产线：一次性整体加热；加热温度均匀；按时间设置后没有温度和时间的差别，统一时间加热再进入淬火槽，然后提升，热处理的截齿等工件硬度一致。操作简单，生产效率高、成品率高。IGBT的漏电流比MOSFET要小得多，一般在1mA-100mA之间。辽宁动态测试网带式气氛烤炉
IGBT可以用于发电机控制，用于发电机自动控制系统。河北真空炉市价
2018年中国市场IGBT模块需求为7898万，但国内产量只为115万，供需缺口巨大。据业内人士透露，IGBT总体市场规模将保持每年10%以上的增长率，主要受益于新能源汽车产业的发展。IGBT以上市公司斯达半导体为例，2016年至2018年，增长率将远高于此。许多国内公司IGBT主营企业实现了快速增长。特别是在贸易战洗礼后，越来越多的下游制造商开始尝试接受国内制造商IGBT，这是国产的IGBT更多的试错机会促进了国内的发展IGBT技术迭代，让国产IGBT进入良性迭代循环的过程。IGBT国内替代已进入快速增长期，越来越多的中小客户完成了高比例的产业化。在工业和部分细分领域，国产化率已达到50%以上。河北真空炉市价
