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  • 上海动态测试外壳组装兼容设备,IGBT自动化设备
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IGBT自动化设备基本参数
  • 品牌
  • 福和大 福和达 FHD,IGBT真空共晶机,DBC覆铜板,高
  • 型号
  • 齐全
  • 基材
  • PVC,泡棉,BOPP,纤维布,金属箔,聚酯,聚酰亚胺,美纹纸,牛皮纸
  • 加工定制
IGBT自动化设备企业商机

微通道散热器采用低温共烧陶瓷(LTCC)制成,由于press-pack封装没有内部绝缘,热沉的引入增大了回路的寄生电感,上下两侧的微通道散热器设计可提供足够的散热能力,同时外形上厚度较薄可降低功率回路的电感。微通道散热器的电气回路和冷却回路分离,可以使用非介电流体进行冷却。虽然LTCC的导热性不如金属和AlN陶瓷好,但仿真结果表明,在总热耗散为60W,采用LTCC微通道热沉水冷散热时,SiC芯片至大结温只为85℃,并联芯片间的至大结温差小于0.9℃,并联芯片的结温分布比较均匀。结到热沉热阻为0.2℃/W,热沉至高温度为73℃,热沉到冷却剂的热阻为0.8℃/W。IGBT自动化设备的动态测试能够辅助故障诊断和故障排除。上海动态测试外壳组装兼容设备

采用银烧结将芯片和柔性PCB板分别连接到两个DBC上,将CMC金属块烧结到每个芯片的表面,随后将两个DBC板焊接在一起并进行真空灌封硅凝胶密封。两侧DBC外表面为器件散热提供了双散热通路。高温环境下SiCMOSFET电流容量降低,并联芯片通常由于并联分支间的寄生不匹配导致电流不平衡,进而导致芯片温度分布不均,且并联芯片间热耦合严重,影响器件散热。研究者提出一种交错平面封装的新型半桥封装结构,该结构基于平面封装原理,具备双面散热能力。交错平面封装使任意两个相邻的并联芯片在空间上交错排列,可以避免芯片间的热耦合,实现更好的热性能。上下基板分别起到导电、导热、绝缘和机械支撑的作用。静态测试真空封盖自动线市价自动化设备的应用使IGBT模块的封装工艺更加智能化和高效化。

IGBT模块是新一代的功率半导体电子元件模块,诞生于20世纪80年代,并在90年代进行新一轮的升级,通过新技术的发展,现在的IGBT模块已经成为集通态压降低、开关速度快、高电压低损耗、大电流热稳定性好等等众多特点于一身,而这些技术特点正式IGBT模块取代旧式双极管成为电路制造中的重要电子器件的主要原因。近些年,电动汽车的蓬勃发展带动了功率模块封装技术的更新迭代。目前电动汽车主逆变器功率半导体技术,表示着中等功率模块技术的先进水平,高可靠性、高功率密度并且要求成本竞争力是其首先需要满足的要求。

功率器件封装结构散热设计原则:针对功率器件的封装结构,国内外研究机构和企业在结构设计方面进行了大量的理论研究和开发实践,多种结构封装设计理念被国内外研究机构提出并研究,一些结构设计方案已成功应用在商用功率器件上。功率器件自身的属性及其特殊的服役环境决定了封装器件内部总是受到电场、热以及应力等多种场效应相互耦合的综合作用。功率器件的结构设计,应首先要满足电气绝缘要求,在此基础上兼顾结构设计对封装散热、芯片及封装各部件间受力等其他方面的影响。IGBT自动化设备的动态测试有助于精确估计器件在不同负载下的效率。

SiC宽禁带半导体功率器件更高的开关频率,可以降低无源器件的重量,占用的封装体积也更小,因此可以提高功率器件的功率密度,同时SiC器件具有更高的热导率,可以更高效的把芯片耗散热排出。然而,SiC器件越来越高的电压等级和开关速度也给器件封装带来巨大的挑战。目前现有封装技术的不适配是摆在高压SiC器件应用面前的一道屏障。SiC芯片尺寸小,厚度更薄,而电压等级提高,需要特别关注封装中涉及芯片、基板以及输出端子等薄弱点的电气绝缘问题,如10kVSiCMOSFET的芯片厚度只有100μm,平均电场强度达到100kV/mm,而对于1.7kV的SiIGBT,芯片厚度为210μm,而平均电场强度只有8.1kV/mm。IGBT自动化设备利用X光缺陷检测技术,筛选出合格的半成品,确保产品质量。上海动态测试外壳组装兼容设备

IGBT自动化设备实现了丝网印刷过程中的锡膏均匀覆盖和准确定位。上海动态测试外壳组装兼容设备

4种AlN基板可靠性测试(冷热冲击):对4种AlN覆铜基板循环进行冷热冲击热循环实验,条件为在-55℃~150℃,每个温度保温30min,5s内完成到155℃温度转换,循环次数为100cycles、500cycles、1000cycles、1500cycles。可得AMB法制备的AlN覆铜板耐热冲击次数明显高于其他制备工艺。AlN覆铜板耐热冲击主要的失效模式为金属层剥离和AlN陶瓷基板开裂。对于DPC基板,在200次冷热循环后,金属层与AlN完全剥离,剥离强度为0。AlN厚膜覆铜板,在500次冷热循环后,金属层有局部剥离,剥离强度降为百分之二十。DBC基板在1000次冷热循环后,剥离强度降低了20%,但去除金属层,通过超声波扫描显微镜探测,与铜结合边缘处AlN基板有微裂纹,这是由于金属Cu和AlN的热膨胀系数差别大,两者在高温急速降温过程中,材料内部存在大量的热应力,而导致开裂。AMB基板在1500次冷热循环后,金属层剥离力无下降现象,陶瓷表面无微裂纹。由于金属层与AlN陶瓷之间有刚度较低的活性钎料过渡层,可以避免大量的热应力形成而造成的AlN陶瓷基板微裂纹产生。上海动态测试外壳组装兼容设备

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