IGBT模块是新一代的功率半导体电子元件模块，诞生于20世纪80年代，并在90年代进行新一轮的升级，通过新技术的发展，现在的IGBT模块已经成为集通态压降低、开关速度快、高电压低损耗、大电流热稳定性好等等众多特点于一身，而这些技术特点正式IGBT模块取代旧式双极管成为电路制造中的重要电子器件的主要原因。近些年，电动汽车的蓬勃发展带动了功率模块封装技术的更新迭代。目前电动汽车主逆变器功率半导体技术，表示着中等功率模块技术的先进水平，高可靠性、高功率密度并且要求成本竞争力是其首先需要满足的要求。IGBT自动化设备在生产中起到关键作用，实现了IGBT模块的高效封装。静态测试IGBT自动化设备供应商
BeO的热导率虽与AlN相当，但热膨胀系数过高，且BeO粉体有毒性，吸入人体后会导致慢性铍肺病，世界上大多数国家早已停止使用BeO。相比而言，AlN陶瓷基板具有高的导热性（理论值319W/(m·K))与Si等半导体材料较匹配的热导率、宽的操作温度（工作温度范围和耐高温方面）和优良的绝缘性能，在大功率电力半导体模块、智能功率组件、汽车电子、高密度封装载板和发光二极管（LED）等方面有很好的发展前景，是先进集成电路陶瓷基板重要的材料之一。AlN基板金属化技术主要有厚膜法（TFC）、薄膜法（DPC）、直接覆铜法（DBC）及活性金属钎焊法（AMB）等方法。高精度真空炉厂家精选在壳体灌胶与固化过程中，IGBT自动化设备能够确保完整的绝缘保护和固化效果。
通过PCB板和DBC上铜层的层叠电流路径可抵消掉部分内部电感。从封装结构上看，虽然取消了键合线，但芯片的连接方式没有改变，芯片通过铜针连接到PCB板，采用环氧树脂进行整体密封，这也使得器件无法通过PCB板散热，只能通过基板侧进行散热。被称作PowerStep的无键合线互连功率器件封装，适用于600~1700V的器件封装。采用大面积薄金属板与芯片电极连接，金属板上刻有与芯片焊盘形状和尺寸相匹配的特征图案。取消键合线使封装外形更薄，可有效降低电感。同时，省略了底板，降低了重量、体积、成本和封装的复杂性。相比一次只能焊接一个点位的键合线连接，金属板可通过焊料、烧结膏或其他连接材料一次性连接到芯片焊盘上。
汽车IGBT模块测试标准下功率循环和温度循环作为表示的耐久测试，要求极为严格，例如功率循环次数可能从几万次到十万次不等。主要目的是测试键合线、焊接层等机械连接层的耐久情况。测试时的失效机理主要是，芯片、键合线、DBC、焊料等的热膨胀系数不一致，导致键合线脱落、断裂，芯片焊层分离，以及焊料老化等。随着国内新能源汽车产业的快速发展，产业链上游大有逐步完成国产替代，甚至带领世界的趋势，诸如整车品牌、动力电池、电池材料等等已经走得比较靠前，而汽车电控IGBT模块是新能源汽车主要的功率器件。IGBT自动化设备的应用提升了功率半导体模块封装的工艺技术水平，使其适应更高的功率密度和恶劣环境。
功率器件封装结构散热设计原则：针对功率器件的封装结构，国内外研究机构和企业在结构设计方面进行了大量的理论研究和开发实践，多种结构封装设计理念被国内外研究机构提出并研究，一些结构设计方案已成功应用在商用功率器件上。功率器件自身的属性及其特殊的服役环境决定了封装器件内部总是受到电场、热以及应力等多种场效应相互耦合的综合作用。功率器件的结构设计，应首先要满足电气绝缘要求，在此基础上兼顾结构设计对封装散热、芯片及封装各部件间受力等其他方面的影响。IGBT自动化设备实现了功率半导体器件封装过程中的自动化操作和控制。贵州非标IGBT自动化设备
IGBT自动化设备的动态测试能够辅助优化器件的设计和生产工艺。静态测试IGBT自动化设备供应商
探索IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究方法：使用厚度1mm的AlN陶瓷基板，无氧高导电铜箔(OFHC，0.05mm)，五水硫酸铜（CuSO4·5H2O），盐酸（HCl），硫酸（H2SO4），Cu-P阳极板（P含量0.05%），AgCuTi活性金属焊膏（Ti含量4.5%），烧结Cu浆。将AlN陶瓷和铜箔切割为尺寸10mm×10mm的正方形块状，并使用1000目砂纸打磨表面，然后在蒸馏水浴中超声清洗20min备用。DPC金属化：采用磁控溅射先在AlN陶瓷表面制备厚约1μm的Ti打底层，再制备一层厚约3μm的Cu种子层增厚至约50μm，完成金属化。静态测试IGBT自动化设备供应商
