VDMOS功率器件工艺流程是在功率场效应晶体管(VDMOS)的基础上，在其承受高压的飘移区(N型IGBT的N-层)之下增加一层P+薄层引入了电导调制效应，从而较大程度上提高了器件的电流处理能力。IGBT制造流程主要是包括芯片设计，晶圆制造，封装测试；IGBT芯片的制程正面和标准VDMOS差异不大，背面工艺包括:1) 背面减薄；2) 背面注入；3) 背面清洗；4)背面金属化；5) 背面Alloy；这里介绍下IGBT封装的工艺流程及其设备。首先了解下IGBT模块跟单管主要优势有以下几个。多个IGBT芯片并联，IGBT的电流规格更大。多个IGBT芯片按照特定的电路形式组合，如半桥、全桥等，可以减少外部电路连接的复杂性。多个IGBT芯片处于同一个金属基板上，等于是在单独的散热器与IGBT芯片之间增加了一块均热板，工作更可靠。一个模块内的多个IGBT芯片经过了模块制造商的筛选，其参数一致性比市售分立元件要好。IGBT有着紧凑的结构，体积小，可以降低整个系统的体积，有利于系统的自动化程度的提高。海南动态测试网带式气氛烤炉
焊层失效，上述温度梯度也存在于焊接层和相邻组件中，因此会导致剪切应力。焊接层失效的主要表现形式是裂纹、空洞和分层。在开关循环中，作为弹性塑料材料的焊接层会出现非弹性应变，较终导致焊接层的裂纹、裂纹的发展和焊接材料的分层。空洞是由焊接材料的晶体边界空洞和回流焊工艺引起的，这是一种不可避免的现象。随着功率循环，焊接层受到热应力，空洞也会增加。焊接层失效后，热阻进一步增加，导致温度梯度增加，形成正反馈，较终导致焊接层完全失效。静态测试超声波键合机怎么样IGBT的结构使其可以实现从开启到关断的电流控制，而不会产生过大的漏电流，也不会影响其他电路的工作。
IGBT发展至今这么长的时间，从传统的电力电子领域拓展到汽车电子领域，IGBT设备的性能也在不断提升，要求也越来越高。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
DBC的动态测试，主要目的是在更严苛的测试条件下，将IGBT芯片的不良品提前筛选出来，以降低其制造成本，主要是测试DBC的高温动态参数和高温短路耐受能力。但DBC动态测试相对于模块动态测试来说，难度更大，会涉及到很多新的问题。比如绝缘问题，由于DBC阶段的芯片，表面是暴露在空气中，没有硅凝保护的，有些地方的电极距离不到1mm，在电压高的时候，容易出现放电打火的问题，会损坏芯片；还有氧化的问题，DBC暴露在空气中，在高温条件下，表面易出现氧化变色的情况，影响外观及焊接性能。因此DBC动态测试设备的技术难度也会比模块动态测试设备难度大，国内很少有能制造出这种设备的厂家，若依赖于进口设备，价格也是十分高昂，这也是阻碍国内厂家进行DBC动态测试的一个原因。汽车IGBT模块对产品性能和质量的要求要明显高于消费和工控领域。
IGBT模块的生产流程？可以看到IGBT模块横切面的界面，目前壳封工艺的模块基本结构都相差不大。IGBT模块封装的流程大致如下：贴片→真空回流焊接→超声波清洗→X-ray缺陷检测→引线键合→静态测试→二次焊接→壳体灌胶与固化→端子成形→功能测试（动态测试、绝缘测试、反偏测试），贴片，首先将IGBT wafer上的每一个die贴片到DBC上。DBC是覆铜陶瓷基板，中间是陶瓷，双面覆铜，DBC类似PCB起到导电和电气隔离等作用，常用的陶瓷绝缘材料为氧化铝（Al2O3）和氮化铝（AlN）；真空焊接，贴片后通过真空焊接将die与DBC固定，一般焊料是锡片或锡膏；X-ray空洞检测，需要检测在敢接过程中出现的气泡情况，即空洞，空洞的存在将会严重影响器件的热阻和散热效率，以致出现过温、烧坏、爆裂等问题。一般汽车IGBT模块要求空洞率低于1%；接下来是wire bonding工艺，用金属线将die和DBC键合，使用较多的是铝线，其他常用的包括铜线、铜带、铝带；中间会有一系列的外观检测、静态测试，过程中有问题的模块直接报废；重复以上工序将DBC焊接和键合到铜底板上，然后是灌胶、封壳、激光打码等工序；出厂前会做然后的功能测试，包括电气性能的动态测试、绝缘测试、反偏测试等等。IGBT 的优点：比双极型开关管的功率损耗低。海南动态测试网带式气氛烤炉
IGBT可以用于电机控制，如三相伺服电机控制系统。海南动态测试网带式气氛烤炉
IGBT模块究竟如何工作？在电控模块中，IGBT模块是逆变器的较主要部件，总结其工作原理：通过非通即断的半导体特性，不考虑过渡过程和寄生效应，我们将单个IGBT芯片看做一个理想的开关。我们在模块内部搭建起若干个IGBT芯片单元的并串联结构，当直流电通过模块时，通过不同开关组合的快速开断，来改变电流的流出方向和频率，从而输出得到我们想要的交流电。IGBT模块结构和汽车IGBT模块应用。上面提到了IGBT模块在电驱系统中的作用，下面我们展开来具体看看IGBT模块的结构。海南动态测试网带式气氛烤炉
