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    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。嘉兴性价比高的减薄用清洗剂替代品哪里可以买到玻璃清洗剂；

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    所述控制器进行第二次减薄厚度确认操作；具体的，通过设置于所述第三冲洗区2的第二辅助厚度测量仪进行厚度检测，从而实现所述减薄厚度确认操作，当所述减薄厚度未达到目标厚度时，所述玻璃加工治具4可再次进入所述蚀刻区3内进行减薄处理。所述主厚度测量仪32设置在其中对玻璃施加减薄处理的所述蚀刻区3中并且实时测量玻璃厚度，使得玻璃可更准确地具有目标厚度；所述辅助厚度测量仪设置在所述冲洗区2中，并且再次测量经历过减薄处理的玻璃的厚度，因此可以检查设置在所述蚀刻区3中的所述主厚度测量仪32是否无法正确工作，并且使减薄玻璃的缺陷率降至；且所述辅助厚度测量仪可提前测量待经历减薄处理的玻璃的厚度，因此可以检查设置在蚀刻区3中的主厚度测量仪32是否无法正确工作；所述第二辅助厚度测量仪设置在所述第三冲洗区2，从而在减薄后清洗终完成后，再次进行厚度检测，从而检测预从所述玻璃减薄生产线运出的玻璃是否符合标准，并进一步降低减薄玻璃的缺陷率。以上所述为本发明的较佳实施例，对本发明而言是说明性的，而非限制性的。本专业技术人员理解，在本发明权利要求所限定的精神和范围内可对其进行许多改变，修改，甚至等效，但都将落入本发明的保护范围内。减薄清洗剂，专为提升产品质量而设计，让您的产品更出色。苏州哪里减薄用清洗剂技术指标

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    即两所述侧板422之间设置有一排所述固定板423，从而形成对应设置有所述侧支撑件44的所述竖直平板421，在各所述放置部内放置有一排玻璃，可实现所述放置部结构的小型化，便于在同一所述玻璃加工治具4上设置若干所述放置部以使各所述放置部对应不同尺寸的玻璃。图4为所述调节槽的另一种实施方式，所述调节槽包括若干所述水平槽424和与所述水平槽424均竖直贯通连接的所述竖直槽425，所述固定槽426设置于所述水平槽424的下边缘；两所述竖直平板421均设置有所述侧支撑件44，同一所述水平槽424可设置两个所述固定卡块427，即两所述侧板422之间设置有两排所述固定板423，两所述固定板423分别对应两所述竖直平板421，使在同一所述放置部内分割处两个放置空间，从而在各所述放置部内可放置两排玻璃，便于节省所述玻璃加工治具4上的有限空间，可大尺寸玻璃和小尺寸玻璃配合设置于同一所述放置部内。较佳的，两相邻所述水平槽424之间还设置有至少两个定位槽428，所述固定板423两端设置有定位孔429，当所述固定卡块427设置于所述固定槽426内时，所述定位槽428和所述定位孔429位置对应；通过将螺钉穿过所述固定槽426螺纹固定在所述定位孔429中，保证所述固定卡块427在所述固定槽426内。南京显示面板用减薄用清洗剂