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    泵将被加热的液体从双列直插式存储模块组件移除。热交换器冷却被加热的液体。储液器适应液体体积的改变。图a和图b示出了根据一个实施例的双列直插式深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。存储模块组件。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。图a是双列直插式存储模块组件在其装配状态下的图。双列直插式存储模块组件的分解图在图b中示出。双列直插式存储模块组件包括印刷电路板，印刷电路板上安装有一个或多个集成电路(一般地以示出)。印刷电路板一般是双侧的，集成电路安装在印刷电路板的两侧上。深圳美信美集成电路质量好。郑州计算机集成电路厂家

    在一些实施例中，固定层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)、镍(ni)、钌(ru)、铱(ir)、铂(pt)等。在一些实施例中，介电遂穿阻挡层可以包括氧化镁(mgo)、氧化铝(alo)等。在一些实施例中，自由层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)等。在操作期间。字线解码器被配置为选择性地将信号施加至连接至存储器阵列的一条或多条字线wl至wl，并且位线解码器被配置成选择性地将信号施加至连接至存储器阵列的一条或多条位线bl至bl。通过选择性地将信号施加至一条或多条字线wl至wl和一条或多条位线bl至bl，可以在相互排斥的情况下选择性地访问多个工作mtj器件中的不同工作mtj器件。例如，图a至图b示出了图的存储器电路的写入操作的一些实施例的示意图和。示意图和所示的写入操作是实施写入操作的方法的非限制性实例。在其它实施例中，可以可选地使用实施写入操作的其它方法。图a至图b中示出的写入操作在步骤(图a所示)期间将数据状态写入至存储器阵列的一行中的一个或多个存储单元，并且在随后的步骤(图b所示)期间将数据状态写入至存储器阵列的该行中的一个或多个存储单元，以使用两步工艺将数据写入至存储器阵列的整个行。应该理解，为了将数据写入mtj器件。沈阳中规模集成电路哪家好长期稳定的集成电路渠道，就找深圳市美信美科技有限公司。

    图a示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，调节访问装置包括调节mtj器件、调节mtj器件和第三调节mtj器件。调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和偏置电压线(例如，bvl)之间，调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和偏置电压线(例如，bvl)之间，第三调节mtj器件连接在偏置电压线(例如，bvl)和工作mtj器件之间。工作mtj器件连接在第三调节mtj器件和位线(例如，bl)之间。包含第三调节mtj器件在产生不同的电阻来控制相关的工作mtj器件内的电流方面赋予调节访问装置更大的灵活性。图b示出了对应于图a的存储器电路的集成电路的一些实施例的截面图。虽然关于具有调节mtj器件的调节访问装置描述了图至图b中示出的操作和/或装置，但是应该理解，公开的存储单元不限于这样的实施例。而且，在可选实施例中，图至图b的操作和/或装置可以实施和/或包括具有调节薄膜电阻器(例如，包括钽、氮化钽、钛、钨等)的调节访问装置。图至出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的截面图至，该存储器电路包括存储单元(例如。mram单元)，各存储单元具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。虽然关于方法描述了图至图，但是应该理解。

    mram单元)的尺寸，因为该尺寸不再取决于驱动晶体管的尺寸。出了具有调节访问装置的存储器电路的一些实施例的示意图，该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。存储器电路包括具有多个存储单元a,至b,的存储器阵列。多个存储单元a,至b,以行和/或列布置在存储器阵列内。例如，行存储单元包括存储单元a,和a,，而列存储单元包括存储单元a,和b,。在一些实施例中，多个存储单元a,至b,可以包括多个mram单元。多个存储单元a,至b,(例如，mram单元)分别包括连接至调节访问装置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道结(mtj)，磁隧道结(mtj)具有通过介电遂穿阻挡层a与自由层a分隔开的固定层a。固定层a具有固定的磁向，而自由层a具有可以在操作期间(通过隧道磁阻(tmr)效应)改变为相对于固定层a的磁向平行(即，“p”状态)或反向平行(即，“ap”状态)的磁向。固定层a和自由层a的磁向之间的关系限定了mtj的电阻状态，并且从而使得多个存储单元a,至b,能够分别存储数据状态，数据状态具有基于存储单元内的工作mtj器件的电阻的值。例如，如果工作mtj器件a,具有低电阻状态，则存储单元a,将存储位值(例如，逻辑“”)，或者如果工作mtj器件a,具有高电阻状态，则存储单元a,将存储位值。大规模集成电路：逻辑门101~1k个或 晶体管1,001~10k个。

    存储单元a,的工作mtj器件、调节mtj器件和调节mtj器件可以通过第四多个通孔d连接至第六互连层f。在其它实施例(未示出)中，一个或多个附加存储单元可以横向地布置为邻近存储单元a,。在一些这样的实施例中。存储器阵列内的存储单元可以在相同的互连层上彼此横向邻近布置。应当理解，图a至图b所示的集成芯片和可以实现图的存储器阵列的集成芯片的两个非限制性实施例，并且可以在可选实施例中使用其它实施方式。在一些实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或与工作mtj器件不同的尺寸。例如，图a示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括具有不同尺寸的调节器件。存储器电路包括多个存储单元a,至c,，每个存储单元分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件和被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。调节访问装置包括连接至mtj器件的同一层的调节mtj器件和调节mtj器件。调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和工作mtj器件之间，而调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和工作mtj器件之间。工作mtj器件进一步连接至位线(例如，bl)。集成电路产品是信息产业的基础，直接关乎社会的稳定与国家的安全。无锡专业控制集成电路价格

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    图2a和图2b示出了根据一个实施例的双列直插式存储模块组件200。图2a是双列直插式存储模块组件200在其装配状态下的图。双列直插式存储模块组件200的分解图在图2b中示出。双列直插式存储模块组件200包括印刷电路板202，印刷电路板202上安装有一个或多个集成电路(一般地以204示出)。印刷电路板202一般是双侧的，集成电路204安装在印刷电路板202的两侧上。热接口材料206a、206b的层热耦联至集成电路204。一种常见的热接口材料是热间隙垫。然而，可以使用其他的热接口材料，例如，使用诸如导热膏及类似物。在所描绘的实施例中，具有一对侧板208a、208b的能够移除的散热器与热接口材料206a、206b的层物理接触，并且因此所述散热器热耦联至所述热接口材料206a、206b。侧板208a、208b可以由铝制成。然而，可以使用其他材料来形成侧板208a、208b，例如，使用诸如不锈钢或类似物来形成侧板。为了降造成本，侧板208a、208b可以是相同的。能够移除的一个或多个弹性夹210a、210b、210c、210d可以定位在侧板208a、208b周围，以将侧板压靠在热接口材料206a、206b上，以确保合适的热耦联。图3示出了图2的双列直插式存储模块组件200的一侧的视图。郑州计算机集成电路厂家