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DDR3测试基本参数
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常见的信号质量包括阈值电平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等,DDRx 信号质量的每个参数JEDEC都给出了明确的规范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分别为0.4V,也就是说信号幅值P・P值应该在-0.4-1.9V,但在实际应用中由于不适合信号 端接使DDR信号质量变差,通过仿真就可以找出合适端接,使信号质量满足JEDEC规范。 下面以DDR3 1066Mbps信号为例,通过一个实际案例说明DDR3信号质量仿真。

在本案例中客户反映实测CLK信号质量不好。CLK信号从CUP (U100)出来经过4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端颗粒(近的颗粒)的信号很 差,系统工作不到DDR3 1066Mbpso在对时钟信号做了终端上拉匹配后,可以正常工作。 DDR3一致性测试是否会导致操作系统或应用程序崩溃?浙江DDR3测试维修价格

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 闭赋模型窗口,在菜单中选择 Analyze-*Preferences..,在 InterconnectModels 项 目栏中设置与提取耦合线模型相关的参数,如图1・125所示。改变Min Coupled Length的值为 lOOmil,也就是说当耦合线长度超过lOOmil时,按耦合模型提取,少于lOOmil时,按单线模 型提取。

 单击Via modeling setup按钮,在过孔模型设置界面将Target Frequency设置成533 MHz (因为要仿真的时钟频率是533MHz)。

 单击OK按钮,关闭参数设置窗口。在菜单中选择Analyze-*Probe..,在弹出的窗 口中单击Net Browser..菜单,选择DDR1_CK这个网络(或者可以直接在Allegro界面中选取 网络)。可以看到因为已经设置好差分线和差分模型,所以会自动带出差分线DDRl_NCKo 海南DDR3测试DDR3内存的一致性测试包括哪些内容?

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DDR3信号质量问题及仿真解决案例随着DDR信号速率的升高,信号电平降低,信号质量问题也会变得突出。比如DDR1的数据信号通常用在源端加上匹配电阻来改善波形质量;DDR2/3/4会将外部电阻变成内部ODT;对于多负载的控制命令信号,DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接,而DDR4则将采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驱动能力的选择等方面,可以通过仿真 来得到正确驱动和端接,使DDR工作时信号质量改善,从而增大DDRI作时序裕量。

DDR信号的DC和AC特性要求之后,不知道有什么发现没有?对于一般信号而言,DC和AC特性所要求(或限制)的就是信号的电平大小问题。但是在DDR中的AC特性规范中,我们可以注意一下,其Overshoot和Undershoot指向的位置,到底代表什么含义?有些读者可能已经发现,是没有办法从这个指示当中获得准确的电压值的。这是因为,在DDR中,信号的AC特性所要求的不再是具体的电压值,而是一个电源和时间的积分值。影面积所示的大小,而申压和时间的积分值,就是能量!因此,对于DDR信号而言,其AC特性中所要求的不再是具体的电压幅值大小,而是能量的大小!这一点是不同于任何一个其他信号体制的,而且能量信号这个特性,会延续在所有的DDRx系统当中,我们会在DDR2和DDR3的信号体制中,更加深刻地感觉到能量信号对于DDRx系统含义。当然,除了能量的累积不能超过AC规范外,比较大的电压值和小的电压值一样也不能超过极限,否则,无需能量累积,足够高的电压就可以一次击穿器件。DDR3一致性测试是否适用于非服务器计算机?

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从DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,数据率成倍增加,位宽成倍减小,工作电压持续降 低,而电压裕量从200mV减小到了几十毫伏。总的来说,随着数据传输速率的增加和电压裕 量的降低,DDRx内存子系统对信号完整性、电源完整性及时序的要求越来越高,这也给系 统设计带来了更多、更大的挑战。

Bank> Rank及内存模块

1.BankBank是SDRAM颗粒内部的一种结构,它通过Bank信号BA(BankAddress)控制,可以把它看成是对地址信号的扩展,主要目的是提高DRAM颗粒容量。对应于有4个Bank的内存颗粒,其Bank信号为BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3颗粒有8个Bank,对应Bank信号为BA[2:0],在DDR4内存颗粒内部有8个或16个Bank,通过BA信号和BG(BankGroup)信号控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框图,可以从中看到芯片内部由8个Bank组成(BankO,Bankl,…,Bank7),它们通过BA[2:0]这三条信号进行控制。 什么是DDR3内存的一致性问题?广西DDR3测试检查

DDR3内存有哪些常见的容量大小?浙江DDR3测试维修价格

多数电子产品,从智能手机、PC到服务器,都用着某种形式的RAM存储设备。由于相 对较低的每比特的成本提供了速度和存储很好的结合,SDRAM作为大多数基于计算机产品 的主流存储器技术被广泛应用于各种高速系统设计中。

DDR是双倍数率的SDRAM内存接口,其规范于2000年由JEDEC (电子工程设计发展 联合协会)发布。随着时钟速率和数据传输速率不断增加带来的性能提升,电子工程师在确 保系统性能指标,或确保系统内部存储器及其控制设备的互操作性方面的挑战越来越大。存 储器子系统的信号完整性早已成为电子工程师重点考虑的棘手问题。 浙江DDR3测试维修价格

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那么在下面的仿真分析过程中,我们是不是可以就以这两个图中的时序要求作为衡量标准来进行系统设计呢?答案是否定的,因为虽然这个时序是规范中定义的标准,但是在系统实现中,我们所使用的是Micron的产品,而后面系统是否能够正常工作要取决干我们对Micron芯片的时序控制程度。所以虽然我们通过阅读DDR规范文件了解到基本设计要求,但是具体实现的参数指标要以Micron芯片的数据手册为准。换句话说,DDR的工业规范是芯片制造商Micron所依据的标准,而我们设计系统时,既然使用了Micron的产品,那么系统的性能指标分析就要以Micron的产品为准。所以,接下来的任务就是我们要在Micron的DDR芯片...

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