随着微处理器和PC机的广泛应用和普及（特别是在通信、工业控制、消费电子等领域），IC产业已开始进入以客户为导向的阶段。一方面标准化功能的IC已难以满足整机客户对系统成本、可靠性等要求，同时整机客户则要求不断增加IC的集成度，提高保密性，减小芯片面积使系统的体积缩小，降低成本，提高产品的性能价格比，从而增强产品的竞争力，得到更多的市场份额和更丰厚的利润；另一方面，由于IC微细加工技术的进步，软件的硬件化已成为可能，为了改善系统的速度和简化程序，故各种硬件结构的ASIC如门阵列、可编程逻辑器件（包括FPGA）、标准单元、全定制电路等应运而生，其比例在整个IC销售额中1982年已占12％；其三是随着EDA工具（电子设计自动化工具）的发展，PCB设计方法引入IC设计之中，如库的概念、工艺模拟参数及其仿真概念等，设计开始进入抽象化阶段，使设计过程可以单独于生产工艺而存在。IC芯片集成电路，TI、ST、NXP欢迎咨询。IKW40N120H3
电容器的含义:衡量导体储存电荷能力的物理量.电容器的英文缩写:C(capacitor)；电容器常见的单位:毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）；电容器的单位换算:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法;;1pf=10-3nf=10-6uf=10-9mf=10-12f;电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等；电容器的特性:电容器容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关；电容的特性主要是隔直流通交流,通低频阻高频。PCM1862QDBTRQ1TI实力分销商，欢迎来电咨询。
场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极,场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.
IC工艺线宽：线宽：4微米、1微米、0.6微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、0.11微米等，是指IC生产工艺可达到的比较小导线宽度，是IC工艺先进水平的主要指标。线宽越小，集成度就高，在同一面积上就集成更多电路单元。前工序:IC制造工程中，晶圆光刻的工艺（即所谓流片），被称为前工序，这是IC制造比较要害的技术。后工序晶圆流片后，其切割、封装等工序被称为后工序。了解更多相关资讯，欢迎来电咨询；我们真诚期待您的来电。交流信号从基极输入，发射极输出，那集电极就叫公共极。
FPGA(FieldProgrammableGateArray)现场可编程门阵列，它是PAL、GAL、EPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专门的集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。FPGA采用了逻辑单元阵列LCA(LogicCellArray)这样一个新概念，内部包括可配置逻辑模块CLB(ConfigurableLogiicBlock)、输入输出模块IOB(InputOutputBlock)和内部连线（Interconnect）三个部分。电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等。DRV5033AJQLPGMQ1
怎么判别半导体三极管的类型？IKW40N120H3
电容器的好坏测量：脱离线路时检测——采用万用表Ｒ×１ｋ挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残余的电荷.当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转，表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，比较好应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。IKW40N120H3
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