IC芯片基本参数
  • 品牌
  • TI /德州仪器,ST/意法,NXP/恩智浦,ADI/亚德诺
  • 型号
  • 通用类型
  • 封装形式
  • DIP,SOP/SOIC,SMD,BGA,TQFP,QFP,PQFP,TSOP,PGA,QFP/PFP,MCM
IC芯片企业商机

电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻;电阻器的英文缩写:R(Resistor)及排阻RN;电阻器的常见单位:千欧姆(KΩ),兆欧姆(MΩ);电阻器的常见单位:千欧姆(KΩ),兆欧姆(MΩ);电阻器的特性:电阻为线性原件,即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比,通过这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律:I=U/R。电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波(与电容器组合使用)和阻抗匹配等。IC设计公司(Fabless)与标准工艺加工线(Foundry)相结合的方式。LM2904LVIDR

场效应管与晶体管的比较:(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管ATMEGA644P-20AUR半导体三极管按材质分:硅管和锗管。

晶振在线路中的符号是"X”,"Y”;晶振的名词解释:能产生具有一定幅度及频率波形的振荡器.晶振的测量方法:测量电阻方法:用万用表RX10K档测量石英晶体振荡器的正,反向电阻值.正常时应为无穷大.若测得石英晶体振荡器有一定的阻值或为零,则说明该石英晶体振荡器已漏电或击穿损坏.动态测量方法:用是波器在电路工作时测量它的实际振荡频是否符合该晶体的额定振荡频率,如果是,说明该晶振是正常的,如果该晶体的额定振荡频率偏低,偏高或根本不起振,表明该晶振已漏电或击穿损坏

FPGA(FieldProgrammableGateArray)现场可编程门阵列,它是PAL、GAL、EPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专门的集成电路(ASIC)领域中的一种半定制电路而出现的,既解决了定制电路的不足,又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。FPGA采用了逻辑单元阵列LCA(LogicCellArray)这样一个新概念,内部包括可配置逻辑模块CLB(ConfigurableLogiicBlock)、输入输出模块IOB(InputOutputBlock)和内部连线(Interconnect)三个部分。我们通常所说的"芯片"是指集成电路,它是微电子技术的主要产品。

半导体三极管的分类:a;按频率分:高频管和低频管;b;按功率分:小功率管,中间功率管和的功率管;c;按机构分:PNP管和NPN管;d;按材质分:硅管和锗管;e;按功能分:开关管和放大;半导体三极管特性:三极管具有放大功能(三极管是电流控制型器件-通过基极电流或是发射极电流去控制集电极电流;又由于其多子和少子都可导电称为双极型元件);三极管各区的工作条件:1.放大区:发射结正偏,集电结反偏:2.饱和区:发射结正偏,集电结正偏;截止区:发射结反偏,集电结反偏。半导体三极管的分类按频率分:高频管和低频管。XC7A100T-2FGG484I

常用电子元器件简介。LM2904LVIDR

电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波(与电容器组合使用)和阻抗匹配等。电阻器的在电路中的参数标注方法有3种,即直标法、色标法和数标法。a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,未标偏差值的即为±20%.b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路,在三为数码中,从左至右一,二位数表示有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表示(R表示0.)如:472表示47×102Ω(即4.7KΩ);104则表示100KΩ、;R22表示0.22Ω、122=1200Ω=1.2KΩ、1402=14000Ω=14KΩ、R22=0.22Ω、50C=324*100=32.4KΩ、17R8=17.8Ω、000=0Ω、0=0Ω.c、色环标注法使用比较多LM2904LVIDR

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