回顾集成电路的发展历程产业结构的三次变革：一次变革：以加工制造为主导的IC产业发展的初级阶段。70年代，集成电路的主流产品是微处理器、存储器以及标准通用逻辑电路。这一时期IC制造商（IDM）在IC市场中充当主要角色，IC设计只作为附属部门而存在。这时的IC设计和半导体工艺密切相关。IC设计主要以人工为主，CAD系统只作为数据处理和图形编程之用。IC产业只处在以生产为导向的初级阶段。第二次变革：Foundry公司与IC设计公司的崛起。80年代，集成电路的主流产品为微处理器（MPU）、微控制器（MCU）及专门的IC（ASIC）。这时，无生产线的IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式开始成为集成电路产业发展的新模式。第三次变革："四业分离"的IC产业90年代，随着INTERNET的兴起，IC产业跨入以竞争为导向的高级阶段，国际竞争由原来的资源竞争、价格竞争转向人才知识竞争、密集资本竞争。半导体三极管按材质分：硅管和锗管。电子元器件利润率
晶圆：多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是比较常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大的规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就多，可降低成本，但要求材料技术和生产技术更高。IC封装：指把硅片上的电路管脚用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。电子元件怎么做常用的电子元器件有哪些？
场效应管(MOS管)：场效应管英文缩写：FET；场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管；场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)【场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。】场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不要向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。
电容器的好坏测量：脱离线路时检测——采用万用表Ｒ×１ｋ挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残余的电荷.当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转，表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，比较好应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。
IC(IntergeratedCircuit)积体电是将晶体管、电阻、电容、二级管等电子组件整合装至一芯片（Chip）上，由于集成电路的体积极小。使电子运动的距离大幅度缩小，因此速度极快且可靠性高，集成电路的种类一般以内含晶体管等电子组件的数量来分类。SSI(小型集成电路)，晶体管数10-100；MSI(中型集成电路)，晶体管数100-1，000；LSI（大规模集成电路），晶体管数1，000-10，0000；VLSI（超大规模集成电路），晶体管数100，000；了解更多，欢迎来电咨询。70年代，集成电路的主流产品是微处理器、存储器以及标准通用逻辑电路。电子元器件介绍
半导体二极管的伏安特性.电子元器件利润率
半导体三极管英文缩写：Q/T；半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。按材料来分 可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。电子元器件利润率
