FPGA(Field Programmable Gate Array ) 现场可编程门阵列，它是PAL、GAL、EPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。 它是作为专门的集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。FPGA采用了逻辑单元阵列LCA(Logic Cell Array)这样一个新概念，内部包括可配置逻辑模块CLB( Configurable Logiic Block)、输入输出模块IOB(Input Output Block)和内部连线（Interconnect）三个部分。我们通常所说的"芯片"是指集成电路，它是微电子技术的主要产品。成都 元器件电子
线路上通电状态时检测,若怀疑电解电容只在通电状态下才存在击穿故障，可以给电路通电，然后用万用表直流挡测量该电容器两端的直流电压，如果电压很低或为０Ｖ，则是该电容器已击穿。对于电解电容的正、负极标志不清楚的，必须先判别出它的正、负极。对换万用表笔测两次，以漏电大（电阻值小）的一次为准，黑表笔所接一脚为负极，另一脚为正极。中文名称：集成电路 英文名称：integrated circuit 定义：将一个电路的大量元器件集中于一个单晶片上所制成的器件。集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。开关IC芯片推荐厂家电容的分类:根据极性可分为有极性电容和无极性电容.我们常见到的电解电容就是有极性的,是有正负极之分。
电容器的好坏测量：脱离线路时检测——采用万用表Ｒ×１ｋ挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残余的电荷.当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转，表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，比较好应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。
半导体三极管的好坏检测：a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好.d;测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反.IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式。
半导体三极管英文缩写：Q/T；半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。按材料来分 可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。IC制造商（IDM）自行设计，由自己的生产线加工、封装，测试后的成品芯片自行销售。电子元器件bom配单
电容器的含义:衡量导体储存电荷能力的物理量。成都 元器件电子
电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。 电阻器的在电路中的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,未标偏差值的即为±20%.b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中,从左至右一,二位数表示有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表示(R表示0.)如：472表示47×102Ω（即4.7KΩ）；104则表示100KΩ、;R22表示0.22Ω、122=1200Ω=1.2KΩ、1402=14000Ω=14KΩ、R22=0.22Ω、50C=324*100=32.4KΩ、17R8=17.8Ω、000=0Ω、0=0Ω.c、色环标注法使用比较多成都 元器件电子
