二极管反向区也分两个区域:当VBR<V<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时,反向电流急剧增加,VBR称为反向击穿电压。在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。从击穿的机理上看,硅二极管若|VBR|≥7 V时,主要是雪崩击穿;若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿,当在4 V~7 V之间两种击穿都有,有可能获得零温度系数点。二极管的主要作用之一是整流,将交流电转换为直流电。东莞点接触型二极管市价

开关二极管,开关二极管是专门设计制造的一类二极管,用于在电路上“开”、“关”。与普通二极管相比,其由导通转变为截止或由截止变为导通的时间较短。半导体二极管的导通相当于一个闭合开关,截止时等效于开启(断开),因此二极管可用作开关,常用型号1N4148开关二极管。PN结导通由于半导体二极管具有单向传导的性质,在正偏压下PN结导通,在导通状态下的电阻非常小,大约是几十到几百欧;而在反向偏压下, PN结的电阻很大,一般硅二极管在10欧姆以上,而锗管也有几十千欧到几百千欧。通过这种特性,二极管可以在电路中对电流进行控制,从而成为一种理想的电子开关。开关二极管也有SMT和THT两种封装方式。珠海收音机二极管厂家供应部分特殊用途的二极管,如肖特基二极管,具有低压降和快速恢复的特点。

稳压二极管和普通二极管电性能区别,稳压二极管和普通二极管在电性能方面也存在明显差异。稳压二极管的电性能主要表现在稳定的工作电压、稳定的反向阻断电压和低动态电阻等方面。这使得稳压二极管在需要高精度控制电压的电路中表现出色,如通信设备、电源设备、工业自动化设备等。而普通二极管在正向导通时具有很低的电阻值,允许电流顺畅通过;在反向截止时则有较高的反向电阻,阻止电流通过。这种电性能使得普通二极管在开关电路和整流电路中能够发挥良好的性能,如电源电路中的整流器、数字电路中的开关元件等。
半导体二极管的参数包括较大整流电流IF、反向击穿电压VBR、较大反向工作电压VRM、反向电流IR、较高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下:1、较大整流电流IF:是指管子长期运行时,允许通过的较大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热,电流太大,发热量超过限度,就会使PN结烧坏。例如2APl较大整流电流为16mA。2、反向击穿电压VBR:指管子反向击穿时的电压值。击穿时,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的较高反向工作电压约为击穿电压的一半,以确保管子安全运行。例如2APl较高反向工作电压规定为2OV, 而反向击穿电压实际上大于40V。正确连接二极管时,应注意极性避免反接。

二极管是否损坏如何判断:单负导电性能的检测及好坏的判断,通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5kΩ左右,反向电阻值为(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。二极管常用于整流电路,将交流信号转换为直流信号。肇庆家用电器二极管行价
二极管的温度也会影响其性能,应注意避免过热。东莞点接触型二极管市价
二极管的分类:一、按半导体材料分类,二极管按其使用的材料可分为锗(Ge)二极管、硅(Si)二极管、砷化镓(GaAs)二极管、磷化镓(GaP)二极管等。二、按封装形式分类,二极管按其封装形式可分为塑料二极管、玻璃二极管、金属二极管、片状二极管、无引线圆柱形二极管。三、按结构分类,半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下:合金型二极管,在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。东莞点接触型二极管市价