广州锗管三极管工作原理

三极管饱和情况，像图1因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值，那么较大电流为U/Rc，其中U为电源电压)，集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大时，三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后，三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用：当基极电流为0时，三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止)，相当于开关断开;当基极电流很大，以至于三极管饱和时，相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态，那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。三极管由基极、发射极和集电极构成，具有放大作用和控制功能。广州锗管三极管工作原理

极限参数：a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值明显下降，影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的较大允许电压，使用时如果UCE＞U(BR)CEO，管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。广州锗管三极管工作原理对于初学者来说，了解三极管的基本知识和使用方法，是掌握电子电路技术的关键。

晶体三极管的种类：硅管和锗管（按半导体材料分），锗管比硅管的起始工工作电压低、饱和压降较低。三极管导通时，发射极和集电极的电压锗管比硅管更低。因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电压低，前者为0.2～0.3V，后者为0.6～0.7V。所以锗三极管在发射极和基极之间只有0.2～0.3V的电压，晶体管就开始工作。常用型号有：3AX系列的锗低频管、3AG系列的锗高频管、3AK系列的锗开关管、3AD系列的锗低频大功率管、3BX系列的锗低频管等。

用万用表判断半导体三极管的极性和类型（用指针式万用表）：1.判别半导体三极管的c极和e极：确定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反）。2.判别半导体三极管的类型。如果已知某个半导体三极管的基极，可以用红表笔接基极，黑表笔分别测量其另外两个电极引脚，如果测得的电阻值很大，则该三极管是NPN型半导体三极管，如果 测量的电阻值都很小，则该三极管是PNP型半导体三极管。三极管的价格相对较低，且易于采购，使得三极管在电子制造领域具有普遍的应用前景。

三极管一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极B上加一个微小的电流时，在集电极C上可以得到一个是基极电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。电流控制：NPN型三极管： 用基极B流向发射极E的电流IB，控制集电极C流向发射极E的电流IC。发射极E电位较低，正常放大时通常VC>VB>VE。PNP型三极管： 用发射极E流向基极B的电流IB，控制发射极E流向集电极C的电流IC。发射极E电位较高，正常放大时通常VC。三极管的正偏和反偏都是根据三极管的PN结来区分的，如果PN电压为正，则正偏，反之反偏。三极管在正常使用时要避免超过较大额定功率，以免过热损坏。深圳PNP三极管批发

三极管作为电子器件中的重要组成部分，不断推动着电子技术的发展和应用。广州锗管三极管工作原理

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，具有电流放大作用，也用作无触点开关，是电子电路的主要元件。三极管的作用：1、放大作用。三极管的单向导电性，使得它很容易把信号放大到很大。2、开关作用。在交流电路中，当输入的电流超过某一值后，三极管就会导通；反之则截止。3、限幅和钳位作用：由于三极管具有上述两种功能，所以它在电子线路中常用于各种电压的稳压或保护环节上（如变压器）。另外在一些特殊电路中也有着不可忽视的地位。广州锗管三极管工作原理