常州普乐锐思电流传感器厂家

    直冲磁阻)、cmr(colossalmagnetoresistance，庞磁阻)等各种各样的mr元件。此外，作为磁传感器11、12，也可以使用具有霍尔元件的磁元件、具有利用磁阻抗效应的mi(magnetoimpedance，磁阻抗)元件的磁元件或磁通门型磁元件等。此外，作为磁传感器11、12的驱动方法，也可以采用恒流驱动、脉冲驱动等。2.动作以下关于如以上那样构成的电流传感器1的动作进行说明。2-1.动作的概要关于本实施方式涉及的电流传感器1的动作的概要，利用图4进行说明。图4是用于说明电流传感器1中的信号磁场b1、b2与磁传感器11、12的关系的图。图4示出了图1的a-a’剖面附近的各流路21、22以及各磁传感器11、12。在图4中，例示了在检测对象的电流在汇流条2中沿+y朝向流动时(参照图1)在第1流路21附近产生的信号磁场b1和在第2流路22附近产生的信号磁场b2。在汇流条2中，电流发生分流而流到第1流路21和第2流路22。由此，如图4所示，第1流路21附近的信号磁场b1环绕第1流路21的周围，第2流路22附近的信号磁场b2环绕第2流路22的周围。在本实施方式涉及的电流传感器1中，在第1流路21和第2流路22中电流沿相同朝向(例如+y朝向)流动，因此第1流路21附近的信号磁场b1和第2流路22附近的信号磁场b2具有相同的环绕方向。电流传感器必须根据被测电流的额定有效值选择不同规格的产品。常州普乐锐思电流传感器厂家

    磁传感器11例如通过电源电压vdd进行恒压驱动。各个磁阻元件13a～13d例如为amr(anisotropicmagnetoresistance，各向异性磁阻)元件。在本例中，四个磁阻元件13a～13d之中的第1以及第2磁阻元件13a、13b的串联电路、和第3以及第4磁阻元件13c、13d的串联电路被并联连接。第1以及第4磁阻元件13a、13d具有相对于输入到磁传感器11的磁场而增减倾向相同的磁阻值mr1、mr4。第2以及第3磁阻元件13b、13c具有增减倾向与第1以及第4磁阻元件13a、13d的磁阻值mr1、mr4相反的磁阻值mr2、mr3。磁传感器11的电源电压vdd被供给至第1以及第3磁阻元件13a、13c间的连接点。第2以及第4磁阻元件13b、13d间的连接点被接地。第1以及第2磁阻元件13a、13b间的节点14p与两个传感器信号s1p、s1m之中的一个传感器信号s1p的输出端子连接。第3以及第4磁阻元件13c、13d间的节点14m与另一个传感器信号s1m的输出端子连接。各节点14p、14m的电位例如以vdd/2为中点电位而变动。以上的磁传感器11的结构为一例，不特别限定于此。例如，磁传感器11、12的磁阻元件13a～13d不限于amr元件，也可以是例如gmr(giantmagnetoresistance，巨磁阻)、tmr(tunnelmagnetoresistance，隧道磁阻)、bmr(balisticmagnetoresistance。九江电池组电流传感器代理价钱以下是一些重要的里程碑。

通过如上述那样抑制第1以及第2运算部31、32的偏差，从而能够将电动势的同相分量在第3运算部33中消除，能够提高电流传感器1中的交流的外部磁场耐性。此外，两个磁传感器11、12和运算装置3在如图2所示的电流传感器1中，例如被布线为**短以使得不产生环形布线。由此，能够提高交流的外部磁场耐性，能够使电流传感器1的检测精度良好。此外，运算装置3也可以包含用于实现电流传感器1的各种各样的功能的各种半导体集成电路等。例如，运算装置3也可以包含设计为实现给定功能的**的电子电路、能够重构的电子电路等的硬件电路。此外，运算装置3也可以包含例如与软件协作来实现给定功能的cpu等。运算装置3也可以包含闪存等内部存储器，也可以在内部存储器中保存各种数据以及程序等。运算装置3也可以由cpu、mpu、微型计算机、dsp、fpga、asic等各种各样的半导体集成电路构成。1-1.关于磁传感器关于电流传感器1中的磁传感器11、12的结构的详情，利用图3进行说明。两个磁传感器11、12同样地构成。以下，对一个磁传感器11进行说明。图3是例示电流传感器1中的磁传感器11的结构的电路图。在图3的例子中，磁传感器11包含四个磁阻元件13a～13d，构成惠斯通桥电路。

    为了便于集成在电流传感器中，提出将所述连接装置耦接到所述复制装置。为了优化至少两个电流传感器之间的连接，在本发明的一个实施例中提出，所述连接装置包括：***端子，其耦接到***检测线路；第二端子，其耦接到***检测线路乙；第三端子，其耦接到第二检测线路；以及第四端子，其耦接到第二检测线路乙。为了降**造成本，例如提出了所述复制装置集成到所述电流传感器。作为变型，提出了所述复制装置集成到所述连接装置。在本发明的第二方面中，提出了一种至少两个电流传感器、即电流传感器和第二电流传感器的组合件（ensemble），这两个电流传感器借助于连接装置并联地电耦接。在一个实施例中，所述连接装置的***端子和第二端子耦接到另一连接装置的***端子和第二端子，并且所述连接装置的第三端子和第四端子耦接到另一连接装置的第三端子和第四端子。为了控制这两个电流传感器，例如提出了这两个电流传感器耦接到电子计算机。附图说明通过阅读下面的描述，本发明的其他特征和优点将变得更加明显。此描述纯粹是例示性的，并且应参考附图进行阅读，其中：-图1是根据本发明的电流传感器的原理示意图，-图2是本发明的另一实施例的原理示意图。如基于光纤的电流传感器、磁性薄膜电流传感器等。

y方向)上第1以及第2流路21、22在+y侧的端部连结，在-y侧的端部分离。如图11所示，流经导体2a的电流若在第1流路21中沿+y朝向流动，则在+y侧的端部迂回，由此在第2流路22中沿-y朝向流动。如图11所示，电流所引起的信号磁场b1、b2例如在z方向上的导体2a的相同侧(例如+z侧)在第1流路21附近的区域r10和第2流路22附近的区域r20彼此具有反相。在本变形例中，例如在电流传感器1安装于导体2a的状态下，两个磁传感器11、12分别配置在第1流路21附近的区域r10和第2流路22附近的区域r20。由此，即使在本变形例中，也与上述各实施方式同样地，能够使电流传感器1中的s/n比良好从而提高电流的检测精度。图12示出被电流传感器1检测的电流的流路为一个导体2b的变形例2。图12的(a)、(b)分别在xz平面上的导体2b的剖视图中示出各磁传感器11、12的配置例。在图12的例子中，在导体2b的长度方向(y方向)上流过电流，电流所引起的信号磁场b1在xz平面上环绕导体2b的周围。例如，如图12的(a)所示，信号磁场b1在z方向上的导体2b的+z侧的区域r11和-z侧的区域r21彼此具有反相。在本变形例中，例如在电流传感器1安装于导体2b的状态下，两个磁传感器11、12分别配置在+z侧的区域r11和-z侧的区域r21。此时。在霍尔元件的输出端产生一个电势，该电势的波形与输入电流一致。南京粒子加速器电流传感器报价

在使用电流传感器时，应先接通副边电源，再接通原边电流或电压。常州普乐锐思电流传感器厂家

传感器信号s1m是第3传感器信号的一例，传感器信号s1p是第4传感器信号的一例。本变形例中的磁传感器11、12也可以从实施方式1变更物理上的灵敏度轴的方向等而构成。图9示出变形例2涉及的电流传感器1c的结构。本变形例的电流传感器1c在与实施方式1的电流传感器1同样的结构中，具备对第1以及第2运算信号so1、so2的加法进行运算的第3运算部33a。第3运算部33a例如由加法器构成。在本变形例中，磁传感器11和磁传感器12分别与实施方式1同样地是第1磁传感器和第2磁传感器的一例。如图9所示，在本变形例的电流传感器1c中，第1运算部31与实施方式1同样地在各输入端子与两个磁传感器11、12连接(参照图4)。另一方面，第2运算部32在正输入端子与磁传感器12的传感器信号s2p(第4传感器信号)的输出端子连接，在负输入端子与磁传感器11(第2传感器信号)的传感器信号s1m的输出端子连接。第1以及第2运算部31、32基于所输入的信号，进行与实施方式1同样的运算来生成第1以及第2运算信号so1、so2。第3运算部33a对第1以及第2运算信号so1、so2的加法进行运算，算出输出信号sout。由此，输出信号sout与式(7a)同样地算出。如以上那样，在本变形例涉及的电流传感器1c中。常州普乐锐思电流传感器厂家

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