国产化情况:国产自给率低，技术加速追赶。根据中国电子设备工业协会数据，预计2018年国产泛半导体设备销售额约109亿元，但真正的IC设备国内市场自给率有5%左右，国产替代空间巨大。在02专项的统筹规划下，国内半导体厂商分工合作研发不同设备，涵盖了主要设备种类。国内厂商仍处于技术追赶期，但随着摩尔定律趋近极限，技术进步放缓，国内厂商与全球技术差距正在逐渐缩短，我们认为未来3-5年将是半导体设备国产替代黄金战略机遇期。、设备简介:技术高、进步快、种类多、价值大半导体行业技术高、进步快，一代产品需要一代工艺，而一代工艺需要一代设备。半导体产业技术进步主要有两大方向:一是制程越小→晶体管越小→相同面积上的元件数越多→性能越高→产品越好;二是硅片直径越大→硅片面积越大→单个晶圆上芯片数量越多→效率越高→成本越低。半导体工艺流程主要包括单晶硅片制造、IC设计、IC制造和IC封测。单晶硅片制造需要单晶炉等设备，IC制造需要光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法设备、过程检测等六大类设备。半导体设备中，晶圆代工厂设备采购额约占80%，检测设备约占8%，封装设备约占7%，硅片厂设备等其他约占5%。一般情况下。前端晶圆制造：单晶炉/多晶炉、硅棒研磨机、晶圆切片机、晶圆倒角机、晶圆研磨机、扩散炉、物相沉淀设备。提供半导体设备进口报关热线
中国电子设备工业协会统计的数据包括LED、显示、光伏等设备，我们认为实际上国内集成电路IC设备国内市场自给率有5%左右，在全球市场占1-2%。02专项顶层设计，技术加速追赶。2002年之前，我国集成电路设备基本全进口，中国只有3家集成电路设备厂商，由北方微电子、北京中科信和上海微电子分别承接国家“863”计划中的刻蚀机、离子注入机和光刻机项目。2006年，《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》设立国家科技重大专项——极大规模集成电路制造装备及成套工艺科技项目(简称02专项)研发国产化设备，并于2008年开始实施。2008年之前我国12英寸国产设备为空白，只有2种8英寸设备。在02专项的统筹规划下，国内半导体厂商分工合作研发不同设备，涵盖了主要设备种类。目前已有20种芯片制造关键装备、17种先进封装设备，通过大生产线验证进入海内外销售。日本半导体设备进口报关检测要求半导体生产线制造设备进口清关代理公司，进口半导体设备报关代理。
PERC:与现有常规产线具备较高兼容性钝化发射极和背面(PassivatedEmitterandRearCell，PERC)电池技术指利用钝化材料对电池背面进行钝化，从而克服了常规电池背表面光学和电学损失，电池转换效率获得有效提升。目前，PERC已成为主流高效电池技术。PERC技术与常规电池产线具备较高兼容性，增加两道额外工序，分别为:(a)背面钝化层的沉积;(b)激光开槽。背钝化设备为PERC电池技术的关键生产设备。目前，PERC电池钝化膜沉积主要使用两种方法，分别为等离子化学气相沉积法(PECVD)与原子层沉积法(ALD)，其中PECVD占比约九成。根据设备形态的不同，PECVD沉积设备可分为板式PECVD与管式PECVD;ALD沉积设备可分为管式ALD、板式ALD、单片ALD。PECVD沉积设备与ALD沉积设备各有优势。其中，PECVD优势主要体现为一次性沉积氧化铝与氮化硅，硅片上下料工序有所减少，生产具备连续性;ALD优势主要体现为氧化铝结构缺陷小，膜厚可控(相对较薄)。竞争格局:根据设备形态划分，背钝化设备供应商主要包括:板式PECVD:海外供应商主要为MeyerBurger公司的MAIA;管式PECVD:海外供应商主要为Centrotherm公司等;国内包括无锡松煜、深圳捷佳伟创等。
集成电路硅片生产以直拉法为主。将多晶硅拉制成单晶硅包括两种工艺，分别为区熔法与直拉法，其中，集成电路领域硅片主要采用直拉法制成。拉晶环节工序主要为将纯净硅加热成熔融状态→籽晶伸入装有熔融硅的旋转坩埚中→新晶体在初期籽晶上均匀延伸生长→生产单晶硅锭。晶圆制造设备占设备投资总额约3%~5%。正如本文，2018年全球集成电路设备价值构成中，晶圆加工设备、晶圆制造设备占比分别为81%、4%。具体来看，晶圆制造设备包括单晶炉、切割机、滚圆机、截断机、研磨系统、倒角机、刻蚀机、抛光机、清洗设备、检测设备等。其中，单晶炉、CMP抛光机分别占晶圆制造设备额约25%、25%。单晶炉由炉体、热场、磁场、控制装置等部件构成，其中，控制炉内温度的热场与控制晶体生长形状的磁场为决定单晶炉性能的关键指标之一。竞争格局:内资供应商在太阳能单晶炉领域已具备完全竞争力，其中，综合实力居前企业包括晶盛机电、南京晶能等。另一方面，国内集成电路领域能够供应12英寸单晶炉的供应商目前数量尚小。韩国半导体制造设备进口清关代理公司，进口半导体设备报关公司。
单晶生长分为直拉(CZ)法和区熔(FZ)法。目前90%以上硅片采用直拉法(CZ)生产，区熔法(FZ)制备的硅片主要用于功率半导体、光敏二极管、红外探测器等领域。、硅片国产化推动硅片制造设备国产化过去:受市场需求不足的影响，产业化推进较为缓慢。我国的硅片制备设备经过了30多年的发展，已可提供直径200mm以下的硅片制备设备，但受市场需求量较少和国外二手设备的冲击，国产设备发展的门类并不齐全。在300mm硅片制备设备的发展上，国内研发了单晶炉、多线切割机等几种关键设备，也通过了300mm硅片生产试验线的验证。但与国外设备相比，受市场需求不足的影响，产业化推进较为缓慢，同时也影响了设备技术的进步。现在:政策需求双轮驱动，大硅片国产化指日可待。根据ICInsights2017数据，2017年全球硅片需求1160万片(等效8寸)，国内需求110万片。预计2020年国内对12寸大硅片需求从42万片增加到105万片;2020年对8寸硅片需求从70万片增加到。受政策鼓励与市场需求的双重驱动，多家企业正在中国积极布局半导体大硅片项目。国内规划中的12寸大硅片合计:145万片，覆盖国内需求。国内规划中的8寸大硅片合计:168万片，总投资规模超过500亿元，覆盖国内需求。半导体设备/等离子刻蚀机进口报关/清关代理指南。日本半导体设备进口报关联系人
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LED领域匀胶显影机：应用于LED芯片制造、PSS（图形化衬底）、MEMS、HCPV（高聚光型太阳能电池）、Waveguide（光波导）工艺的匀胶显影等工艺制程。2.封装全自动涂胶显影机:广泛应用于先进封装BGA、Flip-Chip、WSP、CSP制程的高黏度PR、PI、Epoxy的涂敷、显影工艺制程。3.封装全自动喷雾式涂胶机:广泛应用于TSV、MEMS、WLP等工艺制程。4.单片湿法刻蚀机/去胶机/清洗机:广泛应用于先进封装BGA、Flip-Chip、WSP、CSP制程的刻蚀、去胶、清洗工艺制程。5.前道堆叠式全自动涂胶显影机：应用于90nm光刻工艺、BARC涂覆、SOC、SOD、SOG等工艺制程。盛美半导体（ACMResearch）是国内半导体清洗设备主要供应商，于1998年在美国硅谷成立，主要研发电抛光技术，2006年成立上海子公司，专注于半导体清洗设备。2017年11月4日公司在美国纳斯达克上市。2017年公司营业收入3650万美元，同比增长，其中90%以上的营业收入来自于半导体清洗设备。2017年研发投入占营业收入比例为。由于声波清洗可能会造成晶片损伤，行业公司大多转向研发其他技术，盛美半导体另辟蹊径研发出空间交变相移兆声波清洗（SAPS）和时序能激气泡震荡兆声波清洗（TEBO）两项**技术，可以实现无伤清洗。提供半导体设备进口报关热线
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